TI发布汽车级和工业级两款GaN功率器件
2020年11月10日德州仪器(TI)推出了面向汽车和工业应用的下一代650V和600V氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET),进一步丰富拓展了其高压电源管理产品线。与现有解决方案相比,新的GaN FET系列采用快速切换的2.2 MHz集成栅极驱动器,可帮助工程师提供两倍的功率密度和高达99%的效率,并将电源磁性器件的尺寸减少59%。TI利用其独有的GaN材料和在硅(Si)基氮化镓衬底上的加工能力开发了新型FET,与碳化硅(SiC)等同类衬底材料相比,更具成本和供应链优势。
一、TI 下一代集成GaN FET 优势介绍
随着如今半导体器件的高密度化,带来了对于电源功率密度、低EMI、低待机功耗、低输出噪声,高输出精度、可靠性和安全性的追求。
TI的GaN FET可以满足更多要求,创新的半导体技术在成本、可靠性、功率密度和性能方面都有优势,在汽车和工业应用中可实现两倍的功率密度和更高效率。有助于研发生产更小体积,更高效率,更有竞争力的开关电源及工业产品。
TI从2010年开始研发GaN,不断优化至今已有10个年头,通过了诸多可靠性测试,并且在高压大功率产品中均有应用。本次发布会推出的是全集成车规级GaN FET。
德州仪器(TI)高压电源应用产品业务部 氮化镓(GaN)功率器件产品线经理Steve Tom 介绍说:TI GaN是有专门的可靠性实验室,会针对硬开和软开的情况都会进行非常多的可靠性测试。在硬开的时候可以将功率等级在4000瓦以上,会进行一周7×24小时的测试,并且在测试的同时进行数据采集,来判断以及分析GaN的可靠性。
同样,在浪涌方面也进行了很多测试。我们的设备可以承受高于720伏的浪涌,可以在过压的时候也非常顺利的进行开关。我们通过可靠性测试,并且在诞生可靠性标准方面也进行了领导和带领作用。
TI本次发布了两款下一代GaN FET产品,分别为LMG3525R030-Q1 650V汽车级产品和LMG3425R030 600V工业级产品。两款产品均集成内置驱动器和内置保护功能,新设计的QFN12x12封装和专业的可靠性测试。将驱动器和GaN集成在一个封装内部,有助于更大程度的减少栅极环路寄生效应,以减少栅极振铃对效率及可靠性的影响,还可提高压摆率与开关频率。同时,驱动芯片与GaN FET封装在一个散热焊盘上,驱动芯片可检测到GaN FET的温度,并可在过热时关闭GaN FET来保护器件。
LMG3525R030-Q1 650V汽车级GaN FET内置驱动器和保护功能,可以缩小电动汽车上的充电器体积,并且减少充电时间并延长续航距离。
LMG3525R030-Q1内部集成的驱动器可以大大减少GaN FET外部元件数量,且2.2MHz高工作频率可减小变压器感量,相比传统硅基元件,元件数量的减少和变压器体积缩小,体现到车载充电器上的尺寸可减小50%,有效降低充电设备体积和散热要求。
LMG3425R030 600V工业级GaN FET同样内置驱动器和保护功能,相比传统硅或碳化硅元件功率密度加倍,且外围元件更加精简,最高可达到99%的转换效率。
LMG3425R030是一款高功率密度的GaN FET,针对高密度工业应用,可提高功率密度。内置的输出温度PWM输出,便于监控电源模块温度,动态调节散热,做到噪声与功耗的平衡。
TI本次发布的两款GaN FET均有半桥评估板提供,可在不同应用中运行。
问到TI的GaN FET对于市场上同类GaN开关器件的优势,Steve Tom表示:“之前GaN对于市场同类产品的优势,除了之前提到的关于成本、供应链、可靠性之外,最大的优势来自于集成,因为集成可以让芯片变得非常智能,可以通过现在FET所处的环境、电流和温度进行相应的措施,这不仅可以让可靠性更提高一个等级,并且可以使得电源设计者省去很多设计所需要的步骤。所以,我们的产品与市场同类产品相比最大的优势是集成了驱动和保护,使得我们是一个更智能的产品,而不仅仅是一个GaN FET。”
二、全新QFN12x12封装优势介绍
TI 此次推出的LMG3425R030采用了全新的QFN封装,相比早前的8×8封装,散热焊盘面积由23mm²提升到79mm²,其具有同类产品中最高的散热焊盘面积占比,能够有效降低高负载下的温升,承载更高功率。
QFN12x12封装体积及与QFN8x8封装面积对比。
通过TI应用手册(SNOAA061)中关于常见表面贴装元件中热阻测试数据,在同样的散热条件下,最明显的是增大的封装面积,有着最低的封装热阻,全新的QFN12x12封装有助于降低产品体积和重量。
目前TI.com.cn上已提供四种新型工业级600V GaN FET的预生产版本,采用12mm x 12mm方形扁平无引脚(QFN)封装。TI预计工业级器件LMG3425R030将于2021年第一季度实现批量生产。评估模块可于TI.com.cn购买。TI.com.cn上提供多种付款方式,以及快速、可靠的运输选项。
关于德州仪器(TI)
德州仪器(TI)(纳斯达克股票代码:TXN)是一家全球化的半导体公司,致力于设计、制造、测试和销售模拟和嵌入式处理芯片,用于工业、汽车、个人电子产品、通信设备和企业系统等市场。TI致力于通过半导体技术让电子产品更经济实用,创造一个更美好的世界。如今,每一代创新都建立在上一代创新的基础之上,使我们的技术变得更小巧、更快速、更可靠、更实惠,从而实现半导体在电子产品领域的广泛应用,这就是工程的进步。这正是TI数十年来乃至现在一直在做的事。
温馨提示
充电头网
将在12月18日于中国-深圳举办
「技术专题」
USB PD、QC、VOOC、DFH、Qi、GaN、POWER-Z
「拆解汇总」
1000篇拆解、无线充拆解、充电器拆解、移动电源拆解、车充拆解、充电盒拆解、氮化镓快充拆解、100W充电器拆解、100W充电宝拆解、手机快充拆解、18W PD快充拆解、20W PD快充拆解、大功率无线充拆解
「优质资源」
充电器工厂、氮化镓快充工厂、快充芯片、电源芯片、升降压芯片(充电宝)、升降压芯片(车充)、多口快充芯片、充电宝协议芯片、无线充芯片、充电盒芯片(有线)、充电盒芯片(无线)、户外电源、氮化镓快充、20W PD快充、30W PD快充
「原厂资源」
英集芯、智融、南芯、东科、芯茂微、茂睿芯、硅动力、环球、美思迪赛、富满-云矽、亚成微、英诺赛科、纳微、威兆、诺威、MDD、永铭、云星、科尼盛、特锐祥、美芯晟、伏达、贝兰德、微源
「快充工厂」
「品牌专区」
苹果、华为、小米、OPPO、vivo、荣耀、三星、mophie、ANKER、紫米、倍思、绿联、CHOETECH、ZENDURE
「展会报道」
USB PD亚洲展、无线充亚洲展、果粉嘉年华、香港展、AirFuel无线充电大会、CES展会
商务合作联系:info@chongdiantou.com