招聘 | 朱慧珑课题组招聘（高级工程师与工艺工程师）
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中国科学院微电子研究所，集成电路先导工艺研究中心，朱慧珑研究员课题组因项目需求拟招聘高级工程师与工艺工程师各一名。
朱慧珑，中国科学院微电子研究所研究员，博士生导师。 提出了多项提高芯片性能的核心技术方案，其中包括双应力薄膜（Dual Stress Liner）、应力近临技术（stress proximity technique）、减薄栅极的应变MOSFET等； 较系统地研究了锗和锑在SixGe1-x体系中的扩散现象，提出了新的数学模型及解析解法，并第一次给出了精确描述锗和锑在SixGe1-x体系中扩散系数的公式。
高级工程师
要求：
1、工作态度认真负责/做事积极主动/有较强的学习理解能力、判断分析能力以及沟通协调能力。
2、能熟练阅读相关中英文献/有自主分析解决问题的能力。
3、熟悉和喜爱集成电路制造工艺/具有半导体工艺开发经验者优先考虑。
4、有集成电路器件研发经验优先考虑。
5、微电子或物理/化学/化工等，硕士及以上
职责：
1、负责集成电路/半导体工艺流程开发，及后续的工艺整合及优化。
2、协助分析器件、工艺和版图设计方案，以及相关测试结果。
3、熟悉工艺制程及其他相关制程。
4、负责先进半导体器件工艺的调研及研发。
工艺工程师
要求：
1、工作态度认真负责/做事积极主动/有较强沟通能力。
2、能熟练阅读相关中英文献/有自主分析解决问题的能力。
3、熟悉和喜爱集成电路制造工艺/具有半导体工艺开发经验者优先考虑。
4、有集成电路器件研发经验优先。
5、微电子或物理/化学/化工等，本科及以上。
职责:
1、负责集成电路/半导体工艺流程开发，及后续的工艺整合及优化。
2、协助分析器件、工艺和版图设计方案，以及相关测试结果。
3、熟悉工艺制程及其他相关制程。
联系方式
有意应聘者请将个人简历发送至邮箱：
zhangyongkui@ime.ac.cn;jiakunpeng@ime.ac.cn
问题咨询：hr@ime.ac.cn
课题组长简介
朱慧珑研究员1982年学士毕业于中国科技大学物理系，1988年于北京师范大学获博士学位，专业均为物理。他是中科院微电子所集成电路先导工艺研究中心首席科学家、中组部“千人计划”入选者和中国侨联特聘专家，主要从事集成电路关键工艺技术先导研究，现任中国科学院微电子研究所研究员，博士生导师，研究方向为超大规模集成电路器件与集成工艺的前瞻性研究。1990年至2009年，先后在美国Argonne国家实验室、UIUC、DEC、Intel、IBM等任职。他曾是IBM全公司2007年度4名牵头发明家(Leading Inventor)之一；IBM半导体研究和开发中心2008年度的发明大师（Master Inventor）；2项专利获IBM杰出专利奖;获得IBM公司发明成就奖51次。 2009年回国后朱慧珑博士先后担任国家重大专项02专项 “22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设”和“16-14纳米基础技术研究”项目首席专家。他作为首席专家参与领导了22-14纳米技术代关键工艺技术先导研发，在国内首次完成了原型器件的研发并建立了较系统的自主知识产权体系，曾获2014年“中国科学院杰出科技成就奖”、2015年“第十七届中国专利奖优秀奖”、2016年“北京市科学技术奖一等奖”和“中国电子学会科学技术奖技术发明类一等奖”，第十九届中国专利奖优秀奖，并连续6年被评为微电子所“研究生喜爱的导师”。朱博士拥有已授权美国专利400多项,引用4000多次。朱慧珑博士在三维半导体器件方面有深入研究，一共申请了100多件中国专利和数十件美国专利，有些专利被国际半导体巨头大量引用，在国际著名期刊有多篇论文发表。朱慧珑博士目前专注于未来16nm及以下技术节点主流的FinFET器件结构和制造工艺，解决当前面临的世界性的共性技术难题。
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