服务传递价值，英诺赛科荣获OPPO质量服务奖
2023年1月，英诺赛科凭借高性能的氮化镓芯片和优秀的服务意识荣获 OPPO 2022年度“质量服务奖”，配合 OPPO 创新性地将低压氮化镓导入手机主板，并实现数百万颗交付，芯片失效率为零。共同开创了氮化镓在消费类电子领域的新起点。
全球领先的智能手机品牌 OPPO 在颁奖时表示：
英诺赛科团队在过去一年中大力配合低压氮化镓器件在 OPPO 手机端的导入验证工作，主动配合并完成与品质相关的高要求实验安排，具备优秀的品质服务意识。期待2023年与贵司保持更加密切的合作关系，在产品和质量上挖掘并创造更多价值！
"获此殊荣，代表 OPPO 对英诺赛科产品质量与服务的高度认可。作为全球领先的氮化镓 IDM 企业，英诺赛科拥有全球最大的硅基氮化镓生产基地和先进的研发与制造能力，8英寸氮化镓全自动生产线与全流程质量管控体系，为芯片性能和大批量交付需求提供了有力保障。英诺赛科致力于为合作伙伴提供高品质的氮化镓芯片及高效的全氮化镓解决方案，并通过长期努力，与上下游企业逐步构建起氮化镓“芯”生态。
秉承着“科技创新，创造美好生活”的理念，OPPO 强化了对前沿技术的探索。为保持在快充领域的领先优势，OPPO 联合英诺赛科创新性地将氮化镓导入手机主板，成功将 V-GaN INN040W048A 导入 OPPO Reno7pro 等一系列手机。英诺赛科 V-GaN 产品具备无体二极管、低导通阻抗等特性，仅用一颗氮化镓芯片就能代替两颗硅MOSFET，节省了手机PCBA空间，低导通阻抗的特性大大降低手机温度，为用户提供了更高效的快充体验。
同年7月，Realme 也正式发布了全链路氮化镓快充的 GT2 大师探索版手机，同样采用了英诺赛科 V-GaN INN040W048A 低压氮化镓芯片，实现体积减少64%，峰值功率发热降低85%，保证手机在充电过程中更高效，更安全。
OPPO Reno7pro和Realme GT2 等手机创新性导入氮化镓芯片的成功案例，体现了OPPO对科技的探索与创新，同时也表明OPPO对长期合作伙伴英诺赛科氮化镓芯片质量的认可与信赖，具有里程碑式的意义。
但这也仅仅只是开端，目前英诺赛科已经能够为手机提供全链路的氮化镓方案，包括：DC/DC Charge Pump，BMS，DC/DC Buck，3D ToF等，并逐步推进与终端品牌的验证与合作。未来我们也将把全氮化镓方案应用于数据中心和自动驾驶系统中，用氮化镓为绿色高效应用赋能。
2022年，英诺赛科完成了产品电压覆盖范围的扩大和升级，打造了40V、100V及150V工艺平台，使产品进一步丰富与迭代，产品质量及可靠性也得到大幅度提升。展望2023，英诺赛科期待为OPPO提供更高效高品质的产品与服务，探索新应用，实现新突破，共同为用户创造更美好的生活体验。
END
英诺赛科是全球领先的GaN IDM高新技术企业，汇集了半导体行业资深的研发与应用团队，致力于第三代半导体硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 研发与制造。我们拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆生产能力，产品设计及性能处于国际先进水平，为客户提供从30V 到700V的高、低压全功率氮化镓芯片。自2015年成立至今，英诺赛科已获专利700多项，累计出货量超1亿颗。产品可广泛应用于消费电子、服务器电源、汽车电子及新能源领域等前沿领域。
英诺赛科，用氮化镓打造绿色高效新世界！