氮矽科技推出4套国产GaN快充参考设计
2020(冬季)USB PD&Type-C亚洲展12月18日成功举办,数十家芯片原厂借此展会发布了USB PD&Type-C快充新品,最新的快充芯片、方案、成品,以及快充配套的元器件琳琅满目,现场十分火爆。
成都氮矽科技有限公司作为参展商出席本次展会,推出了4套基于国产GaN器件的快充参考设计,分别为65W迷你PD快充,65W 1A1C氮化镓快充、65W 2C1A氮化镓快充、120W 2C1A氮化镓快充,下面就来看看这四套方案有什么特色吧。
一、氮矽科技65W迷你PD快充
氮矽科技65W迷你PD快充采用南芯SC3021PWM控制器,该芯片支持直接驱动GaN开关管,无需另外增加GaN驱动器,可简化电路设计。初级开关管为氮矽DXE65H010D,全球最小的GaN器件,次级同步整流为南芯SC3503,协议芯片是南芯的SC2151A。
氮矽科技DXE65H010D160是增强型硅基氮化镓功率管,采用倒装和RDL重布线工艺,PDDFN封装尺寸只有4*4*0.5mm,导阻160mΩ,其热阻相当于TO252封装,封装大小仅为TO252的1/4,且寄生参数远低于TO252封装,并且采用全新的双面散热设计,提升散热性能。适用于高功率高频率的PD快充以及PFC,LLC等大功率,高频率应用。
氮矽65W迷你PD快充采用输入小板和输出小板垂直焊接的形式。
氮矽65W迷你PD快充使用了全球最小的氮矽DXE65H010D 氮化镓开关管。
氮矽DXE65H010D展示,封装非常小。
二、氮矽科技65W 2C1A氮化镓快充
氮矽科技 65W 1A1C氮化镓快充,初级采用南芯SC3022 PWM控制器,搭配氮矽DX1001氮化镓驱动器,驱动氮矽DXE65H015B氮化镓开关管,次级采用南芯SC3503同步整流。充电器采用恒定电压输出,二次降压的方式,输出采用智融SW3510+SW3516做双口输出,其中协议小板未焊接。
氮矽科技DXE65H015B120是增强型硅基氮化镓功率管,采用TO252封装,导阻120mΩ,适用于高功率高频率的PD快充以及PFC,LLC等大功率,高频率应用。
这款适配器采用的是未内置驱动的PWM控制器,加入了一颗氮矽科技的GaN驱动器DX1001,用于驱动GaN功率管,PCB板背面元件非常简洁。
氮矽科技DX1001是一款针对5V驱动而优化的单通道高速驱动器,采用独立拉灌,可针对不同器件配置,优化导通和关断时间。DX1001采用双输入设计,灵活实现同相和反相配置。引脚布局与GaN器件优化,方便布线。支持工业级宽温,适用于开关电源,AC-DC,DC-DC转换器,同步整流驱动,逆变器等场合应用。
三、氮矽科技65W 2C1A氮化镓快充
氮矽科技65W 2C1A氮化镓快充,初级采用安森美NCP1342 PWM控制器,并由氮矽DX1001氮化镓驱动器驱动氮矽DXE65H015B氮化镓开关管,次级采用MPS MP6908A做同步整流。充电器采用恒定电压输出,二次降压的方式,输出采用两颗智融SW3516实现2C1A三口输出。
适配器采用降压小板垂直焊接的方式,充分利用内部空间。采用智融SW3516内置协议的降压控制器,支持多口输出智能控制输出功率。
氮矽科技65W 2C1A氮化镓快充电路板背面元件非常简洁。
四、氮矽科技120W 2C1A氮化镓快充
氮矽科技120W 2C1A氮化镓快充采用PFC+LLC的架构,PFC采用安森美NCP1616控制器搭配氮矽DX1001驱动氮矽DXE65H015B氮化镓开关管升压,LLC采用安森美NCP13992控制器搭配两颗氮矽DX1001驱动两颗氮矽DXE65H015B氮化镓开关管进行LLC谐振,同步整流采用两颗安森美NCP4306控制器。定压输出,2C1A输出采用两颗智融SW3516做降压输出,尺寸为90*51*25mm。
氮矽科技120W 2C1A氮化镓快充采用控制芯片小板垂直焊接的结构,简化设计,输出降压小板未焊接。
得益于控制小板和输出小板垂直焊接,主板背面元件简洁,只有开关元件,简化生产工艺。
充电头网总结
氮矽一系列氮化镓器件的推出,为PD快充产品的开发带来了新的选择,其PDDFN4*4封装仅有DFN8*8封装的1/4大小,搭配内置GaN驱动的控制器可简化初级电路设计,倒装重布线工艺可提升散热性能,配合双面散热,进一步提高功率密度。同时,氮矽DX1001驱动器性能处于国际先进水平,也可搭配自家驱动芯片氮矽DX1001配合更多的控制器芯片使用,应用空间广泛。
「技术专题」
USB PD、QC、VOOC、DFH、Qi、GaN、POWER-Z
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「原厂资源」
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「快充工厂」
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