纳微半导体NV6128大功率氮化镓芯片问世，承载功率增加66%！
氮化镓作为第三代半导体，在快充适配器上得到了广泛应用。在适配器上使用氮化镓，可提高开关频率，减小磁性元件体积，同时还可提高效率，提高适配器的功率密度。
一、氮化镓器件内部集成驱动器的好处
纳微通过将驱动器等其他逻辑元件与氮化镓开关管生长在一个衬底上，相比外置驱动器和独立的氮化镓器件，在高频运行时，可以有效的减少寄生参数，降低振铃，提高效率和可靠性。并且内部集成驱动器，还可提高开关频率。
内置驱动器的氮化镓功率芯片有助于搭配更多开关电源初级解决方案，无需外置驱动器，更简化外围元件。
二、纳微推出新一代氮化镓功率芯片NV6128
充电头网获悉，纳微半导体推出了新一代氮化镓功率芯片NV6128，其采用QFN6*8mm封装，在使用电流检测电阻时仍能得到增强的散热。NV6128内部整合集成栅极驱动器，支持10-30V供电，且导通压摆率可编程。
具有开尔文源极，有效降低寄生参数对高频开关的影响。NV6128导阻为70mΩ，在纳微的氮化镓功率芯片中最低。芯片额定工作电压为650V，峰值耐压800V，在系统中的可靠性更高，支持2MHz高开关频率。
纳微NV6128是GaNFast功率芯片的散热增强版本，为高频率和软开关拓扑优化。集成GaN FET，驱动器和逻辑保护器件，实现数字输入，功率输出的高性能功率模块，可以设计出更快更小更高速的电源。
纳微NV6128具有高速集成驱动器和工业标准的低寄生参数的超薄封装，允许设计师开发出简单快速而且可靠的解决方案，具有突破性的功率密度和效率。纳微的GaNFast功率芯片拓展了传统拓扑的使用范围，例如反激，半桥，准谐振等，MHz级工作频率可实现开创性的设计。
纳微NV6128可用于AC-DC开关电源，直流电压转换和逆变器应用，支持降压，升压，半桥和全桥拓扑，支持ACF拓扑，LLC准谐振及D类功放，支持准谐振反激拓扑。NV6128可用于快充适配器，笔记本适配器，LED照明，太阳能逆变器，电视机，无线充电，服务器，电信通讯及网络服务器的开关电源。
三、充电头网总结
纳微是首家在氮化镓衬底上制造开关管和驱动器的半导体公司，现在又将保护电路也加入氮化镓器件中，通过整合开关管和逻辑电路，可得到更低的寄生参数，更短的响应时间。
这些优势体现到器件上就是更稳定的开关，更迅速的保护，保证了产品的可靠性。纳微NV6128在采用散热增强焊盘的同时降低器件导阻，可用于更大功率的应用中，简单易用，助力氮化镓普及。
纳微半导体首席执行官兼联合创始人Gene Sheridan表示：“ 纳微GaNFast氮化镓功率芯片已被联想，戴尔，OPPO，小米等一线品牌客户广泛采用，应用于高达200W的快充充电器设计中，出货量超过1300万，成功实现零故障。”
“借助更高功率的NV6128，我们可将有效功率范围扩展到500W，应用于今后的消费类电子市场，此外还可以应用于数千瓦级别的数据中心，电动交通工具和新能源设备。”
通过充电头网对于充电器行业的了解，目前，纳微的氮化镓器件已经广泛被小米、联想、DELL、OPPO、LG等一线国际品牌使用，纳微氮化镓的品质得到了以上品牌的认可。纳微最新推出的NV6128拓展了氮化镓器件功率，将来的应用必将更加广泛。
纳微半导体首席技术官，首席运营官兼联合创始人Dan Kinzer表示：“这可以说是天壤之别，与当前一线OEM采用旧的慢速硅器件及传统二极管整流加boost PFC拓扑设计的低频（50-70kHz工作频率）笔记本充电器相比，纳微GaNFast NV6128使高频totem pole拓扑的应用成为可能，300W的设计方案功率密度可达1.1W/cc以上，搭配现有的200kHz控制方案，体积和重量均可缩小三倍。当我们将开关速度提高到MHz +时，功率密度又将出现另一大幅提升。”
对于从事电力电子设计的工程师而言，NV6128和所有GaNFast氮化镓功率芯片系列都为200-500W应用提供了更易于使用，且高速高效的解决方案，如电脑一体机，电视，游戏机，电动滑板车，电动自行车等电动交通工具的充电器，游戏笔记本电脑等其他设备的充电器等。
NV6128现已大批量生产，可立即从Navitas经销合作伙伴处订购。设计相关材料，包括详细的规格书，电气模型(SPICE)和机械模型(.stp)，欢迎您到纳微半导体官网下载。
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