智能手机氮化镓应用新突破，英诺赛科BiGaN率先突围

充电头网编辑部充电头网 2022-10-11

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前言

6月28日，广东省终端快充行业协会第一届插拔大会UFCS技术研讨会顺利进行。会上，协会技术委员会、技术研究工作组对快充发展趋势、UFCS技术标准关键要点、UFCS技术前沿成果进行了详细介绍。

技术专家在会上展示英诺赛科Bi-GaN产品

本届终端快充行业协会插拔大会加快推动了终端快充技术标准化、标准产业化发展。汇聚了快充产业生态的各方力量，联合开展面向未来快充产业的相关应用场景、需求、技术、标准的研究及应用推广。

英诺赛科Bi-GaN产品在手机主板上的应用

在本届终端快充行业协会插拔大会上，OPPO VOOC闪充之父向公众首次展示了英诺赛科 Bi-GaN 系列产品，Bi-GaN 系列产品中的 INN40W08 氮化镓开关管也一并亮相。

英诺赛科 INN40W08 是Bi-GaN产品系列中一款40V增强型开关管，采用WLCSP 2x2封装，体积十分小巧。芯片支持双向开关，导通电阻低至7.8mΩ，可应用在智能手机充电过压保护电路、高压侧负载开关电路、多电源系统的开关电路等场景中。

充电头网获悉，OPPO已经有量产机型采用了氮化镓开关管，成为全球⾸个内置氮化镓充电保护的手机厂商，后续机型也将大批量应用，在业内具有非凡意义。

BiGaN亮点纷呈

长期以来，手机内部电源开关器件都采用硅材质MOSFET器件，由于体积与阻抗的限制，不仅占据了手机主板上大量空间，而且在面对大功率快充时，硅MOSFET会产生较大的温升与效率损耗，影响快充的稳定性与大功率持续时间。

氮化镓作为第三代半导体材料，具备高频高效、低导阻等优越特性，在充电上具有至关重要的作用。以往的充电保护都是通过将氮化镓功率器件内置在手机充电器中，Bi-GaN 以创新的方式将氮化镓芯片内置于手机。

得益于氮化镓单位面积导阻小以及无寄生体二极管的特性，可以使用1颗Bi-GaN替代之前的共漏连接的背靠背NMOS，实现电池的充电和放电电流的双向开关，在相同占板面积下导通电阻降低50%，温升降低40%。

随着手机充电功率的不断提升，英诺赛科Bi-GaN系列产品不仅能节省手机内部宝贵的空间，还能降低手机在充电过程中的温升，在快速充电时可以保持比较舒适的机身温度，延长快充持续时间，为用户提供更好的充电使用体验。

充电头网获悉，英诺赛科即将发布 BiGaN 系列下一代产品——INN040W048A，在尺寸不变的情况下，Rds on 减小50%，导通损耗更小，在更高功率的快充场景中更具竞争力，让我们拭目以待。

充电头网总结

在氮化镓领域深耕多年的英诺赛科，拥有全球领先的芯片制造能力，在8英寸硅基氮化镓核心技术和关键工艺领域实现了重大突破，产品性能已达到国际先进水平，在产品及方案设计上与多家一线品牌开展了深度合作，广受客户认可。其Bi-GaN产品在智能手机内部电源开关领域的落地，也标志着氮化镓应用的全新时代已经到来。

至此，氮化镓在消费类快充领域的应用已经步入快车道。而在不远的未来，凭借其高功率密度、高频高效的特性，应用范围还将逐步拓展到新能源汽车、太阳能、数据中心、人工智能、5G通信等领域，成为人们生活中必不可少的一部分。