比师兄管用！我竟自学学会了吸附位点的选择和吸附结构优化！
今天我们从CO在Au(111)面上的吸附来说明吸附位点的选择和吸附结构的相关优化
首先我们构建出Au(111)面的结构模型，如下图：
对于Au这种面心立方金属的(111)表面，一般认为存在4种吸附位点：
[1] Top位，就是Au(111)表面原子的上方[2] Bridge位，两个Top原子的中间，可以理解为在两个Au原子间搭了一座桥。
[3] hollow位，即在三个原子的中心，又可以分为 Fcc位和Hcp位。
”
具体细化一下就是：Fcc（face centered cubic）指的是表面的Hollow位正下方（即第二层）没有原子，而第三层有原子，则这个hollow为Fcc位。
相反，表面的Hollow位正下方（即第二层）有原子，为Hcp位（hexagonal close-packed）。
上述这些吸附位点，在下面这篇文献中做了更加深入和全面的分析，下面的的这张示例图可以作为参考示例，感兴趣的同学可以点击下方详情链接进行查看
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S003960281630239
相信到这里大家已经对具体的吸附位点划分有了详细的了解，现在给大家讲一下怎么来用VASP进行吸附结构优化，这里我们以CO吸附在Au(111)面的TOP位为例进行计算。
接下来可以准备POSCAR，把CO分子吸附在刚才的Au(111)面上，为了减小计算量小编在这里简单地把Au(111)的超胞缩小为2*2*1的了，并且固定了下面两层的Au原子，大家在实际计算中可以根据具体情况操作。
准备好POSCAR后，咱们再着手准备INCAR，KPOINTS和POTCAR
INCAR用到的参数如下：
KPOINTS如下：
POTCAR就不给大家展示了，生成POTCAR的方法还有很多，大家可以自行进行操作。
现在我们已经准备好所有的输入文件，然后选择提交任务就可以进行计算。
小编这里只是以TOP位点作为例子梳理了大概的计算流程，如果有感兴趣的小伙伴可以尝试计算一下CO在其他位点上的吸附结构。
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