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ARK方舟微发布快充PWM芯片宽供电专用器件:小体积、高性能、低成本

充电头网编辑部 充电头网 2022-04-30


ARK(成都方舟微电子有限公司)作为国内领先的模拟功率器件设计公司,国内设计生产耗尽型MOSFET的企业,2013年开始一直向华为、三星、LG、小米等各大品牌手机充电器提供具有特殊功能的MOSFET。


公司自主研发的专利产品60V-100V系列及600V系列耗尽型MOSFET受到市场广泛欢迎,销量已达数亿只。目前,已被PI、IWATT、ON、昂宝、硅动力、康源、立琦等多家主IC方案商普遍选用。



该两系列产品主要针对QC2.0/3.0/4.0快充系统,USB Type-C PD电源系统的应用,专为宽电压输出的PD和QC充电器的PWM IC提供稳定电源。可靠性高,成本低、体积小、为用户轻松构筑快充安全应用的坚固防线。该系列主要包括以下六款型号的产品:DMZ0615E/DMX0615E;DMZ0622E/DMX0622E;DMZ1015E/DMX1015E。


采用QC和Type-C PD充电协议的快速充电器具有宽电压、大电流输出,可以实现手机电池的快速充电。Type-C PD快速充电器可提供3.3V~20V的充电电压以及最高5A的充电电流,输出功率可达100W。


采用06系列和10系列的超高阈值电压耗尽型MOSFET可替代齐纳二极管等最多5颗器件进行钳位保护的传统方案,不仅简化了方案,减少PCB 占用空间和面积,也节约了BOM 成本。


图1.采用传统的三极管电压调节器Type-C PD充电器原理


图2.采用DMZ0615E/DMZ1015E为Type-C PD充电器PWM IC供电


06系列超高阈值电压耗尽型MOSFET 为:漏源击穿电压为 70V 的DMZ0615E/DMX0615E,其中 DMZ0615E 采用紧凑的 SOT-23 封 装;DMX0615E 采用 SOT-89 封装,具有更大的耗散功率。DMZ0622E 和 DMX0622E,分别采用 SOT-23 和 SOT-89 封装,具有更高的阈值电压。


10系列超高阈值电压耗尽型MOSFET为:漏源击穿电压为 100V 的 DMZ1015E/DMX1015E。DMX1015E采用 SOT-89 封装且阈值电压最高达 27V,更适合大功率的充电器应用。


ARK独特的耗尽型MOSFET在充电头中除PWM IC供电系列外,还有更多产品线。


15系列高阈值电压耗尽型MOSFET:适用于同步整流IC供电并进行钳位保护的15系列,DMZ1521E其漏源击穿电压为150V,阈值电压为-5V~-7V,DMZ1521E采用SOT-23封装。


DMZ6005高压耗尽型MOSFET长期应用在SMPS 启动电路中:在PWMIC启动阶段,通过DMZ6005E给PWM IC供电,进入稳态工作状态后,DMZ6005E关断,从而降低系统功耗。


采用耗尽型 MOSFET DMZ6005实现的 SMPS 启动电路,具有如下优点:


1、极宽的输入电压范围;

2、启动完成后,启动电路切断,功耗可忽略不计,提高了系统效率;

3、器件发热低,PCB 布局紧凑,提高了系统可靠性。采用DMZ6005启动方案,可以克服传统启动电路中系统效率低,输入电压范围窄,PCB 板承受较高热量,体积大等缺点。



关于方舟微


ARK(成都方舟微电子有限公司)是国家高新技术企业、国家集成电路设计企业,所有产品均为完全自主研发,相关技术已获得发明专利等证书。产品以高稳定性、高可靠性、低成本特点得到国内外客户的普遍认可。


ARK将携为快充定制研发的多款系列产品,以及高效的电源电路保护解决方案参加2021(春季)USB PD&Type-C 亚洲展展会。


欢迎同行大咖届时莅临F07展位,共商新一代充电器发展规划与技术策略。



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