中科院王浩敏研究员与清华大学李群仰教授​Sci. Adv.：制备出小扭转角度双层石墨烯

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来源：中科院上海微系统与信息技术研究所

近年随着扭转角在魔角范围（~1.1°）的双层石墨烯中新奇量子现象的发现，扭转双层石墨烯的研究愈发受到关注。因此，催生了新的研究领域——twistronics。常规双层石墨烯是通过AB堆垛形成的稳定结构，而对于扭转双层石墨烯，其表面会展现出摩尔条纹超晶格，且该超晶格周期与双层石墨烯能带结构会随着扭转角度的变化而改变。目前，实验室小扭转角双层石墨烯多是通过微机械剥离法与手工堆垛方法制备，如何通过生长的方法直接制备出小扭转角双层石墨烯是当前需要解决的重要课题。

近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所王浩敏研究员课题组与清华大学李群仰教授团队合作，首次报道了在六角氮化硼（h-BN）表面通过化学气相沉积法制备出具有不同扭转角的双层石墨烯，并发现小扭转角双层石墨烯的局域原子重构对其垂直电导的影响。11月20日，相关研究成果以Abnormal conductivity in low-angle twisted bilayer graphene为题，在线发表在《科学进展》上（Science Advances, 6, eabc5555, 2020）。

上海微系统所课题组提出了通过非平衡化学气相沉积法在h-BN表面制备不同扭转角度双层石墨烯的新方法：在h-BN表面首先制备单层多晶石墨烯薄膜，之后在其表面进行石墨烯单晶畴生长，最终实现h-BN表面具有不同扭转角度的双层石墨烯制备。研究人员与李群仰团队合作，采用导电原子力显微镜（C-AFM）测量对比了不同扭转角度双层石墨烯垂直电导情况，发现小扭转角双层石墨烯中垂直电导的反常角度依赖性。科研人员与北京科技大学副教授高磊课题组合作，借助原子级界面接触质量模型、密度泛函理论计算和扫描隧道显微镜的高分辨表征，进一步揭示小扭转角下的反常电导行为源于双层石墨烯的局部原子重构导致的平均载流子浓度的降低。该研究首次揭示范德华材料中原子级重构对垂直电导率的贡献，为理解小扭转角范德华材料独特的物理行为提供了指导，并为设计和优化二维材料的电学性能提供了新思路。

图1.h-BN表面扭转双层石墨烯制备工艺示意图

图2.h-BN表面扭转双层石墨烯示意图与C-AFM电流扫描图像

清华大学博士生张帅、宋爱生与上海微系统所博士陈令修为论文的共同第一作者，李群仰、王浩敏和高磊为论文通讯作者。研究工作得到国家重点研发计划、国家自然科学基金、中科院战略性先导科技专项（B类）和上海市科委基金的资助。

原文链接
https://advances.sciencemag.org/content/6/47/eabc5555

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