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东北大学张宪民教授研究组:在反铁磁材料研究方面取得重要进展
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Au/NiO(111)/Au器件在0 V(图2a)和1V(图2b)偏压下的自旋电子透射谱,图2c为不同能量和偏压下的自旋电子透射图(红线交叉区域对应偏压窗口),显示出具有很宽的电压调控范围。
随着偏压的升高,电流的自旋极化率可以从正值转化为负值,显示了丰富的科学奥秘。图3为k分辨的自旋电子态密度。图3 (a)和 (b)证实了0.9V附近正的高自旋极化率起源于NiO的表面态;图3 (c)和 (d)证实了负的自旋极化率起源于高偏压下NiO的导带参与了电子的传输。
图3. k 分辨的自旋电子态密度。能量为0.26 eV的界面处自旋向上(a)和自旋向下(b);能量为0.8 eV的中间层自旋向上(c)和自旋向下(d)。
研究工作最后系统分析了NiO层数和界面无序对自旋电流传输效率的影响,表明了该研究思路具有普适性。该工作申请了中国发明专利(CN202010459827.4),论文的第一作者为材料科学与工程学院博士研究生仝军伟,导师张宪民、秦高梧教授给予了系统指导,中国科学院苏州医工所周连群研究员和吉林大学田夫波教授等一起分析并讨论了研究结果。该工作受到了国家自然科学基金(Nos. 51971057, 51675517)和中央高校基本科研业务费(Nos. N180206003 and N2002023)的资助。原文链接:
https://aip.scitation.org/doi/10.1063/10.0001675
来源:东北大学
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