恒泰柯半导体提供从小功率到大功率最齐全的MOSFET解决方案

充电头主力同步整流应用产品:

小型化 N-Ch 45V~150V SGT MOSFET 产品线量产现况:

恒泰柯各型产品实际应用展示:

60V 7.5mOhm 通用方案:

HGS090N06SL 广泛运用在各大手机品牌标配充电器系统中, 有稳定的电压耐受度与产品一致性，标准SO-8封装，方便验证与生产，优化的规格配置已被市场广泛的接受。

80V 3mOhm高效率方案:

HGN036N08A 导通阻抗仅3mOhm,  并且拥有SGT制程的低切换损失特性，DFN5x6标准封装，适合电源PCB版SMT制造技术。

100V 3.7mOhm高效率方案:

HGN042N10A 有业界100V领域最低的导通阻抗, 搭配DFN5x6标准封装，SGT低切换损失，是要求高效率的应用最佳方案。

120V 6mOhm DFN5x6 Logic/Non-logic Level方案:

HGN070N12S 以及 HGN070N12SL SGT MOSFET, 两款产品分别支持 4.5V 启动, 以及10V启动，针对驱动IC驱动电压低的领域，推荐使用HGN070N12SL产品；针对需要避免线路干扰，以及传统沟槽MOS替换的应用领域，目前业界的GaN Charger广泛使用HGN070N12S.

120V 8mOhm DFN5x6 Logic/Non-logic Level方案:

HGN093N12S 以及 HGN093N12SL SGT MOSFET, 两款产品分别支持 4.5V及10V启动，并且在120V Ciss值优于目前竞争者，若考虑GaN或高速开关电源运用领域是不错的选择。

150V 5.9mOhm 高压MOSFET方案:

HGN070N15SL 实现了高耐压，低阻抗的特性，针对電源转换应用，多种电压切换输出，本产品可以承受150V耐压，对输出变压器有限制的应用领域，尤其适合，效率与产品导通阻抗的表现尤其出色。

150V 9.5mOhm 高压MOSFET方案:

HGN099N15SL实现高耐压及符合客户需求，并且已在韩国某大厂65W PD charger使用实测效率如下，实现了客户要求高效率级高耐压需求.

其他产品在大电流运用领域:

充电头开关应用产品，小型化P-Ch MOSFET产品线:

30V P-Ch 7.5mΩ/ 8.5mΩ/ 10mΩ/ 13mΩ/ 18mΩ/ 20mΩ

Hunteck Semiconductor恒泰柯半导体有限公司: 

本公司专注于功率半导体MOSFET(金属氧化物半导体场效晶体管) 开发设计及生产制造，采用功率技术的最前沿的SGT 技术，并且坚持不间断的研发改进产品，超越现有规格限制、发展最新制程。 以创造最低导通阻抗、最小开关损耗、最小封装尺寸、最高效率为使命。

创立于2014年，总部与研发中心设在上海、美国硅谷设立研发团队，核心开发成员有三位华裔工程博士，都来自世界最顶尖半导体工厂，返国创业，厚植产品技术，深耕市场。

恒泰柯有250V~30V 各型SGT MOSFET完整产品线，150V~20V 各型常规沟槽P信道 N信道MOSFET 产品线与晶圆销售，恒泰柯不断追求更低的导通阻抗与最低的开关损耗，更高的CP值。除了既有的SGT MOSFET稳定量产以外，新一代的Super Junction/ IGBT/ SiC/ Gan MOSFET 产品也陆续的推出, 并进入量产状态, 恒泰柯也在岗位上持续努力, 全力累积技术、提高产品效率表现, 厚植产品的竞争力。

Hunteck 恒泰柯 将在12月18日参加2020 （冬季） USB PD＆Type-C亚洲展，展位设在B11，需要了解恒泰柯功率器件的观众可以在展会当天前往B11展台进一步了解。

有关产品的相关讯息，也欢迎您透过邮件与公司营销部门联络，[e-mail], 或者透过微信号 boubechen联系, 讨论产品相关信息, 恒泰柯 营销处长 陈俊铭。

温馨提示

充电头网

2020（冬季） USB PD＆Type-C亚洲展

将在12月18日于中国-深圳举办  

老朋友一个不少，新朋友纷至沓来！

👇报名参加请戳下图小程序码👇

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