查看原文
其他

能华推出首款高Vth的增强型GaN器件

充电头网编辑部 充电头网 2022-11-06


前言

 

氮化镓 GaN 以开关速度快,导阻低,低输入输出电荷的优势,应用在快充上逐渐取代了传统的高压硅 MOS 管。使用 GaN 取代硅 MOS 管,不仅降低了开关损耗,提高充电器的转换效率,使得充电器无需设计大面积的散热片;而且大幅提升了功率器件开关频率,减小变压器电感量,缩小变压器尺寸,进而减小充电器的体积。

 

目前市场上的 GaN 产品主要有 Cascode GaN 和 E mode GaN 两种,其中 E mode GaN 的阈值电压 Vth 典型值都在 1.2-1.5V 左右,而高压 Si MOSFET 的 Vth 典型值普遍是 3-4V。

 

随着 GaN 功率器件市场范围向大功率适配器、LED电源、电驱、服务器电源等应用拓展,目前 E mode GaN 器件过低的阈值电压会在各类应用中面临巨大的挑战,器件的驱动可靠性问题将会突显,主要表现在以下四个方面。

 

第一,GaN 器件的关断过程,由于功率回路 dv/dt 产生流过米勒电容 Crss 的电流会导致 Vgs 上出现电压尖峰。


第二,GaN 器件的关断过程,由于功率回路 di/dt 在器件源极寄生感Ls上产生的电压会耦合到驱动电压 Vgs 上。

 

第三,在桥式应用中,上管开通过程的电流尖峰也会通过下管的源极寄生感Ls产生电压尖峰耦合到下管的驱动Vgs上。


第四,相同规格的 E mode GaN 与 Si MOSFET 器件相比前者的 Ciss 远小于后者,对于驱动环路本身而言,相同的环路寄生感和环路阻尼条件下,Ciss 越小,驱动 Vgs 振荡尖峰越大。

 

如果驱动信号上的尖峰达到器件本身的阈值电压 Vth 时,一方面会产生较大的损耗和发热,另一方面会产生误触发开通甚至导致直通短路。由于 GaN 的开关速度相对于 Si MOSFET 要快很多,所以其 Vth 过低引起的一系列问题在硬开关、大功率、高可靠性的应用领域需要格外关注。

 

能华CE65E300DNYI问世

 

针对 Vth 过低的问题,各家 GaN 公司的解决方案主要分为三类。


第一,使用有负压关断功能的驱动电路。第二,尽量优化驱动环路 PCB Layout 和使用 Kelvin S 接线方式,减小驱动耦合和振荡。第三,使用 IC 合封或单 Die 集成的方式优化驱动环路。


负压关断的驱动方案降低了系统可靠性,增加了系统复杂性;优化驱动 PCB Layout 一定程度上提高了PCB Layout 难度,并且效果未必能很好;使用 IC 合封或单 Die 集成则导致由于封装不同,不会有平替方案,客户供应链的安全无法得到保障。

 

能华微电子近期推出了一款 Vth=2.5V (典型值)的单管 E mode GaN 器件,型号为 CE65E300DNYI。这是一款 DFN5*6 封装的器件,耐压 650V,瞬态耐压 750V,导阻为 300mΩ。

 

 

相比传统 Si MOSFET 器件,这颗 GaN 器件能大大提升系统效率、功率密度,减小系统尺寸及重量,并降低系统成本。相比市场上其他 E mode GaN 产品,其 Vth 要高 60%,保证了在各种应用场景的驱动可靠性,无需负压关断,PCB Layout 也变得更容易。

 

 

值得注意的一点是,相对目前市场上的 E mode 器件的 Vth=1.5V,能华采用外延及芯片工艺的自主创新,将 Vth 提高到 2.5V,同时保持 2DEG 的电阻一致,器件在 6V 导通时电阻也维持不变,这意味着器件的成本 (Ron*Die size) 和器件饱和电流 (Isat) 维持在同等水平。

 

 

从器件转移特性和 Ron 特性曲线的实测数据对比都可以看出,能华推出的器件 CE65E300DNYI相对目前市场上的一款 E mode GaN 器件实测的Vth有1.2V左右的提升。并且当驱动电压达到4.5V以上时,CE65E300DNYI 沟道已经完全开通,实际应用中使用驱动电平6V能达到很好的效果,Rdson=300mΩ。

 

另外,能华微电子的一颗 Rdson=160mΩ (典型值)的 650V E mode GaN 预计也将会在今年10月推出,其阈值电压 Vth 也是 2.5V;预计该器件可以在满足GaN器件的驱动可靠性的同时,把应用的功率范围提升到 240W。敬请关注!

 

充电头网总结

 

GaN 器件优越的性能优势,最先在快充应用中得到充分发挥。GaN 器件的高频高效特性,显著提高了充电器转换效率,并降低散热需求,助力大功率充电器小型化。除快充应用外,GaN器件还可用于大功率适配器、LED 照明、新能源汽车等应用,市场前景广阔。

 

能华此次推出的 E mode GaN 器件 CE65E300DNYI,相比市面上的同类产品,其阈值电压 Vth 更高,不仅简化了 PCB 设计流程,而且提高了器件的可靠性,同时还能拓宽器件的应用场景,让更多的产品享受到GaN带来的高效优势。

 

相关阅读:

1、能华氮化镓器件助力高效转换,灵刻微发布360W无风扇服务器电源

2、江苏能华深圳子公司科能芯开业

3、国产氮化镓新势力,能华推出全新基于D MODE氮化镓器件的解决方案


「峰会报名」

2022(春季)亚洲充电展期间热门峰会开启报名



以下热门话题可以点击蓝字了解,也可以在充电头网微信后台回复如下关键词获取专题


「电源芯片」

南芯英集芯智融茂睿芯必易微美芯晟杰华特华源硅动力富满云矽芯海天德钰贝兰德力生美、创芯微、稳先微、宝砾微东科易冲拓尔微、恒成微

 

「被动器件」

特锐祥贝特沃尔德、柏瑞凯

 

「氮化镓」

纳微英诺赛科聚能创芯能华威兆镓未来微硕Elevation

 

「连接器」

超讯

 

「快充工厂」

航嘉古石酷科鹏元晟瑞嘉达天宝田中精机

 

「品牌专区」

苹果华为公牛mophie绿联航嘉公牛TRÜKE充客机乐堂爱国者魔栖、TECLAST台电图拉斯Mcdodo麦多多MOMAX


商务合作联系:info@chongdiantou.com



您可能也对以下帖子感兴趣

文章有问题?点此查看未经处理的缓存