火了!上市1个月连续23个涨停
斯达半导主营产品为IGBT模块,其原材料包括IGBT芯片、快恢复二极管、DBC板、散热基板等。在报告期内IGBT占公司营业收入比例的95%以上。2017年、2018年斯达半导的归属净利润同比增幅分别为145.61%以及83.5%。
由于斯达半导主营为以IGBT为主的功率半导体芯片和模块设计与生产,且从2005年公司成立以来,公司的主营业务和产品均为发生变化。有业者对此表示:“如果在短期内出现各应用领域需求下降、市场拓展减缓等情况,将会对公司的营收和盈利能力产生重大影响。”
可以看到,大家对于斯达半导的关注度,主要体现在主营业务及市场表现方面。那么,
IGBT到底是什么?它的市场表现及前景如何?接下来,我们一起来看看。
IGBT属于功率半导体器件,集成了二极管、BJT、结型场效应晶体管 JFET,MOSFET, SCR等半导体器件中的大部分器件。它是工业控制及自动化领域的核心元器件,其作用类似于人类的心脏,能够根据工业装置中的信号指令来调节电路中的电压、电流、频率、相位等,以实现精准调控的目的。
因此,IGBT被称为电力电子行业里的“CPU”,广泛应用于电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子、新能源发电、新能源汽车等领域。
据了解,IGBT 在600V 以上具有较强的优势,目前主要应用于6500V高压领域;在高压领域,SiC MOSFET是IGBT的竞争者,但是目前还存在成本居高不下的情况。
据中国产业信息网数据显示,全球功率半导体市场规模为381亿,其中IGBT占 25%的市场份额。IGBT 又分为分立 IGBT、IPM、IGBT 模块,其中 IGBT模块占 52.1%的市场份额。由于 IGBT 模块中包含多个 IGBT 芯片,可应用的电压及功率范围比分立式 IGBT 广,因此 IGBT 模块市场份额最大。
整体来看,IGBT 市场增速大于整个功率半导体行业增速。2019 年全球功率半导体市场规模为381 亿美元,其中2019 年全球 IGBT 市场规模为 54.1 亿美元,占功率半导体市场的 14.2%,同比增长 6.9%,预计 2022 年全球IGBT市场规模为 67.2 亿美元,增速大于功率半导体市场增速。
由于工控、新能源汽车及消费电子(包含家用电器)等都是IGBT最重要的应用场景。所以功率半导体中IGBT市场增速最大,中国在全球IGBT中增速最大。
据智研咨询数据显示,2018 年全球 IGBT 市场规模达到 58.36 亿美元,同比增长 11.1%,同期国内 IGBT 市场规模为 153 亿人民币,同比增长 19.5%。同时,中国 IGBT 市场规模占全球比重将近 40%,是全球最大的 IGBT 市场。
目前,国内的IGBT市场需求主要依赖进口英飞凌、三菱、 富士电机等国际大厂的产品来满足;国内产能高速增长,但由于行业壁垒较高,仍存在巨大供需缺口。根据智研咨询公布的数据,2018 年中国IGBT需求量为7898万颗,但国内产量只有1115万颗,供需缺口达到86%。
受新能源汽车、工控等市场需求的驱动,国内IGBT产业发展迅速,主要的IDM和Fabless企业如下:
3月3日,长沙比亚迪IGBT项目也已经正式启动建设,致力于解决新能源汽车核心功率器件被国外企业卡脖子的难题。
据了解,比亚迪早在2005年便开始布局IGBT产业;2018年 12 月,比亚迪发布了 IGBT 4.0 技术。
目前,比亚迪已掌握了IGBT芯片设计和制造、模组设计和制造、大功率器件测试应用平台等环节,拥有IGBT完整产业链。
杭州士兰微电子股份有限公司成立之初主要发展MCU产品,到了2009年,在HVIC、IGBT芯片到位后,士兰微开始了功率模块的研发征程。
2011-2013年之间,士兰微承担国家高速低功耗600V以上的多芯片高压模块项目,开发了多款高压功率模块以及多款HVIC和IGBT、FRD产品。据士兰微董秘陈越表示:“公司的IGBT产品瞄向的市场之一就是消费级的白电领域,在白电领域,公司应该比国内其他企业都先进入这个市场,且在部分家电企业中,公司的份额已经超过了50%。”
在功率器件领域,华润微多项产品的性能及工艺居于国内领先地位。其中,MOSFET是公司主要产品之一。公司是国内营业收入最多、产品系列最全的MOSFET厂商,是目前国内少数能够提供-100V至1500V范围低、中、高压全系列MOSFET产品的企业,也是目前国内拥有全部主流MOSFET器件结构研发和制造能力的主要企业。
据了解,华润微拥有国内第一条全内资8英寸专注功率器件晶圆生产线,月产能5.1万片,工艺能力0.18微米,以及一条8英寸特种工艺生产线。目前该公司已启动12英寸晶圆生产线及相关配套封测线建设规划,主要生产MOSFET、IGBT、电源管理芯片等功率半导体产品。
根据IHS Markit的统计数据,以销售额计,公司在中国MOSFET市场中排名第三位,仅次于英飞凌与安森美两家国际企业。
