杰华特联合英诺赛科推出120W氮化镓快充方案，打造大功率高端标配
当前，高功率快充标配在市场上受到不少关注，不久前努比亚为其新品红魔游戏手机标配的正是120W快充方案（内置InnoGaN INN650D02）。近日杰华特与英诺赛科联合推出升级版120W快充方案，基于杰华特ACF控制器JW1550和英诺赛科产品INN650D01+INN650D02A，在高功率快充方案上全面升级，打造120W快充高端标配。
一、高频设计，实现体积小型化
采用杰华特ACF控制器，能实现全电压范围的软开关，使得系统工作频率高达300-500KHz，同时匹配第三代半导体GaN高频高效的特性，此款120W方案的磁性元件、电容器体积大幅减小，功率密度达2.3W/cm³，同时结合超低热阻的DFN封装进行巧妙设计，体积与市面上65W 氮化镓快充大小相当，全面实现小型化。
二、PFC+ ACF 两级效率高达94.3%，温升更低
从上图得知，此款120W快充方案在90V~264V全电压下，平均效率达92%以上，最高效率为94.3%，高频高效率也实现了更低的温升，让大功率充电发热问题不复存在。
三、EMC技术新突破
此款120W快充方案在EMC技术上实现了全新突破, 解决了高频ACF架构方案EMC 设计难点，EMI噪声裕量达到6db以上，并且大大优化了EMC滤波电路器件体积，降低成本。
关于杰华特JW1550和JW7726B
JW1550是专用于ACF（有源钳位反激电路）的控制器，采用自主研发的新型自适应ZVS控制技术，可以实现主功率管的ZVS开通，同时回收漏感能量，实现不同输入输出下的效率最优，和业界的传统QR方案相比，ACF控制方式下的65W-200W适配器效率能提升至1.5%；且主功率管管电压应力小；加入抖频功能，可以有效改善系统的EMI性能。
同时支持X-cap放电，内置Boost电路，供电适合宽范围输出应用，外围电路简单。和业界量产中的ACF方案对比，外围电路能省15颗器件左右，在缩小设备体积和环保方面优势明显。多模式控制策略可以进一步提高系统的全范围效率，在宽范围输出场合也能满足能效标准。
副边搭配JW7726B高频同步整流控制器，支持CCM、DCM、QR和ACF模式，在振铃期间能有效防止同步整流MOSFET的误开通；具有快速关断能力以便能兼容CCM；在启动过程中（VCC建立之前）能有效防止门极gate被耦合至开启电压。目前JW7726系列产品累计发货量已接近千万颗。
杰华特与英诺赛科已经合作推出了多款GaN快充方案，此次120W方案是基于红魔游戏手机标配120W快充方案的又一次升级，更大程度上实现效率高、体积小、温升低的优势，是大功率设备标配首选！氮化镓市场空间巨大，杰华特与英诺赛科会携手打造更多具有竞争力的解决方案。
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