氮化镓快充里程碑，合封单芯片诞生，加速高功率密度电源普及
东科半导体近日推出了一款国内首颗合封GaN电源管理芯片，DKG045Q系列，这款芯片内部集成了650V/200mΩ导阻的GaN HEMT，逻辑控制器，GaN驱动器和高压启动管，采用反激方式，DFN5x6mm封装，输出功率45W，最高工作频率150KHz。首先来看东科的Demo吧。
东科这款Demo板是一款典型的PD适配器，其采用QR反激架构，最大输出功率45W，支持宽电压输入，输出常见的5-20V PD规格，尺寸仅为43.1*36.1*19.6mm，整机功率密度达1.12W/cm³。
Demo板使用合封GaN和合封同步整流，元件非常简洁。
与友商对比，东科这款Demo仅有64个元器件，简洁很多，大大降低成本，加快产品研发上市速度，把握更多商机。
图为东科半导体的DKG045Q单芯片GaN解决方案，与常规的DFN封装的MOS管同样大小，内部集成PWM控制器，GaN驱动器，GaN开关管等电路，大大节省开关电源元件数量，有助于提高开关电源功率密度。
东科DKG045Q内置650V/200mΩ导阻的GaN HEMT，内置驱动电路和控制电路，内置高压恒流启动电路，相比传统控制器+驱动器+GaN的电路，采用东科DKG045Q只需要一颗芯片即可完成原有三颗芯片才能完成的功能，电源系统设计更加简洁化。同时东科DKG045Q还具有多种操作模式，可以降低待机功耗，提高轻载效率，并且芯片还内置完善的保护功能，增加系统可靠性。
看到这里大家已经都觉得这个芯片很强大了吧，那么这颗GaN合封芯片为什么这么强大呢？下面为大家解读合封的厉害之处。
图为传统控制器+GaN功率管的示意图，从驱动器DRV驱动信号输出到GaN的GATE栅极，要经过三段导线，分别是驱动器封装内部打线，PCB上驱动信号走线和GaN封装内部打线，信号回路也是同样的三段，回路的三段还容易受到初级电流信号干扰。
这些导线都具有寄生电感，在高频开关下，寄生电感会增加开关损耗，提高振铃幅度，使得调试难度增加，降低可靠性和开关速度，还会降低整机转换效率。而东科半导体推出的合封DKG045Q就大大解决了这个问题。
东科DKG045Q在封装内部集成GaN和控制器及驱动器，最大程度缩短导线长度，从分立两段打线+PCB走线优化成封装内部打线，大大减小了寄生电感对性能的影响。
东科DKG045Q合封GaN与传统控制器+GaN对比，封装内部打线还避免了初级开关电流对地线的干扰，使工作更加稳定。
通过示波器观察驱动信号，白色线是分离式驱动+GaN方案，由于寄生电感的存在，可以看到驱动信号的过冲和下冲都非常明显，而绿色线合封方案，驱动信号的上升下降波形都没有明显的异常。
东科半导体的合封方案，相比其他主流方案，具有成本低，元件数量少，易于调试的优势，其他主流方案均有成本高昂，外围复杂，调试难度高的劣势。
东科DKG045Q 三合一合封GaN芯片外围元件非常精简，DFN5x6封装有效提高适配器的功率密度，合封方案降低寄生参数影响的优势，进一步降低调试难度，降低成本，提高可靠性。
以上是合封优势相比主流方案的对比，最后总结，想要低成本高效率高功率密度，选东科就对了。
充电头网总结
传统的氮化镓快充方案包括控制器+驱动器+GaN功率器件等，电路设计复杂，成本较高。东科半导体通过合封氮化镓的方式，一颗芯片即可完成原有三颗芯片的功能，使电源芯片外围器件数量大幅降低，提升功率密度和效率的同时，还可节约成本。此外也有效降低了快充方案在高频下的寄生参数，电源工程师在应用过程中更加方便快捷，易于调试，可加速产品上市周期。
据了解，东科半导体目前拥有12条封装生产线，满产后芯片月产量可达到1亿片。同时形成了多项专利壁垒、电源类自供电技术壁垒、多芯片合封技术壁垒的自我保护机制，建成了集研发、设计、封测、销售为一体的综合科技创新体系，旗下所有产品都拥有完整的自主知识产权。
得益于自有封装生产线，东科半导体可以根据实际应用需求对芯片进行个性化的封装，这也是东科发布国内首颗合封氮化镓芯片的重要前提。同时充电头网还了解到，东科半导体首创板不改概念，基于自有封装线生产的高集成同步整流芯片让数亿台充电器无缝升级DOE6级能效，深受工程师喜爱，并成功导入倍思、邦克仕、京东京造、优胜仕、万魔知名品牌快充供应链。
东科半导体通过原创技术创新，让充电器变得更加高效，为地球节能减排，具有深远意义。
东科半导体将在12月18日参加充电头网2020（冬季）USB PD＆Type-C亚洲展，展位号A03，如果对合封氮化镓芯片感兴趣，可在展会当天莅临展台洽谈。
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将在12月18日于中国-深圳举办
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