【听众福利专场】第十五届晶芯研讨会免费1对1答疑解惑！

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第十五届晶芯研讨会

“复杂动荡国际局势下中国半导体制程供应链的应对之策”

已经成功举办了！

会议当天，演讲嘉宾们的精彩分享

引起在线听众踊跃提问

由于时间原因

很多问题嘉宾们都未能及时回复

现在小芯与演讲嘉宾共同整理了问题汇总

接下来

快来看看您的问题有没有被解答呢？

嘉宾专业解答

罗仕洲

欢芯鼓伍创始人

问

1、请问如何看待台积电搬迁到美国？我们该如何积极应对？

答

政治化的产物，对公司所言，无竞争优势，可能对营收有大的冲击，对于台积电员工是好机会，对技术优势倒不是太大的问题，问题是财务的破口可能成为技术创新失去竞争力。

嘉宾专业解答

陈朝琦

上海微祯新材料科技有限公司创始人

问

1、特种气体容器这边，生产设备有什么难点？

答

国内基础机加工对于特种容器的能力没有问题，难点不在加工上，主要在几个方面:

1.认证: 危化品需要有UN认证，这个在国内不普遍，而且这个标准是国外制定的。定期还得更新认证。对容器流转的管理能力挑战度很高。

在客户端认证的困难度也很高，国内并无专责针对半导体客户使用场景的测试标准及相关认证。也造成客户不愿意成为第一个试验者。

2.专利: 很多容器是受国外设备商/材料商以专利形式拥有独家使用权，如欲使用需缴纳高额的专利授权费用，或是投入大量的研发经费绕过专利。

3.国内市场体量不够大，进而使容器的制造单价居高不下。

4.周边配套的零件国内尚无法制作。如气动阀、逆止阀，安全阀，等，目前均为日本及欧美供货商垄断。容器的制作时间，取决于阀门的到货时间。

问

2、在这种材料和设备受限情况下，哪类产品受到的影响会大一些，比如功率器件等？

答

我们业内一般的分法是逻辑代工，储存器、三代半导体，独立组件，等，我个人认为对高阶工艺产品影响较大，如28nm 以下，相关的设备和材料等是被禁运的主要对象。和什么产品倒比较没有关系。主要是材料、装备，设计软件等。国外卡法也是以工艺节点来卡。

问

3、目前，针对晶圆fab和先进封装厂，光刻胶，cmp研磨液，湿法刻蚀液，铜电镀液等等，哪些材料目前国产替代最为成功？

答

这个是个人观点了，我个人认为以湿法刻蚀液及特气的替代最为成功。目前国产化程度较高，也对外出口。

问

4、确定晶圆级杂质时有哪些重要考虑因素？

答

这个问题我不确定是指硅片，还是材料，我分别说下：

1.硅片方面: 目前主要是以阻抗、导电率，及良率为主。内部的杂质业内对杂质已经非常了解，主要是金属杂质的控制较为重要。因为这个直接影响芯片的良率。

2.工艺材料就会位工艺应用上不同而有不同的要求，像湿法蚀刻液，对金属含量要求就非常高，在ppt 等级，针对不同的工艺节点，也会有不同的要求，130nm 要求就在ppm级，在28nm 以下，都在ppm级以下了。

问

5、之前听别人提过，未来的氟碳类特气发展趋势是向氟碳比1:1靠拢，您怎么看呢？

答

是有这个说法，但目前看来，即使在1nm 工艺中也尚未使用1:1的氟碳类气体，只能说目前还不成熟，以目前现有的碳氟类气体在使用上尚能满足客户的要求。目前比较大的挑战反而不在工艺上，而是GWP ，全球变暖指数，研发更低的GWP值的材料是业界的主要方向之一。

问

6、请问一下，光刻胶印刷这块氦气的用量可以简单地分析一下吗？

答

氦气在光刻区，是用1.5% O2 混氦，或是1.2%氮气混氦气，不是主要材料的应用，用量非常少。氦用量一年少于100公斤。( 以量产5万片的12吋代工厂来看) ，其它区用的也不多，主要用于测漏，或部分用于退火，因为早期氦太贵，都找了相对应替代的东西替代掉了。

嘉宾专业解答

黄艳

上海飞凯材料科技股份有限公司市场资深总监

问

1、一种14nm光刻需要多少种光刻胶？是否存在杜邦等国外公司限制1-2种A胶，就卡死产业链的问题？

答

20-30种, 目前看来不会。

问

2、光刻胶在半导体制造成本里占比大概多少？

答

整个芯片制造过程中可能需要进行数十次的光刻，光刻工艺成本占到整个芯片制造工艺的约三分之一，耗时约占整个芯片生产环节的40％－50％，光刻胶材料总成本占比约为5－6％。根据SEMI的预测，2021年掩模板、光刻胶、光刻胶配套试剂在半导体材料中的占比分别为13.1%， 12.6%和5.7%。

问

3、能否请教下飞凯光刻胶在第三代半导体制程中应用目前是什么状况？占比怎样？飞凯针对第三代市场后续的布局规划是怎样的？

答

iline+配套试剂

问

4、krf及arf的原料也基本依赖进口，请问一下，后续国内企业何时能够实现大规模的替代？在没有国产替代前，原料进口有保障吗？

答

飞凯材料的主体树脂可以自己合成。

问

5、目前国产替代进度最快的光刻胶是哪种?

答

PCB光刻胶中的湿膜光刻胶，几乎能做到50％以上国产；LCD光刻胶中的彩色光刻胶和黑色光刻胶，5％左右能实现国产替代；半导体光刻胶中g线，i线光刻胶国产化率约10%。KrF、ArF作为高端光刻胶，我国的市占率仅1％，而更高端的EUV光刻胶目前处于研发阶段。

问

6、请问从光刻胶研发角度来说，是人才的数量还是质量（例如在海外巨头工作过，还是有博士学历等等）更重要？

答

光刻胶开发存在大量know-how。有过成功研发经验的团队可以大大减少走弯路的时间。

问

7、光刻胶的保存时间，容器要求？

答

光刻胶对光敏感，在光照或高温条件下其性能会发生变化。随着保存时间的增加，光敏组分越来越多地从光刻胶中沉淀出来，这不仅会导致显影速度降低，而且还会产生更高的暗腐蚀和较低的附着力。随着使用时间的延长，每次打开瓶盖都会使瓶子中填充的溶剂气氛破坏掉，从而导致光刻胶溶剂的持续挥发（一般开盖100次会有明显的变化），甚至是1%的溶剂变化都会导致光刻胶的粘度变化。容器要求洁净度高，颗粒、金属析出等满足COA要求。

问

8、国内（比如飞凯材料等）光刻胶在功率半导体领域的应用主要有哪几种，哪些是替代国外材料而开发的？以I线为例，谢谢！

答

有可以替代国外材料的i-line高分辨率正胶，显影液等。

嘉宾专业解答

白久

宏芯气体(上海)有限公司创始人/CEO