台积电冲刺“1nm”背后，隐藏着哪些技术秘密?

正式开始前，我先给大家介绍一个非常实用的工具——智慧芽Eureka研发情报库。它是通过Patent DNA从海量专利文献中提取关键的技术信息，快速帮助研发人找到技术解决方案。（限时开放中，想要领取可以扫描文末二维码）

摩尔定律是半导体领域的行业发展规律，但近几年各大头部企业加速研发，大有突破摩尔定律之势。

近日，台积电的一条传闻引爆行业，摩尔定律是否就此将“失效”了呢？

有报道称，目前正在推进3nm制程工艺量产的台积电，同时也在推进更先进的2nm及1nm制程工艺。其中，2nm制程工艺预计在2025年下半年量产，而1nm制程工艺已在谋划工厂的建设事宜。

台积电能否突破摩尔定律，提前实现2nm甚至1nm制程工艺的量产，值得期待！

在此之前，小编通过智慧芽Eureka研发情报库找到了台积电在美国最新申请的5件专利，其中或许就有减小线宽实现降低制程的“秘密”！

操作小技巧：

首先登录智慧芽Eureka研发情报库官网：https://eureka.zhihuiya.com/channel_source=gongzhonghao

搜索“半导体”关键词,其次我们利用专利所有者和技术功效词条件，筛选出台积电公司和半导体技术词。

我们一起来看看5条详细技术专利情况吧～

👉1.半导体器件和方法

（来源：智慧芽Eureka研发情报库）

这件专利涉及电连接领域的技术创新，提及了多种应用实例，包括完全着陆的通孔、与种子层接触的部分着陆的通孔和不与种子层接触的部分着陆的通孔。

👉2.自对准双重图案化

（来源：智慧芽Eureka研发情报库）

这件专利涉及材料领域的技术创新，提到了能够实现沉积在心轴层上的间隔层的不同厚度的应用案例。

👉3.共享译码电路及方法

（来源：智慧芽Eureka研发情报库）

这件专利涉及SRAM领域，其中提到的电路，上面的每个寄存器包括SRAM单元、被配置为接收读地址的读端口、被配置为接收写地址的写端口、选择电路、锁存电路和串联耦合在寄存器之间的解码器。

👉4. 存储设备限流器

（来源：智慧芽Eureka研发情报库）

这件专利涉及内存领域的技术创新，其中，闭环偏置发生器被配置为向存储器阵列输出列选择信号，限流器接收闭环偏置发生器的输出，电流限制器耦合到存储器阵列的多个列。

👉5. 电压跟踪电路及其操作方法

（来源：智慧芽Eureka研发情报库）

这件专利涉及电路领域的技术创新，主要提到了一种电压跟踪电路，并详细描述了上面四根晶体管的排布形式。

台积电在美国申请的专利，涉及图纹面的照相制版工艺、数字存储器、气态化学镀覆等诸多应用领域。更多应用详见智慧芽研发情报库😉

智慧芽Eureka研发情报库不仅有技术信息查找功能，还可以监控行业头部企业的技术动态、某项技术的发展路径以及30秒生成技术交底书等，这里就不一一介绍了。

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关于智慧芽

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