安森美半导体推出NCP1361、4308、4371充电方案组合，专为QC3.0优化

智能手机发展到今天，强劲的处理器和更大的屏幕，使得手机电池的容量一再提升，更快的充电成为提升手机使用体验的一项重要指标。传统大电流充电，需要更粗的线缆来抵消掉线缆上的压降，也需要耐大电流的接口，来承载更大的充电电流。对用户来说还是不太方便的，那么有没有一种解决方案可以让充电速度加快，又不需要对用户体验造成太大影响呢？在这个环境背景下，高通快速充电应运而生了。

高通快速充电2.0是提供了更高的电压，相同的电流，使得充电器输出到手机上的功率加大，减少电池的充电时间。在2.0推出以后，为了减小手机端在电压转换过程中的发热，高通又推出了快速充电3.0，简称QC3.0，最主要是在QC2.0几个固定电压的标准上，进一步细化，可以以200mV档次来微调电压。使用QC3.0，手机与充电器之间可以“互相协商”，动态调节充电功率，从而使充电达到最优化的速度，发热降到最低。

安森美半导体致力于推动高能效创新，是全球电源方案的领袖，为配合新一代快速充电技术，公司推出符合新的高通QC 3.0的AC-DC适配器方案，支持更小尺寸的适配器，具有能效高、空载待机能耗低等优势，支持高通QC 3.0高压专用充电端口(HVDCP)A级和B级规格，和向下兼容旧的QC 2.0协议，并符合UL认证和欧盟能效标准(CoC V5 Tier-2)要求，提供领先业界的高能效。该方案集成NCP4371次级端充电控制器、NCP4308同步整流(SR)控制器和NCP1361/6初级端稳流准谐振(QR) PWM控制器。

安森美NCP4371 QC3.0识别芯片：

NCP4371支持QC3.0 A/B两种规格，内置恒压和恒功率输出两种模式、无需外加TL431等稳压器、同时具备内部或者外部放电降压功能，提供SO-8封装。

安森美NCP4308 同步整流控制器：

NCP4308提供8A灌电流和4A拉电流驱动能力，有效帮助使用高Qg，低Rds的MOSFET，可驱动GaN功率器件以提高同步整流效率、支持CCM/DCM/QR反激/LLC模式下应用。最高工作频率高达1MHz、工作电压高至35V、

超快关断触发、可调节的最小导通/关断时间、自适应门极驱动、精密的真正的零电流检测(ZCD)、低启动电流和低待机电流，提供SO-8和DFN-8封装。

安森美NCP1361 初级PWM控制器：

NCP1361内建软启动、逐周期过流保护、输出低压/过压保护、宽工作电压功能。提供SO-7和TSOP-6封装。

以上方案为我们在高效快速充电器上，提供了一个新的高效率的选择，也为其他电源方案选型带来了新的参考，在提高效率，降低损耗的道路上前进。

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