芯茂微推出氮化镓快充专用同步整流芯片
充电头网从供应链获悉，芯茂微近日推出了一款专用于氮化镓快充的高性能同步整流控制器LP35118V。并且为了展现该芯片的性能，芯茂微还基于LP35118V开发了一套65W 2C1A氮化镓快充充电器参考设计。
芯茂微LP35118V采用SOT23-6L封装，适用于隔离开关电源应用；支持正激和反激拓扑架构，支持DCM和CCM工作模式，并具有超快的关断速度，可以减小CCM工作模式下的开关损耗。同时，LP35118V还内置VCC供电技术，确保无需辅助供电，在不同输出下正常工作。
芯茂微LP35118V最高耐压可达200V，可使用逻辑电压驱动的NMOS，内置专有的整流桥导通技术，具有超快的关断速度以及可调节的同步整流管关闭阈值。LP35118V内置VCC欠压保护、过压钳位、驱动噪声抑制等功能、外围元件精简、适用于充电器和适配器的同步整流。
基于芯茂微LP35118V高性能同步整流芯片开发的65W氮化镓快充参考设计内部采用多款PCB板组合设计的方式，三个输出接口分别采用一块PCB板固定焊接，变压器居中放置并使用硅胶固定。
芯茂微65W氮化镓快充参考设计采用开关电源+二次降压输出方式，其中开关电源为高频QR架构，高压侧由安森美NCP1342控制器搭配镓未来GaN功率器件G1N65R240PB，次级侧由芯茂微LP35118V搭配新功率同步整流MOS组成；二次降压部分采用智融芯片实现降压和协议识别。参考设计多处使用注胶和导热垫设计，整体来看是一套几近量产的65W氮化镓快充方案。
GaN开关管来自珠海镓未来科技有限公司，型号G1N65R240PB。
G1N65R240PB采用PQFN8*8封装，耐压650V，导阻240mΩ，栅极支持±18V工作电压，简化驱动器设计，适用于高频紧凑的QR或ACF反激架构，适合半桥降压/升压，图腾柱PFC电路或逆变电路，适用于高频高效LLC或其他软开关拓扑。
使用ChargerLAB POWER-Z KT002对搭载了芯茂微LP35118V同步整流芯片的65W多口PD快充进行测试，显示支持Apple2.4A、Samsung5V/2A、QC3.0、QC2.0、DCP、AFC、FCP、SCP、MTK PE+2.0多种协议。
使用ChargerLAB POWER-Z KT002检测两个USB-C口输出协议，显示均支持Apple 2.4A、Samsung 5V2A和DCP协议，以及QC2.0/3.0、AFC、FCP、SCP、MTK PE+2.0、PD3.0多个快充协议。
除此之外，两个USB-C口的PDO报文显示均具备5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A五组固定电压档位，最大输出功率为65W。
使用这款充电器给Macbook Pro 16充电，测得电压20.1V，电流3.22A，功率为64.6W，成功进入USB PD快充模式。
为iPhone12 Pro充电，充电电压9.13V，电流2.53A，功率约为23.1W，成功进入USB PD快充模式。
充电头网总结
芯茂微LP35118V具有专利的同步整流控制技术、更强的驱动能力，及多种保护功能，适合于高频GaN快充产品开发，为快充电源企业在开发氮化镓产品时，提供多样化的选择。同时，在快充芯片严重缺货以及半导体国产化的时代大背景下，芯茂微LP35118V也将成为同类进口芯片的强力替代品。如需了解更多芯片信息，可以与芯茂微原厂及代理接洽。
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