富满发布系列USB PD芯片，内置MOS外围仅需一电容一电阻

From: 充电头网编辑部充电头网 2019-10-29

近日，充电头网从供应链获悉，上市公司富满电子（300671）赶在iPhone新机上市之前的风口发布了一系列USB PD快充协议芯片。该芯片是业内首颗内置MOS的USB PD产品，外围更是极其简洁，仅需一颗电容一颗电阻。下面我们来看看这颗USB PD快充芯片还有哪些亮点。
今年3款iPhone名称分别为iPhone XS、iPhone（2018）、iPhone XS Plus，尺寸分别为5.8英寸、6.1英寸、6.5英寸。这三款新机都有望搭载USB PD快充，功率为18W。

支持多达8种主流快充协议
富满XPD518A/B 是一颗USB PD快充协议芯片，提供多达8种丰富的快充解决方案，支持 18W 输出功率，是专为手机充电设备量身定制的高性价比方案。其中XPD518A 广播 PDO 电压为 5V/9V；XPD518B广播PDO 电压为 5V/9V/12V。两者区别在于PDO广播电压档位不同，后者增加了对12V的支持。
这个系列快充芯片集成USB Type-C、USB Power Delivery（PD）3.0、QC3.0/2.0 CLASSA 快充协议、华为 FCP/SCP 快充协议、MTK PE+快充协议、三星 AFC 快充协议、BC1.2 DCP 以及苹果设备 2.4A 充电规范的多功能 USB 端口控制器，为 AC-DC 适配器、移动电源、车载充电器等设备提供完整的 USB Type-C 端口充电解决方案。

内置MOS外围电路简洁
富满XPD518A/B 采用 5.00mm × 4.40mm TSSOP-16 封装形式，集成 25mΩ VBUS 通路功率开关管，外围仅需一颗电容一颗电阻。
目前市面上MOS价格居高不下，外置MOS不但增加了BOM成本，还会造成协议芯片搭配过程中的兼容问题。富满将MOS与芯片芯片合封，迎合了目前单芯片简洁设计的需求。

多项安全保护措施
富满XPD518A/B 内建多种保护机制确保设备安全：包括动态过压/欠压/过流保护（可根据设备请求的工作电压/电流按照比例调整保护点）；芯片内部过温和 NTC 过温（NTC 过温会关闭快充）；启动监测（VBUS 输出前会监测端口电压是否处于安全状态）；DP/DM 和 CC1/CC2 过压保护。并且在这些错误发生时 FAULT 端口都会指示。
此外，富满XPD518A/B还具备良好的功耗管理策略，在无设备插入时自动进入休眠模式，此时待机功耗仅 20uA，设备插入后可以及时唤醒进入正常工作状态。
富满XPD518A/B有良好的 ESD 特性，HBM 模型超过 2kV。特别针对连接到端口的 PIN（DP/DM/CC1/CC2）做加强处理，HBM 模型 ESD 达到 8kV 以上。

应用领域
富满XPD518A/B 适用于USB PD快充电源配件领域的充电器、适配器、插线板、移动电源、车充等，18W功率输出，专为手机充电定制，极具性价比。
目前市面上AC-DC、DC-DC的芯片资源特别丰富，之前用于高通QC2.0/3.0搭配的电源芯片，也可以通过与富满XPD518A/B 搭配无缝升级支持USB PD快充。
对富满XPD518A/B感兴趣的小伙伴，可致电原厂索取芯片datasheet和样片，以及详细报价。

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