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储能器件也可以计算:一种新型的神经形态器件 | NSR
The following article is from 中国科学杂志社 Author 《国家科学评论》
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近日,《国家科学评论》(National Science Review, NSR)刊发了中国科学院半导体研究所王丽丽研究员团队与北京理工大学沈国震教授、香港科技大学范智勇教授合作研究成果:研究人员利用储能设备(FMES)的离子迁移特性,构建了能够模拟突触间隙信息传输的人工突触器件。该器件能够进行低能量计算,并有望解决部分神经形态系统存在的高写入噪声、非线性差,以及零偏压下的扩散等问题。
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