亚成微：致力于提供高可靠性的高密度快充方案

亚成微电子成立于2006年，是一家专注高速功率集成技术的高端模拟IC设计公司，国家高新技术企业。总部位于“硬科技之都”西安，并在深圳、厦门、宁波、中山等地设有研发中心或客户支持中心。

亚成微电子拥有由多名科学家带领的国际领先技术水平的设计团队，主要产品包括通信设备用关键核心芯片ET-PA、手机/平板/笔记本电脑快充用AC-DC电源管理芯片以及照明产品用线性LED驱动芯片。

近日，充电头网对亚成微电子进行了专访，一起来看看其在快充领域的产品布局：

充电头网：请问贵司的企业定位什么？

亚成微：在USB PD快充领域，亚成微致力于为客户提供高可靠性的高功率密度快充解决方案。

充电头网：目前贵公司产品线是怎样布局的？有哪些针对快充的产品系列？

亚成微：亚成微产品已实现20W到120W功率段覆盖。

针对大功率快充已推出氮化镓直驱的ZVS反激控制芯片RM6801SN以及CCM/QR反激式控制芯片RM6601SN；针对小功率快充已推出采用新一代PWM控制技术（自供电双绕组架构）的电源芯片RM67XX系列；同时又配套推出了内置SGT MOS的同步整流芯片RM34XX系列，并与多家知名协议芯片原厂合作，已实现为客户提供高功率密度快充整体解决方案。

充电头网：贵司产品相比市面上同类型产品，有哪些特色及优势？

亚成微：作为国内首批推出Emode GaN直驱方案的厂家，亚成微产品率先布局氮化镓器件的驱动方案，有更多技术积累，并推出国内首个ZVS架构氮化镓驱动芯片RM6801SN，更易实现高功率密度快速方案设计；此外公司的CCM/QR反激式控制芯片RM6601系列具有Emode GaN直驱及超结MOS分段驱动功能，易于产品设计，并优化了系统成本，可完美应用于大功率快充。

充电头网：贵司在2021年将有哪些快充新品推出，方便透露一下吗？

亚成微：大功率小体积已成为快充发展的必然趋势，面对日益增长的市场需求，亚成微今年将推出采用3D封装技术的高集成度电源主控芯片RM6801SQ（集成ZVS反激式PWM控制器、氮化镓MOS驱动器以及高压启动电路）以及RM6620DS（集成支持CCM/QR的反激式PWM控制器、内置高压超结MOSFET、超结MOS分段驱动器以及高压启动电路），均支持120W快充，可有效提高快充方案的功率密度并降低成本。

充电头网：从贵司的角度来看，目前快充市场的痛点是什么？应该如何解决？

亚成微：随着快充产品的功率逐步增大，以及消费者对产品的小型化、便携化的极致追求，高功率密度、高效率、小体积必然是主流趋势，但复杂的架构和电路设计将会是所有工程人员的痛点，采用高集成度大功率方案必然会是众望所归。

充电头网：对于苹果、三星等品牌陆续取消手机标配充电器，您认为将带来哪些机遇与挑战？

亚成微：苹果、三星不再标配充电器，将使原装市场的部分需求将转移到第三方配件市场，后续或引发更多的手机厂家跟进，第三方配件市场的需求将大幅提升，这为快充配件厂商及品牌商营造了一个全新的机遇。

但这么大的蛋糕势必将吸引更多的企业加入到这个领域，快充市场的竞争将会更加激烈，同时消费者对充电器要求也会提高，在对比价格的同时，充电器的功能以及便携性也将是消费者关注的重点。因此虽是机遇，也是一个很大的挑战。

充电头网：您如何看待未来5年快充行业的发展？

亚成微：未来5年一定是充电器市场的大爆发时期，手机本身就是一个年销量约14亿的市场规模，而笔记本电脑的年销量也有约2亿台上下，与此同时，其他便携式电子产品的充电方案也会陆续转到快充方案上来，快充是未来５年的朝阳产业。 

充电头网：大功率快充有望成为下一个快充市风口，对此贵司有什么准备？

亚成微：作为在电源管理芯片方面深耕许久的IC原厂，亚成微从2019年的下半年已经开始对大功率快充产品的布局，先后发布了国内首批E-Mode GaN FET直驱ZVS反激控制芯片RM6801SN以及氮化镓直驱CCM/QR反激控制芯片RM6601SN，最大功率均支持120W。

今年，公司将持续加大对快充市场的技术支持，着力于高集成度3D封装技术的新型功率器件和主控；同时开发优化现有的大功率产品方案架构，有效提升大功率产品的高功率密度及可靠性。

此外，公司将继续加强产品供应管理，推动上游产能，保证产品供应畅通，目前应用于大功率快充的RM6801/RM6601系列开关电源芯片备货充足，整装待发。亚成微将以优质的服务和符合客户需求的产品协助客户抓住机遇、抢占先机、乘势而上。

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