查看原文
其他

真茂佳推出数十款MOS,20W-120W快充产品都可用

充电头网编辑部 充电头网 2023-01-20


深圳真茂佳半导体有限公司是一家以技术、市场为导向技术领先的功率半导体国家高新技术企业。


公司设计团队来自国内外顶尖功率半导体IDM企业的核心设计人员,并拥有至少15年以上设计经验;其中海外设计人员长期从事汽车级MOSFET产品的设计开发,也是少数最早参与车用Trench MOSFET和Double gate MOSFET的设计人员之一。




公司中低压MOS涵盖N型和P型,反压覆盖-12V至200V,导通电阻低至1mΩ以下。针对电源领域尤其是PD电源和快充领域公司主推SpeedFET系列产品,该系列产品击穿电压30V-150V、导通0.65-15mΩ、驱动电压均支持4.5V。该系列产品有比肩世界一流产品的优值(Qg*Rdson、Qgd*Rdson)和比导通电阻(Rdson*Area)。


公司针对PD电源和快充领域主推650-700V高压MOS,器件使用业内领先的超结技术,同样实现了业内领先的优值(Qg*Rdson)和比导通电阻(Rdson*Area)。为了提升器件可靠性,器件集成了ESD保护功能,有效减少了外部干扰对器件的损害,提升了器件装配和使用过程中的可靠性。同时器件集成可调Rg电阻能够有效控制器件的开关速度,解决了超结器件使用过程中经常遇到的EMI问题。通过优化漂移区N和P柱的掺杂分布实现了高EAS特性,有效提升了器件的抗冲击能力。




核心竞争力介绍: 

  • 通过栅极自钳位专利技术,使得器件使用过程中产生的VGS尖峰电压实现了行业最低水平。通过屏蔽栅阻尼网络专利技术可以使器件使用过程的Vds尖峰控制在较低水平。

  • 通过优化器件的纵向掺杂分布使器件的电容曲线平滑,有效提升了EMI能力。针对同步整流应用,优化了寄生二极管的反向恢复特性。

  • 通过提高二极管的软恢复因子,可以有效抑制尖峰提升EMI能力。

联系方式:

电话:0755-21006030

E-Mail:Contact@zmjsemi.com


真茂佳将在12月18日参加充电头网2020(冬季)USB PD&Type-C亚洲展,展位号A08,感兴趣的小伙伴可前往展台进一步交流。



温馨提示

充电头网

2020(冬季) USB PD&Type-C亚洲展

将在12月18日于中国-深圳举办  

老朋友一个不少,新朋友纷至沓来!
👇报名参加请戳下图小程序码👇


以下热门话题可以点击蓝字了解,也可以在充电头网微信后台回复如下关键词获取专题


「技术专题」

USB PDQCVOOCDFHQiGaNPOWER-Z


「拆解汇总」

1000篇拆解无线充拆解充电器拆解移动电源拆解车充拆解充电盒拆解、氮化镓快充拆解、100W充电器拆解100W充电宝拆解手机快充拆解18W PD快充拆解20W PD快充拆解大功率无线充拆解


「优质资源」

充电器工厂氮化镓快充工厂快充芯片电源芯片升降压芯片(充电宝)、升降压芯片(车充)多口快充芯片充电宝协议芯片无线充芯片充电盒芯片(有线)充电盒芯片(无线)户外电源氮化镓快充20W PD快充30W PD快充


「原厂资源」

英集芯智融南芯东科芯茂微茂睿芯硅动力环球美思迪赛富满-云矽、亚成微英诺赛科纳微威兆诺威MDD永铭云星科尼盛特锐祥美芯晟伏达贝兰德微源


「快充工厂」

新斯宝坤兴华科隆雅晶源、欧派奇


「品牌专区」

苹果华为小米OPPOvivo荣耀三星mophieANKER紫米倍思绿联CHOETECHZENDURE


「展会报道」

USB PD亚洲展无线充亚洲展果粉嘉年华香港展AirFuel无线充电大会CES展会


商务合作联系:info@chongdiantou.com


您可能也对以下帖子感兴趣

文章有问题?点此查看未经处理的缓存