给多铁一点压力, 让存储迈进一小步
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多铁性材料广义上可定义为同时具有铁电性、铁磁性、铁弹性等多种“铁性”中两种或两种以上的材料体系。目前在多铁性材料中，研究人员最关注的是同时具有铁电性和铁（反）磁性且可以实现磁电耦合的这一类多铁性材料。这是因为多铁性材料中磁化强度和电极化强度的共存允许在单个器件中实现四种逻辑状态，从而利用电磁互控的特点设计新型存储器。随着信息技术与半导体技术的发展，薄膜制备和存储技术也随之高速发展，使得制备高质量薄膜与复杂结构的微器件成为可能。目前对于多铁性磁电薄膜材料的研究多基于薄膜电极化强度和磁化强度的研究，探讨外加电压写入并利用磁头进行数据读取的存储方式，简而言之就是“电写磁读”。
最近，研究人员给出了一种新的数据写入方式：通过压力改变多铁性材料中铁电畴的极化状态，同时带动磁畴的翻转，从而完成数据的写入过程。日本国立材料研究所Hideo Kimura课题组的Tingting Jia（贾婷婷）研究员和澳大利亚卧龙岗大学的Zhenxiang Cheng教授及其合作人员发现，在Bi层状钙钛矿结构的单相多铁性Bi5Ti3FeO15薄膜上利用扫描探针尖锐的针尖施加局部压力可以同时翻转薄膜内的铁电畴和磁畴，而且这种压力写入的电畴和磁畴还可以通过电场进行翻转。也就是说，在一定意义上利用机械力可以获得和电场的类似的数据写入效果。这一发现扩展了多功能存储器件的设计思路，又为新型存储器的概念点了把火。
此文章目前已经被NPG Asia Materials杂志收录，有兴趣的看客请点击左下“阅读原文”或至以下链接：http://www.nature.com/am/journal/v9/n2/full/am20173a.html
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