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恒泰柯参加2020(秋季)USB PD&Type-C亚洲展,展位号B11

充电头网编辑部 充电头网 2021-07-22


Hunteck 恒泰柯将在8月21日参加2020 (秋季) USB PD&Type-C亚洲展,展位设在B11,需要了解恒泰柯功率器件的观众可以在展会当天前往B11展台进一步了解,现场备有样品可供带回测试。



恒泰柯半导体有限公司专注于功率半导体MOSFET(金属氧化物半导体场效晶体管) 开发设计及生产制造,采用功率技术的最前沿的SGT 技术,并且坚持不间断的研发改进产品,超越现有规格限制、发展最新制程。 以创造最低导通阻抗、最小开关损耗、最小封装尺寸、最高效率为使命。


公司创立于2014年,总部与研发中心设在上海、美国硅谷设立研发团队,核心开发成员有三位华裔工程博士,都来自世界最顶尖半导体工厂,返国创业,厚植产品技术,深耕市场。

 


公司有250V~30V 各型SGT MOSFET完整产品线,150V~20V 各型常规沟槽P信道 N信道MOSFET 产品线与晶圆销售,恒泰柯不断追求更低的导通阻抗与最低的开关损耗,更高的CP值。除了既有的SGT MOSFET稳定量产以外,新一代的Super Junction/ IGBT/ SiC/ Gan MOSFET 产品也陆续的推出, 并进入量产状态, 恒泰柯也在岗位上持续努力, 全力累积技术、提高产品效率表现, 厚植产品的竞争力。



充电头主力同步整流应用产品:

小型化 N-Ch 45V~150V SGT MOSFET 产品线量产现况:

 


恒泰柯各型产品实际应用展示:

 


60V 7.5mOhm 通用方案:

HGS090N06SL 广泛运用在各大手机品牌标配充电器系统中, 有稳定的电压耐受度与产品一致性,标准SO-8封装,方便验证与生产,优化的规格配置已被市场广泛的接受。


80V 3mOhm高效率方案:

HGN036N08A 导通阻抗仅3mOhm,  并且拥有SGT制程的低切换损失特性,DFN5x6标准封装,适合电源PCB版SMT制造技术。


100V 3.7mOhm高效率方案:

HGN042N10A 有业界100V领域最低的导通阻抗, 搭配DFN5x6标准封装,SGT低切换损失,是要求高效率的应用最佳方案。


120V 6mOhm DFN5x6 Logic/Non-logic Level方案:

HGN070N12S 以及 HGN070N12SL SGT MOSFET, 两款产品分别支持 4.5V 启动, 以及10V启动,针对驱动IC驱动电压低的领域,推荐使用HGN070N12SL产品;针对需要避免线路干扰,以及传统沟槽MOS替换的应用领域,推荐使用HGN070N12S


150V 5.9mOhm 高压MOSFET方案:

HGN070N15SL 实现了高耐压,低阻抗的特性,针对店员转换应用,多种电压切换输出,本产品可以承受150V耐压,对输出变压器有限制的应用领域,尤其适合,效率与产品导通阻抗的表现尤其出色。


充电头开关应用产品,小型化P-Ch MOSFET产品线:

30V P-Ch 7.5mΩ/ 8.5mΩ/ 10mΩ/ 13mΩ/ 18mΩ/ 20mΩ

 

 


有关产品的相关讯息,欢迎您透过邮件与公司营销部门联络,boube.chen@hunteck.com, 或者透过微信号 boubechen链接, 讨论产品相关信息, 恒泰柯 营销处长 陈俊铭

 

关于展会


2020(秋季) USB PD&Type-C亚洲展是充电头网发起的一项推广快充产业的活动,目前已经连续举办第10届。


我们一直活跃在产业链上下游,不遗余力的推动USB PD快充在中国市场的应用,也见证了USB PD快充产业的蓬勃发展。


这是2020年第一场大规模USB PD&Type-C行业展会,汇聚近百家产业链优质供应商、服务商,以及上千家采购商。


本次展会拥有最新USB PD快充应用案例现场展示,覆盖充电器、充电宝、车充、充电线等上百款热门爆款方案。




温馨提示

充电头网

2020(秋季) USB PD&Type-C亚洲展

将在8月21日于中国-深圳举办  

老朋友一个不少,新朋友纷至沓来!
👇报名参加请戳下图小程序码👇


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