熙素微推出GaNcore氮化镓功率芯片，一颗搞定33W、45W、65W快充
熙素微电子继年初推出TSGaN065S15Q8、TSGaN065S25Q8 等氮化镓功率器件后；最近再次推出GaNcore系列氮化镓功率芯片，GaNcore系列产品将高性能、高可靠性电流控制PWM开关控制与GaN集成一起，在充电器初级应用中，真正实现一颗芯实现的目的，大大简化90W内小功率充电器的初级设计。
GaNcore系列内置650V 耐压功率器件，分别120mΩ、360mΩ、410mΩ的
RDS(on) ，芯片采用QFN8X8 封装，并且支持CCM/QR混合模式架构；全电压范围内待机功耗小于65mW。该系列产品也是熙素微电子长期开发GaN器件规划的一部分。在有限的时间、空间内创造出33W、45W、65W、90W、120W充电器通用的氮化镓功率芯片，熙素微电子的研发实力可见一斑。
据了解，熙素微电子是一家聚焦于氮化镓（GaN)半导体等领域的高科技芯片公司，筹备于2018年，2020年公司成立于上海自贸区临港新片区；致力于氮化镓功率器件、氮化镓功率芯片产业化普及。
熙素微电子GaNcore 系列产品都是基于氮化镓（GaN) 材料开发的高集成芯片，该系列产品中的GaN 包含硅基氮化镓、碳化硅基氮化镓、蓝宝石基氮化镓；根据性能的需要选择世界一流的产品材料和制造工艺，打造出面向高效率高密度应用于开关电源的器件。
熙素微电子GaNcore系列产品是一款高性能高可靠性电流控制型PWM开关控制氮化镓功率芯片，仅需 +11V 非稳压电源输入，全电压范围内待机功耗小于65mW，满足六级能效标准，并且支持QR/CCM混合模式，芯片耐压650V，结温220度，专有技术降低 GaNFET开关损耗提高产品效率及功率密度，改善产品EMI。
GaNcore 系列中的TSP65015Q8、TSP65016Q8、TSP65025Q8、TSP65005Q8集成多种工作模式，在重载情况下，系统工作频率是130KHz的PWM模式下，在低压输入时会进入CCM模式；在重载情况下，系统工作在QR模式，并采用专有技术，以降低开关损耗，同时结合PFM工作模式提高系统效率。设计人员在快充（PD）等电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。
该系列产品的固有优势超越硅MOSFET性能，又具备使用硅MOSFET和常规驱动IC一样的便利性，包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低 80% 的零反向恢复以及可降低 EMI 的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱PFC之类的密集高效拓扑。
GaNcore系列产品含专有的氮化镓（GaN）技术，易于开发高效高可靠性开关电源产品，在轻载或空载情况下，系统工作在 BurstMode模式，有效去除音频噪音；同时在该模式下，GaNcore系列中的TSP65005Q8、TSP65015Q8、TSP65016Q8、TSP65025Q8本身损耗极低，因此可以做到超低待机功耗。在任何模式下，都集成了特有抖频工作模式，以改善EMI。
GaNcore 系列中的TSP65015Q8，TSP65016Q8，TSP65025Q8，TSP65005Q8同时集成了多种保护模式和补偿电路、包括 VCC、OVP，内置0TP、外置OVP、欠压锁定(uv|o)，逐周期过流保护OCP、过载保护（OLP），CS短路保护，输出肖特基短路保护等，并内置斜坡补偿和电压补偿。
以上为GaNcore 系列功率芯片产品：TSP65005Q8、TSP65015Q8、TSP65016Q8、TSP65025Q8关键参数。
同时，熙素微为了加速充电器、小功率开关电源的开发，也同步提供了33W、45W、65W、90W、120W的快充参考设计，从提供的DEMO中改进即可实现量产，分别如下：
1、33W氮化镓快充DEMO
2、45W氮化镓快充DEMO
3、65W氮化镓快充DEMO
就如熙素微电子愿景中提到的“氮化镓功率芯片产业化普及”，也不辜负广大用户的选择，熙素微电子管理团队与技术过硬外延厂、专注氮化镓晶圆生产的合作伙伴携手共进为产业提供自主可靠的供应服务。大音希声，大象无形；据了解，2022年熙素微电子氮化镓芯片产能预计5000万颗以上，2023年产能预计1.8亿颗以上，2024年产能预计5亿颗以上。
熙素微电子GaNcore系列33W、45W、65W、 90W、120W反激式氮化镓功率芯片开关电源参考设计已经发布，在11月26日即将举办的2021（秋季）USB PD＆Type-C 亚洲大会上，熙素微电子的全系列氮化镓功率芯片DEMO将一齐亮相。
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