能华推出首款高Vth的增强型GaN器件
前言
氮化镓 GaN 以开关速度快,导阻低,低输入输出电荷的优势,应用在快充上逐渐取代了传统的高压硅 MOS 管。使用 GaN 取代硅 MOS 管,不仅降低了开关损耗,提高充电器的转换效率,使得充电器无需设计大面积的散热片;而且大幅提升了功率器件开关频率,减小变压器电感量,缩小变压器尺寸,进而减小充电器的体积。
目前市场上的 GaN 产品主要有 Cascode GaN 和 E mode GaN 两种,其中 E mode GaN 的阈值电压 Vth 典型值都在 1.2-1.5V 左右,而高压 Si MOSFET 的 Vth 典型值普遍是 3-4V。
随着 GaN 功率器件市场范围向大功率适配器、LED电源、电驱、服务器电源等应用拓展,目前 E mode GaN 器件过低的阈值电压会在各类应用中面临巨大的挑战,器件的驱动可靠性问题将会突显,主要表现在以下四个方面。
第一,GaN 器件的关断过程,由于功率回路 dv/dt 产生流过米勒电容 Crss 的电流会导致 Vgs 上出现电压尖峰。
第二,GaN 器件的关断过程,由于功率回路 di/dt 在器件源极寄生感Ls上产生的电压会耦合到驱动电压 Vgs 上。
第三,在桥式应用中,上管开通过程的电流尖峰也会通过下管的源极寄生感Ls产生电压尖峰耦合到下管的驱动Vgs上。
第四,相同规格的 E mode GaN 与 Si MOSFET 器件相比前者的 Ciss 远小于后者,对于驱动环路本身而言,相同的环路寄生感和环路阻尼条件下,Ciss 越小,驱动 Vgs 振荡尖峰越大。
如果驱动信号上的尖峰达到器件本身的阈值电压 Vth 时,一方面会产生较大的损耗和发热,另一方面会产生误触发开通甚至导致直通短路。由于 GaN 的开关速度相对于 Si MOSFET 要快很多,所以其 Vth 过低引起的一系列问题在硬开关、大功率、高可靠性的应用领域需要格外关注。
能华CE65E300DNYI问世
针对 Vth 过低的问题,各家 GaN 公司的解决方案主要分为三类。
第一,使用有负压关断功能的驱动电路。第二,尽量优化驱动环路 PCB Layout 和使用 Kelvin S 接线方式,减小驱动耦合和振荡。第三,使用 IC 合封或单 Die 集成的方式优化驱动环路。
负压关断的驱动方案降低了系统可靠性,增加了系统复杂性;优化驱动 PCB Layout 一定程度上提高了PCB Layout 难度,并且效果未必能很好;使用 IC 合封或单 Die 集成则导致由于封装不同,不会有平替方案,客户供应链的安全无法得到保障。
能华微电子近期推出了一款 Vth=2.5V (典型值)的单管 E mode GaN 器件,型号为 CE65E300DNYI。这是一款 DFN5*6 封装的器件,耐压 650V,瞬态耐压 750V,导阻为 300mΩ。
相比传统 Si MOSFET 器件,这颗 GaN 器件能大大提升系统效率、功率密度,减小系统尺寸及重量,并降低系统成本。相比市场上其他 E mode GaN 产品,其 Vth 要高 60%,保证了在各种应用场景的驱动可靠性,无需负压关断,PCB Layout 也变得更容易。
值得注意的一点是,相对目前市场上的 E mode 器件的 Vth=1.5V,能华采用外延及芯片工艺的自主创新,将 Vth 提高到 2.5V,同时保持 2DEG 的电阻一致,器件在 6V 导通时电阻也维持不变,这意味着器件的成本 (Ron*Die size) 和器件饱和电流 (Isat) 维持在同等水平。
从器件转移特性和 Ron 特性曲线的实测数据对比都可以看出,能华推出的器件 CE65E300DNYI相对目前市场上的一款 E mode GaN 器件实测的Vth有1.2V左右的提升。并且当驱动电压达到4.5V以上时,CE65E300DNYI 沟道已经完全开通,实际应用中使用驱动电平6V能达到很好的效果,Rdson=300mΩ。
另外,能华微电子的一颗 Rdson=160mΩ (典型值)的 650V E mode GaN 预计也将会在今年10月推出,其阈值电压 Vth 也是 2.5V;预计该器件可以在满足GaN器件的驱动可靠性的同时,把应用的功率范围提升到 240W。敬请关注!
充电头网总结
GaN 器件优越的性能优势,最先在快充应用中得到充分发挥。GaN 器件的高频高效特性,显著提高了充电器转换效率,并降低散热需求,助力大功率充电器小型化。除快充应用外,GaN器件还可用于大功率适配器、LED 照明、新能源汽车等应用,市场前景广阔。
能华此次推出的 E mode GaN 器件 CE65E300DNYI,相比市面上的同类产品,其阈值电压 Vth 更高,不仅简化了 PCB 设计流程,而且提高了器件的可靠性,同时还能拓宽器件的应用场景,让更多的产品享受到GaN带来的高效优势。
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