华羿微推出数十款快充专用MOS，获卡儿酷、阿卡西斯等业内知名品牌采用
华羿微电子股份有限公司（简称“华羿微电”），成立于2017年6月28日，占地面积200.8亩，注册资本约4.15亿元人民币，隶属于华天电子集团，是一家专业从事功率半导体器件设计、封测、销售、服务为一体的高新技术企业。公司秉承“用户至上，质量第一”的经营理念，已逐步成为国际一流的功率半导体器件供应商。
公司通过自主创新、技术积累和市场拓展，现已形成以芯片设计、整体应用DEMO方案及领先的技术研发和产品创新为核心竞争力的业务体系，现公司已量产的中低压MOSFET产品多达400多个型号，封装外形有TOLL、TO、PDFN、SOP、CSP、IPM六大系列60余种封装外形，年生产能力达到48亿块，正在为全球超过1500余家企业提供高性能、高品质功率器件产品及全方位的技术和售后服务。
公司汇聚了博士、硕士、学士、高级工程师等资深行业专家，建立了一支强大的专业研发团队，核心研发人员拥有二十多年的半导体功率器件研发经验，自主研发与设计了TRENCH MOS、SGT MOS等产品，形成了具有自主知识产权的核心技术体系。目前已通过了ISO9001、IATF16949、ISO14001、ISO45001、QC080000、ESD S20.20、SONY GP等体系认证，拥有发明专利58项、实用新型专利59项、软件著作权登记3项、集成电路布图3项，研发水平处于国内领先位置。
成立至今，华羿微电子股份有限公司旗下产品已经广泛应用于电动车、汽车电子、5G基站、电动工具、储能、消费电子等领域，特别是在电机驱动、电池储能领域拥有较高的市场占有率。下面为大家分享华羿微MOS在USB PD快充市场的部分应用案例。
华羿微HYG023N03LR1D/U/V
华羿微HYG023N03LR1D/U/V根据MOS管上的D/U/V丝印确定具体型号，对应的封装形式分别为TO-252-2L、TO-251-3L和TO-251-3S，NMOS，耐压30V。
华羿微HYG023N03LR1D/U/V资料信息。
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华羿微HYG017N04LS1C2
华羿微HYG017N04LS1C2采用PDFN5*6-8L封装，NMOS，耐压40V。
华羿微HYG017N04LS1C2资料信息。
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华羿微HYG072N10LS1C2
华羿微HYG072N10LS1C2采用PPAK5*6-8L封装，NMOS，耐压100V。
华羿微HYG072N10LS1C2资料信息。
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华羿微HYG055N08NS1C2
华羿HYG055N08NS1C2采用PPAK5*6-8L封装，NMOS，耐压80V。
华羿HYG055N08NS1C2资料信息。
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华羿微HY15P03
华羿微HY15P03采用PPAK5*6-8L封装，PMOS，耐压30V。
华羿微HY15P03资料信息。
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华羿微HY1603C2
华羿微HY1603C2采用PPAK5*6-8L封装，NMOS，耐压30V。
华羿微HY1603C2资料信息。
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华羿微HY3312P/M/B/PS/PM
华羿微HY3312P/M/B/PS/PM根据MOS管上的丝印区分具体型号，对应的封装形式分别为TO-220FB-3L、TO-220FB-3S、TO-263-2L、TO-3PS-3L和TO-3PM-3S，NMOS，耐压125V。
华羿微HY3312P/M/B/PS/PM资料信息。
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华羿微HY3210MF
华羿微HY3210MF采用TO-220MF-3L封装，NMOS，耐压100V，导阻6.8mΩ。
华羿微HY3210MF详细资料。
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华羿微HY3210P/B
华羿微HY3210P/B对应的有TO-220FB-3L和TO-263-2L两种封装方式，NMOS，耐压100V。
华羿微HY3210P/B资料信息。
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华羿微HY19P03 D/U/V
华羿微HY19P03根据丝印不同区别封装，有TO-252-2L、TO-251-3L和TO-251-3S三种封装方式，PMOS，耐压30V。
华羿微HY19P03资料信息。
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华羿微HY4004P
华羿微HY4004P/B对应的有TO-220FB-3L和TO-263-2L两种封装方式，NMOS管，耐压40V，导阻2.5mΩ。
华羿微HY4004P/B资料信息。
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充电头网总结
面对持续增长的消费类电源市场，华羿微针对性的推出了数十款产品，并且提供丰富的封装方式，无论多么苛刻的环境都能方便应用，适合应用于PD快充充电器、移动电源、储能电源、无线充等领域，为客户产品开发提供了完整的MOS解决方案。
如需了解更多产品资讯，可以与华羿微取得联系。
联系方式
联系电话：029-86685706
传真：029-86685705
邮箱：sales@hymexa.com
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