中芯国际：14nm量产后，7nm何时量产
7nm指的是芯片制造的工艺节点。一颗7nm芯片集成了亿级的晶体管，这种晶体管是由三个极组成的（栅G 源S 漏D），7nm指的就是晶体管中栅极的宽度，学名叫做栅长。纳米数越小，栅长越短。
半导体制程缩微，按照摩尔定律演进，好处显而易见：集成度更高，相同单位面积上放置更多的逻辑门。耗电量更低。速度更快，单管开断速度更快，同样的逻辑电路能跑到的主频更高。主频高，性能提升。但设计难度和成本也更大。
先进制程用途最大的两个方向，一个是计算单元密集型的数字处理器，比如手机CPU海思麒麟、高通骁龙，Intel电脑CPU，比特大陆的挖矿芯片…一个是存储单元密集型的内存DRAM。以外很多场景，并不需要最先进的制程。
全球半导体代工厂先进制程进展
先看台积电的工艺技术演进路线，16nm，然后直接到12nm，再10nm，7nm，7nm EUV，5nm，3nm。目前7nm EUV已经量产中，5nm在测试中，台积电公布平均良率约80％，台积电5nm 2020年就可投产。
非代工厂的Intel，主流工艺是14nm++++，10nm的产品也已经投产，然后2020年还是会以10nm为主，会有小的改进，2021年进入7nm EUV。
Intel在Architecture Day大会上透露了原因。
Intel其实有技术储备，但吃了宣传上的亏，也许是因为Intel与代工厂的三星和台积电业务上没有竞争关系。台积电与三星的代工业务才有竞争关系，制程则更注重低功耗。作为自有产品、自行制造的IDM大厂，Intel的主力产品CPU 最注重的是高性能。
台积电的竞争对手——三星的高阶工艺技术路线图，主要四个节点：14nm、10nm、7nm以及3nm。7nm已量产。和台积电是目前全球唯二可以接7nm单的代工厂。
三星5 nm节点密度已接近130 MTr /mm²，是第一个超过英特尔10纳米节点和台积电7纳米节点的三星节点。三星5LPE技术的首批芯片预计在2020年上半年批量生产。3nm开始，三星将放弃FinFET转向GAA晶体管。
星星之火足以燎原
中芯国际第一代 FinFET 14nm 制程已开始小量产出，2019年末占到营收的1%，真正放量会是在 2020 年底，产能将扩大到 15000 片。中芯国际第一代FinFET工艺包括14nm及改进型的12nm。
中芯第二代 FinFET 制程则包括 N+1 和N+2。N+1在 2019 年第四季进入 NTO（New Tape-out）阶段，目前正处于客户产品认证，预计 2020 年第四季可以看到小量产出。业界一般预计，中芯第二代 FinFET 制程 N+1在2021年底可以量产。
中芯第二代 FinFET N+1制程，实质是7nm制程的低功耗低成本版本。N+1 制程瞄准的应用，是低功耗低成本的7nm工艺产品。与自己的 14nm 相较，效能增加 20%、功耗减少 57%、逻辑面积减少 63%、SoC 面积减少 55%。意味着晶体管密度提升了1倍，台积电从16nm到7nm也是提升了1倍密度。中芯 FinFET N+1 制程的性能，比台积电、三星等的7nm工艺会低一些，通常7nm工艺会比上一代性能提升35%左右，但中芯国际的工艺仅提升20%，但功耗却能降低更多。
中芯第二代 FinFET N+2制程，实质是7nm制程的高性能版本。在功耗表现上与N+1世代工艺差不多，但针对的是高性能芯片，芯片性能会提高，成本也会比N+1世代高。瞄准的应用是高效能的7nm工艺产品。
华为近期不断追加对中芯国际 14nm 和 N+1 技术的订单，甚至是手机麒麟芯片也将首次导入中芯的 N+1 制程技术，另外还有 WiFi 通讯芯片、高速传输芯片等，也都陆续转到中芯分散分险。
FinFET制程14nm的突破，是中芯国际的先进制程重要入场券。
半导体制程的发展经历过三次大门槛，分别是0.13um金属层铜互联取代铝互联，28nm High-k介质的引入以及14nm FinFET制程。
梁孟松在1992加入台积电，凭借自主研发的技术击败了IBM，让台积电顺利崛起。铜互联让IBM和联电落后了，而28nm High-k则让中芯国际受阻严重。
2008年梁孟松加入三星，三星由32纳米/28纳米Planner技术直接跳阶到14纳米FinFET技术，并在2014年底开始量产。2017年梁孟松来到中芯国际担任中芯国际Co-CEO。
美国阻挠ASML出货EUV，对中芯国际的影响
2018年5月，中芯国际下订单向荷兰ASML公司购买EUV光刻机。但美国政府千方百计进行阻止封杀这笔交易。2019 年 美国国务卿蓬佩奥曾直接劝说荷兰首相。荷兰政府目前尚未颁发许可证，ASML目前无法出货给中芯。
中芯国际FinFET N+1 和 N+2 制程都不需要用到 EUV 光刻机。台积电第一代7nm是用DUV+多重曝光技术做的。所谓多重曝光，简单说上一次曝光留下的介质层（SiO2\Si3N4）是下一次曝光的遮挡层的一部分。曝光次数越多，光罩成本越高，反复刻蚀良率越不好控制。EUV光刻机主要为7nm以下工艺准备，包括5nm，3nm。采购EUV光刻机来做7nm，主要是出于成本和良率的考虑，而非必须要用EUV才能做7nm。
现阶段对于中芯国际而言，买一台EUV象征意义大于实际意义。EUV光刻机花费甚巨，1.2亿美元已经超出中芯2018全年净利润。一台不能量产，设备每年要撒大把的钱去维护保养，后续费用和产线配套投入更可观。
商业公司是要赚钱的。以中芯国际的营收体量利润人才，跟三星和台积电不是一个段位的，最高阶制程需要的资金和人才投入非常惊人，还不现实。比较现实的是做好自己的7nm制程，赚钱，做到晶圆代工的第三名，才是合理的目标，已经对国产设计厂商做了安全保障。
如果美国阻止台积电为华为代工？
如果美国紧缩对华为的禁令限制，把禁令从美国技术含量25%下调为10%，台积电7nm以下制程的美国技术含量不到10%，所以，仍然可以继续为华为代工。
如果调降到0%呢？但这已经是近似于全面战争的敌对行为。中国还是有反制手段的。比如禁止稀土出口美国，打击美国品牌在中国的销售。14亿人，实质世界第一大的消费市场，崛起的国产电子品牌，就是最大的凭借和后方。激起14亿人的民愤，美国公司和品牌如果丧失中国市场，对其本身也是巨大的打击。反而会促使中国品牌开启全面去美化潮流夯实自己的根基。想跟中国做生意赚钱的外国公司，也会尽力在美国之外开辟新产线，想方设法供货给中国赚钱，所以对美国也是双刃剑。
美国如果阻止台积电为华为代工，那么最大的受益者将是三星。韩国人会笑到醒。华为是三星手机最大的竞争对手。一旦华为高阶手机被美国阻止台积电代工所钳制，已经是世界第一手机市占率、要品牌有品牌、要钱有钱、要人有人、要技术有技术的三星，无疑将吃掉华为高阶手机的大部分市场份额，很可能有翻一倍的手机和晶圆制造的营收和利润，更能加大投入最先进制程的研发，在DRAM和Nand Flash存储器领域已经一家独大、3nm GAA技术进展神速的巨无霸三星，将在晶圆代工业务上对台积电形成巨大压力，反超不无可能。
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