魅族65W氮化镓充电器内置9颗真茂佳MOS
近日，魅族发布了一款65W三口氮化镓快充充电器。据了解，这是目前手机品牌中首款基于国产氮化镓功率器件开发的GaN充电器，对国产氮化镓快充技术的发展起到了积极地推动作用。
此外，充电头网通过拆解还了解到，深圳真茂佳半导体有限公司也是魅族65W三口氮化镓充电器主力供应商，该产品内置了9颗真茂佳ZM062N03M MOS管。
魅族65W三口氮化镓充电器
充电头网通过拆解分析得知，魅族65W氮化镓快充充电器内部采用开关电源+DC-DC二次降压输出架构，开关电源部分采用英诺赛科InnoGaN开关管，二次降压部分设有三路独立输出，每一路输出均采用了三颗真茂佳MOS，一共9颗。
魅族65W三口氮化镓充电器的两路USB-C输出配置完全一致，每一路设有三颗真茂佳ZM062N03M，其中两颗用于配合南芯SC8002实现降压输出，另外一颗则作为VBUS开关管。
USB-A口同样采用了三颗真茂佳ZM062N03M，两颗配合降压输出，另一颗用作VBUS开关管。
从产品规格书中可以看到，真茂佳ZM062N03M一款30V的NMOS管，具有极低的RDS(ON)，是负载开关和电池保护应用的理想选择。此前该型号MOS就已被优胜仕18W 1A1C USB PD快充充电器采用。
此外真茂佳MOS还协助万魔65W 2C1A氮化镓快充充电器、Lapo 65W氮化镓快充充电器、京造65W氮化镓充电器、联想YOGA 65W USB PD快充充电器、ROxANNE 66W氮化镓USB PD双口快充充电等产品的开发，并获得良好的客户反馈；本次获得魅族氮化镓快充供应链的认可并成为其主力供应商，也进一步佐证了真茂佳MOS优良性能。
关于真茂佳
深圳真茂佳半导体有限公司是一家以技术、市场为导向技术领先的功率半导体国家高新技术企业。创始团队具有20年以上的半导体制造管理、市场开发经验，核心研发人员均拥有至少15年以上功率半导体器件的设计经验；其中海外设计人员长期从事汽车级MOSFET产品的设计开发，也是国际上少数最早参与车用Trench MOSFET和Double gate MOSFET的设计人员之一。
公司基于汽车功率半导体器件平台技术打造高可靠性产品，目前主要产品有沟槽MOSFET（20-200V）、SGT MOSFET（30-150V）、超级结MOSFET（600-900V）、集成快恢复二极管MOSFET（500-600V）。
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