士兰微发布三口快充SoC芯片

多口充电器具有接口多，兼容性好，可同时为多个设备充电等诸多优点，一直是氮化镓快充市场的主力出货类型。诸多芯片原厂都在多口充的协议降压方面投入大量资源，打造兼容性好，功能全面的芯片用于多口充电器，满足用户对于多口同时快充的需求。

士兰微电子推出了一款用于多口快充的协议芯片SD59D15，这颗芯片支持四路PWM驱动信号输出，可支持双路独立降压或一路升降压应用，支持2C1A三口应用。SD59D15兼容PD3.0、PPS、QC4+、FCP、SCP、SFCP、AFC等快充协议，有着很好的兼容性。

一、士兰微发布三口SoC芯片

士兰微电子发布了SD59D15协议芯片，这款协议芯片内置两路同步降压转换器，并且支持与反激电源联动的专利控制架构，支持100%占空比。可在充电器空载或者输出5V时降低充电器输出电压，降低空载损耗并提高效率。

士兰微SD59D15采用QFN6*6-52封装，一颗芯片支持双路独立的USB-C接口。内置的四路PWM输出，可配置为单路同步升降压或两路独立的同步降压应用，满足双口或者三口快充应用，而无需每个端口对应独立的降压协议芯片。

士兰微 SD59D15适用于多口PD快充应用，芯片内部支持双路电流采样和输出电压采样，内置三路端口负载开关控制，可实现独立的接口控制。

士兰微 SD59D15集成多路PWM信号输出，内置定时器和ADC，集成SCP快充协议模块和用于USB PD的BMC模块。同时还集成丰富的辅助运算单元用于复杂的函数计算功能。

SD59D15芯片具有UART和I2C接口，能够与其他芯片通信，芯片内置输出过压、过流以及过热保护，确保使用安全。同时还支持手机接入检测和移除检测，并同步切换低功耗模式，降低充电器的空载功耗。

图为SD59D15的双路独立降压应用，可通过单颗芯片实现2C1A的双路独立降压控制，节省充电器次级元件数量。同时SD59D15支持升降压应用，可用于双口充电器，充电器内部AC-DC由SD59D15控制输出电压，输出一个USB-C口，另外一个USB-C口由SD59D15内置升降压调节电压输出。

二、士兰微推出65W三口快充参考设计

士兰微基于SD59D15推出了一款65W 2C1A的三口快充参考设计，这款快充方案得益于高集成度的SD59D15降压协议芯片，集成度高，充电器次级无需焊接独立的小板，从而降低充电器成本。

这款充电器为长条型设计，采用了平面变压器，但是次级没有以往多口快充的多块独立的降压小板。

充电器输入端有保险丝，NTC浪涌抑制电阻，两级共模电感，高压滤波电解电容等。

平面变压器磁芯采用两块磁芯粘合而成，内部是平面变压器的电路板。

输出侧有两颗磁环降压电感和对应的固态电容，一颗用于AC-DC输出滤波，另外两颗对应独立的输出接口滤波。

充电器背面为常见的反激方案，通过431稳压反馈输出固定电压为两路独立的降压供电。

测得士兰微65W三口参考设计长度为61.42mm。

宽度为33.35mm。

厚度为21mm。

充电器尺寸整体与65W氮化镓快充体积相仿。

初级PWM控制器采用茂睿芯 MK2697，这是一颗专为PD/快充应用优化的QR PWM控制器。该控制器宽VCC工作电压范围(9V-90V) 可以使其覆盖PD/PPS从3.3V-23V的输出范围而不需要使用额外的辅助绕组或者线性降压电路。

初级开关管采用安海 ASM60R330E，是一颗超结MOS，NMOS，耐压650V，导阻330mΩ，采用DFN8X8封装。

充电器次级同步整流管丝印S1008。

输出采用丝印7446的NMOS管进行同步整流降压，共四颗对应两路独立同步降压。

充电头网总结

士兰微三口SoC芯片SD59D15是一颗高集成度的充电器次级协议方案，其支持双路独立降压输出或者单路升降压输出，相比常规降压协议方案，可以大大简化充电器次级设计，具有更高的集成度和灵活性。

通过对士兰微65W三口快充方案的观察发现，这款快充方案在次级没有使用传统协议降压小板的方式，而是通过高集成度的芯片，来减小充电器中降压电路对于空间和面积的占用。从而降低了充电器的装配难度，并降低了整体成本。士兰微SD59D15高集成度的优势得以充分体现。

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