熙素微PD快充专用氮化镓功率器件问世：导阻122mΩ
近日，熙素微电子推出了TSGaN065S015Q 氮化镓高压FET，为快充电源厂商产品方案提供全新的选择。氮化镓材料具备高速度的电子迁移率的特性创新的功率器件具备高功率密度、高速开关、耐高温、高频、体积小，这些特性在熙素微电子氮化镓器件中都得到充分发挥；尤其TSGaN065S015Q 氮化镓FET在高频率下使用得到更高适配器功率密度，满足大功率适配器的小体积要求。
熙素微电子TSGaN065S015Q 氮化镓高压FET开发的65W快充，支持90-240V全球电压范围，整机方案参考设计采用QR架构，初级采用安森美的NCP1342主控芯片搭载熙素微电子TSGaN065S015Q 氮化镓高压FET，次级侧采用同步整流芯片DIODES的APR348+同步整流MOS （DIODES的DMT10H010LPS），DEMO开关频率高达110kHz。
整机输出则采用协议小板单USB-C口设计，使得体积、效率、功率密度均有大幅提升。符合USB PD3.0快充标准，具备5V/3A、9V/3A、12V/3A、15V/3A、20V/3.25A五个固定的PD电压档位及3.3-21V/3A这个PPS电压档位；并可根据用电设备的需求自动匹配这些电压，能够满足市面上大部分手机、PAD，采用USB-C充电接口的笔记本电脑等的充电需求。
先进的高压GaN-HEMT和低压硅MOSFET Cascode 技术，提供了卓越的可靠性和性能。产品拥有耐压650V以及122mΩ的导阻，应用于快充充电器时，有赖于超低的开关损耗，在>300kHz开关频率下依然可实现>93%的高效率。不仅节能环保，而且使用更安全。
普通驱动IC，8~12V驱动电压就能驱动，简单的驱动回路实现开关，无需额外驱动降压电路，实现和普通MOS的直接替换，简单可靠高效。
关键特性：易于驱动，与标准栅极驱动器兼容，低传导、低开关损耗、低 Qrr (150nC) ，无需任何续流二极管，GSD 引脚布局可提升高速设计。
关键益处：实现更高效的拓扑，易于实施无桥图腾柱设计，快速切换，提高效率。提高功率密度，系统尺寸减小、重量减轻，BOM 成本更低。
熙素微电子TSGaN065S015Q 氮化镓高压FET，耐压650V，RDS(on) = 122 mΩ，15A 典型电流值，PDFN 8X8 封装；是45W~65W 快充的首选高压MOS。熙素微电子的氮化镓（GaN）HEMT晶体管提供低的RDS（on），低栅极电荷，低电容和低内部和外部寄生效应。这带来更低的功耗、更高的功率密度和更低的系统成本。
上海熙素微电子科技有限公司是一家无晶圆厂的芯片设计公司，公司从事于功率器件，微波射频器件等业务，专注于氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）开发设计和销售；熙素微电子的外延片、晶圆代工核心资源来自于股东宽禁带半导体产业链，拥有先进技术和大规模制造能力，具备做出高品质产品和高可靠产品，为广大客户提供良好的供应保障。
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