【免费视频课程】半导体芯片器件课程大放送

本周进行了半导体芯片器件仿真公开课，因为部分小伙伴时间不方便，无法直接参加课程，还有很多小伙伴参加课程后，意犹未尽，想再回顾下课程内容，所以将本次课程的回放视频分享给有需要的小伙伴。

众所周知，芯片仿真设计技术可以优化芯片结构参数，再现器件内部工作机制，揭示芯片物理机理，同时还可以缩短研发周期，节省实验研究成本，是帮助研究人员省时省钱的一款制备高性能器件。本期放送课程涵盖VCSEL、UVC-LED、UV-PD以及HEMT四个软件的应用介绍以及简单的操作教学。下面我们来对每一期课程做个简单了解。

第一讲：如何借助仿真对 VCSEL 器件进行高效设计

这一课程对目前VCSEL研究现状进行了展示，也提出CSEL器件目前发展中遇到的主要问题。其次，从VCSEL设计和制造成本角度说明器件仿真的优势及其重要性。另一方面，基于PICS3D仿真设计软件完整演示了VCSEL模型的建立以及一些常规的计算过程，分析了软件使用过程中的一些注意事项以及一些VCSEL常见参数对器件性能的影响。通过仿真计算进一步去结合实际工艺，助力高效设计VCSEL器件。

第二讲：芯片设计助力制备高效率UVC-LED器件

本课程一方面对UVC-LED器件内部微观现象进行展示与机制分析，通过对电场，载流子注入，能带以及跃迁模式等重要参数的分析，揭示影响UVC-LED器件性能的因素所在及理清敏感参数的影响规律，并针对性地设计优化器件的架构；另一方面将具体地讲解APSYS软件关于UVC-LED器件结构仿真分析的基本操作流程。‍

第三讲：高效制备，设计先行—紫外探测器的仿真设计

本课程着重介绍APSYS软件设计紫外探测器（UVC-PD）器件结构仿真分析的基本操作流程。通过借助仿真分析，可深层次分析UVC-PD外延设计过程中物理机理以及相关参数对器件的击穿电压、光暗电流、响应度和开关特性等关键参数的影响。‍

第四讲：打好芯片制备第一枪-HEMT芯片的仿真设计

本课程将具体讲解APSYS软件关于HEMT器件结构仿真分析的基本操作流程。根据软件仿真计算，如何对HEMT器件内部微观现象进行展示与机制分析。通过对二维电场分布，电势分布，载流子浓度以及能带等重要参数的分析，揭示影响HEMT器件性能的因素及各参数对器件性能的影响规律，从而指导工艺生产，助力研究人员制备高性能电子器件。

具体课程视频如下，有木有心动，快快领取吧~

心动赶快领取，领取方式在下方

课

程

领

取

公众号回复：

0417

  你“在看”我吗