力智半导体推出uP9801Q半桥氮化镓DrMOS，支持USB PD3.1应用

氮化镓器件发展到今天，为了优化芯片性能，很多原厂都推出了合封的氮化镓芯片，将驱动器或者控制器与氮化镓开关管集成到一个芯片内部，从而简化氮化镓的应用。但是这些都是用于快充的高压应用，对于低压应用如同步降压等应用的氮化镓开关管还是氮化镓芯片都很少。

充电头网获悉，力智半导体推出了一款氮化镓半桥芯片uP9801Q，器件内置两个耐压100V，5.6mΩ的氮化镓开关管，内置氮化镓驱动器，具有两个独立的PWM信号输入端子，可独立控制，无需外置元件。相当于电脑主板上使用的DrMOS，uP9801Q具有极高的集成度，高效的转换效率以及优秀的散热能力。

uP9801Q内部采用低电感连接方式，减小了传统打线工艺带来的寄生电感和电阻，高频性能更好的同时，实现了0.625mm的超薄厚度。高度集成化的芯片设计优化了寄生参数对性能的影响。芯片内部集成自举二极管，自举电容和VCC滤波电容。降低PCB面积占用，并降低器件数量。

uP9801Q采用5V TTL逻辑电平信号输入，驱动器供电电压为5V，功率级输入电压4.75-65V，具有20ns传播延迟。芯片采用先进的平板级PLP5*6-12L封装，内置驱动器供电欠压保护。半桥结构支持工业应用，电信基站等降压供电应用。

uP9801Q支持65V输入电压，可用于48V非隔离同步降压应用，支持15A输出电流，同时可用于USB PD3.1应用，支持宽范围电压输出。uP9801Q不仅可用于同步降压应用，使用两颗可组成全桥，搭配同步升降压控制器实现小体积高效率的宽电压转换。

充电头网总结

DrMOS是高端主板和显卡的象征，相比传统分立MOS管的方案，DrMOS将驱动器和MOS管集成，具有更佳的散热性能和更强的电流能力，能够充分满足高端核心的供电。如今氮化镓加入DrMOS，充分简化了氮化镓低压应用，使其可以像常规DrMOS一样去使用，用于主板CPU供电、显卡GPU供电，并支持多种电路拓扑，充分满足大功率小体积需求。

力智推出uP9801Q半桥氮化镓功率级，具有65V耐压，契合48V供电应用。可用于USB PD3.1 48V设备供电同步降压，高频高效的优势满足便携设备小体积的要求。两颗组成全桥可用于同步升降压，可用于储能电源内部电压转换，满足双向48V大功率进出，高效电源转换可降低散热需求。

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