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亚成微携ZVS反激GaN驱动方案参加2020(秋季)USB PD&Type-C亚洲展

充电头网编辑部 充电头网 2021-07-22


陕西亚成微电子股份有限公司将于8月21日参加2020(秋季)USB PD&Type-C亚洲展,展位设在D01。想要了解该司相关产品信息的观众可前往展台进一步交流。



公司介绍:


陕西亚成微电子股份有限公司是一家专注高速功率集成技术的高端模拟IC设计公司,拥有10年以上的模拟电路设计公司运营经验。公司具有国际领先技术水平设计团队,所研产品涵盖 5G 通讯设备和功率电子两大领域,主要为5G通讯设备用包络追踪芯片ET-PA、AC-DC电源管理芯片、LED驱动芯片等,产品可被广泛应用于通讯设备、无人机、消费类电子、工业控制、汽车电子以及各类新型智能终端领域。


亚成微电子,始终坚持高端模拟IC设计发展路线,致力于成为中国“高速率功率半导体集成技术”的引领者。


产品介绍:

一、RM6801SN(GaN ZVS驱动器)+INN650D02(E-Mode GaN FET)

 


性能介绍:RM6801SN采用ZVS(零电压开通)反激架构,专有的E-Mode GaN FET驱动设计,可直接驱动E-Mode GaN功率器件,省去外置驱动器或分立驱动器件。RM6801SN内置高压启动及AC输入Brown in/out(可设定电压)功能,同时集成了X-cap主动放电功能,支持130KHz工作频率,全面提升产品性能,实现系统小型化、高效率及超低待机的功耗。



二、RM6801S+COOLMOS(ZVS反激架构

 


性能介绍:RM6801S通过DCM与CCM模式的判定,并采用精准的过零检测,同时加入Vbus高低压及VCC补偿,ZVS驱动在每个谐振波峰插入,确保能量损耗最小,同时控制了ZVS深度一致,从而实现完美的ZVS效果。RM6801S针对COOLMOS采用了专有的分段驱动设计,完美解决了驱动速度与COOLMOS开关速度的平衡,在匹配COOLMOS高频工作的同时,仍表现出优良的EMI特性。

 

三、RM6601S+COOLMOS(大功率QR反激)



性能介绍:RM6601S支持QR+CCM混合模式反激架构,专有的分段驱动设计及抖频控制技术,易于匹配COOLMOS改善EMI特性,内置高压启动及AC输入Brown in/out(可设定电压)功能,同时集成了X-cap主动放电功能,支持130KHz工作频率,实现系统小型化、高效率及超低待机的功耗,提升产品竞争力。


关于展会


2020(秋季) USB PD&Type-C亚洲展是充电头网发起的一项推广快充产业的活动,目前已经连续举办第10届。


我们一直活跃在产业链上下游,不遗余力的推动USB PD快充在中国市场的应用,也见证了USB PD快充产业的蓬勃发展。


这是2020年第一场大规模USB PD&Type-C行业展会,汇聚近百家产业链优质供应商、服务商,以及上千家采购商。


本次展会拥有最新USB PD快充应用案例现场展示,覆盖充电器、充电宝、车充、充电线等上百款热门爆款方案。


温馨提示

充电头网

2020(秋季) USB PD&Type-C亚洲展

将在8月21日于中国-深圳举办  

老朋友一个不少,新朋友纷至沓来!
👇报名参加请戳下图小程序码👇


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