湖北台基半导体股份有限公司成立于2004年,目前为国内大功率IGBT半导体器件主要供应商。
据了解,2019年8月,公司定增募资7亿元投入新型高功率半导体器件产业升级项目,出资者为公司实际控制人、战略投资者等体现了公司对于持续升级扩张的决心以及成为中国最具竞争力半导体功率厂商的决心。具体来看,定增项目包括IGBT模块封测线(兼容SiC等第三代宽禁带半导体功率器件)、高功率半导体脉冲功率开关生产线、晶圆线扩建项目等。
华微电子拥有4英寸、5英寸与6英寸等多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线,芯片加工能力为每年400万片,封装资源为24亿只/年,模块360万块/年。
其中,华微电子的IGBT薄片工艺、Trench工艺、寿命控制和终端设计技术等国内领先,达到国际同行业先进水平。公司主要生产功率半导体器件及IC,目前公司已形成IGBT、MOSFET、SCR、SBD、IPM、FRD、BJT等为营销主线的系列产品,产品种类基本覆盖功率半导体器件全部范围,广泛应用于汽车电子、电力电子、光伏逆变、工业控制与LED照明等领域,并不断在新能源汽车、光伏、变频等战略性新兴领域快速拓展。
其中,中车时代电气的IGBT拥有750V~6500V共六个电压等级产品系列,公司较早布局8英寸芯片产线及扩产项目,在大尺寸晶圆布局及迎合下游需求爆发的关键期,进入了国内领先梯队。
江苏中科君芯科技有限公司成立于2011年,是一家专注于IGBT、FRD等新型电力电子芯片研发的中外合资高科技企业。
中科君芯目前形成具有市场竞争力的产品有650V、1200V、1700V系列IGBT芯片,并拥有222项专利,其中PCT专利12项。IGBT技术方面,中科君芯已开发出沟槽场终止(Trench -FS)电压650V-6500V、单芯片电流8A-400A全系列IGBT芯片,成功解决了沟槽栅沟槽成型技术、载流子增强技术、晶圆减薄技术、背面高能离子注入技术、背面激光退火技术等关键工艺技术。
宁波达新半导体有限公司成立于2013年,主要从事IGBT、MOSFET、FRD等功率半导体芯片与器件的设计、制造和销售,拥有IGBT、MOSFET和FRD等功率半导体芯片的设计和工艺集成技术,建有IGBT产品性能测试、应用及可靠性试验室,拥有一条测试和制造手段完备IGBT模块研发生产线。
达新半导体在8英寸和6英寸晶圆制造平台上同时开发成功平面型NPT、平面型FS、沟槽型NPT、沟槽型FS等IGBT芯片技术,能够制造从600V至1700V, 可满足大部分应用领域的IGBT芯片产品。此外,达新半导体已成功开发多种IGBT模块产品,电压等级涵盖600V~3300V、电流等级涵盖10A~1000A,可应用于逆变焊机、变频器、感应加热、大功率电源、UPS、新能源汽车、太阳能/风力发电、SVG等领域。
无锡紫光微电子有限公司(原无锡同方微电子有限公司)成立于2006年,是一家专注于先进半导体功率器件和集成电路的设计研发、芯片加工、封装测试及产品销售的集成电路设计企业。
紫光微电子开发和生产的SJ MOSFET、DT MOSFET、HV VDMOS、IGBT、IGTO、Half Bridge Gate Driver等半导体功率器件以及相关的电源管理集成电路等产品,广泛应用于节能、绿色照明、风力发电、智能电网、混合动力\电动汽车、仪器仪表、消费电子等领域。
无锡新洁能股份有限公司成立于2013年,主营业务为MOSFET、IGBT等半导体功率器件的研发设计及销售,主要产品按照是否封装可分为芯片和封装成品,广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子以及新能源汽车/充电桩、智能装备 制造、物联网、光伏新能源等领域。
据无锡新洁能官方介绍,目前其主要产品包括12V~200V沟槽型功率MOSFET(N沟道和P沟道)、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET(N沟道和P沟道)、500V~900V超结功率MOSFET、600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT。
西安芯派电子科技有限公司成立于2008年,是一家集研发、生产和销售为一体的高新技术企业,产品包含低压至高压全系列MOSFET、IGBT、二极管、桥堆以及电源管理IC等。
据了解,芯派科技自2016年研发出应用于1200V/900V/650V的IGBT功率器件,产品性能指标达到和国外同类产品的技术性能。目前其600V/1200V FS系列IGBT产品在工业类电源中批量使用,450V的IGBT产品适用于闪光灯应用与点火应用,NPT工艺的1200V/3300V IGBT系列产品适用于汽车行业。
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