英诺赛科推出多款低压GaN芯片
英诺赛科最近推出一系列低压GaN开关管，可用于快充适配器同步整流、DC-DC电压转换以及激光雷达等应用，把氮化镓高频低阻的优势带到低压电路中来，提升体验提高性能，提升产品竞争力。
英诺赛科本次推出三款增强型低压GaN开关管，均采用WLCSP晶圆级封装，最小封装尺寸达1.5mm*1mm，相比传统DFN5x6封装，大大节省占板面积。
其中，低压GaN开关管可与高压InnoGaN开关管组成All GaN解决方案。在快充适配器中，初次级均使用英诺赛科的GaN器件，可大幅提高适配器开关频率，减小磁性元件体积，同时降低低压侧同步整流控制器驱动功耗、降低温升、提高转换效率。
INN100W08是一颗增强型的GaN开关管，支持超高的开关频率，具有超小的封装尺寸。可应用于高效率、高功率密度功率转换，激光雷达和DC-DC转换器。在DC-DC转换器中，最高开关频率可超过10MHz，激光雷达应用中脉冲宽度可轻松达到1ns。INN100W08耐压100V，导阻36mΩ，连续电流4A，脉冲电流可达50A，能够适应-40℃到150℃工作环境。采用1.508*0.993mm WLCSP封装，较大节省占板面积。
INN100W12适用于同步整流、数字音频功放和高频率DC-DC转换器。INN100W12耐压100V，连续电流16A，导阻6mΩ，可在-40℃到150℃下工作。采用2.5*1.5mm WLCSP封装，拥有超低的寄生电容、零反向恢复、超小的封装体积，应用在同步整流及DC-DC电源中，可使开关频率轻松达到MHz，提供超高的功率密度。
INN100W14是一颗共源极GaN开关管，其内置两个对称的开关管，可用于多通道激光雷达应用。IN100W14耐压100V，导阻19mΩ，连续电流7A，脉冲电流可达90A。可在-40℃到150℃下工作，采用1.58*3.58mm WLCSP封装，优化设计的引脚布局方便走线。
充电头网总结
英诺赛科科技有限公司成立于2015年12月，国家级高新技术企业，致力于研发和生产8英寸硅基氮化镓功率器件与射频器件；英诺赛科是全球最大的氮化镓功率器件IDM 企业之一， 拥有氮化镓领域经验最丰富的团队、先进的8英寸机台设备、加上系统的研发品控分析能力，造就英诺赛科氮化镓产品一流品质和性能的市场竞争优势。
氮化镓在低压领域，同样具有优秀的高频性能和转换效率，可取代传统硅MOSFET，在广泛应用的DC-DC转换器和电机驱动等场合发挥优势，提升系统效率，降低功耗。英诺赛科是世界上唯一一家能够同时量产低压和高压硅基氮化镓的企业，可实现全产业链氮化镓对传统硅MOSFET覆盖。
英诺赛科将于2021年3月26日参加充电头网2021（春季）USB PD & Type-C 亚洲展，展位设在B03-B04，欢迎广大快充行业人士莅临展位交流。
温馨提示
充电头网
将在3月26日于中国-深圳举办
「技术专题」
USB PD、QC、VOOC、DFH、Qi、GaN、POWER-Z
「拆解汇总」
1500篇拆解、无线充拆解、PD充电器拆解、移动电源拆解、PD车充拆解、充电盒拆解、氮化镓快充拆解、100W充电器拆解、100W充电宝拆解、手机快充拆解、18W PD快充拆解、20W PD快充拆解、大功率无线充拆解
「优质资源」
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「原厂资源」
英集芯、智融、南芯、东科、芯茂微、茂睿芯、硅动力、环球、美思迪赛、富满-云矽、亚成微、诚芯微、必易、英诺赛科、纳微、威兆、诺威、MDD、永铭、云星、科尼盛、特锐祥、美芯晟、伏达、贝兰德、微源
「快充工厂」
「品牌专区」
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「展会报道」
USB PD亚洲展、无线充亚洲展、果粉嘉年华、香港展、AirFuel无线充电大会、CES展会
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