SiP的三个新特点
① 进行芯片保护，因为硅芯片本身比较脆弱，细小的灰尘和水汽都会破坏它们的功能，因此需要进行保护。
② 进行尺度放大，因为芯片本身都很小，通过封装后进行尺度放大，便于后续PCB板级系统使用。
③ 进行电气连接，通过封装，芯片和外界电气连接，进行信息交换。
① 提升功能密度，功能密度是指单位体积内包含的功能单位的数量（关于功能密度的详细解释，可参考电子工业出版社近期即将出版的新书《基于SiP技术的微系统》）。从SiP到先进封装，最主要的目的和最鲜明的特征就是系统功能密度的提升。
② 缩短互联长度，SiP将系统电气互联长度从毫米级（mm）缩短到了微米级（um）。互联长度的缩短，带来的好处就是性能提升，功耗降低，这一点，通过HMB和DDRx的比较大家就能看得很明白。
③ 进行系统重构，以往电子系统的构建是在芯片级（SoC）或者是在板级（PCB）进行，通过SiP技术，在一个封装内构建系统并进行优化，我们可以称之为封装级系统重构，Chiplet技术、异构集成技术就是封装级系统重构的典型代表。
传统封装和SiP的特点比较
新 书 推 介：
新书《基于SiP技术的微系统》将会在几个月后，由电子工业出版社正式出版。
该书内容涵盖“概念和技术”、“设计和仿真”、“项目和案例”三大方面，总共30章。
内容包括了功能密度定律、Si³P和4D集成等原创概念，先进封装（HDAP）最新技术介绍，以及Wire Bonding、Cavity、Chip Stack、2.5D TSV、3D TSV、RDL、Fan-In、Fan-Out、Flip Chip、分立式埋置、平面埋置、RF、Rigid-Flex、4D SiP等详细设计方法、电气验证及物理验证，对SiP及相关的技术进行了综合而详尽的阐述。关注SiP、微系统、先进封装技术的读者可以参考。
书籍构思图，最终以正式出版的实体书为准
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