从概念到现状，雷军“爱慕”的GaN到底是什么？

在小米10发布会上，雷军心心念念的GaN到底是什么？

在GaN等第三代半导体材料技术上，美日欧厂商处于领先地位，中国较为弱势，主要还是依赖于国外代工厂商。不过近年来，国内不断加强半导体相关政策以鼓励企业自主创新，未来，国内GaN产业体系也将得到进一步的完善。

目前，国内已有四条4/6英寸SiC生产/中试线和三条GaN生产/中试线相继投入使用，并在建多个与第三代半导体相关的研发中试平台。

GaN的未来发展

基于GaN器件的优异特性，未来GaN将在高功率，高频率射频市场优势明显。据Yole Développement预测，到2023年，功率GaN市场规模将达到4.23亿美元，复合年增长率（CAGR）为93％。

与SiC、Si材料相比，GaN材料电子饱和漂移速率更高，适合高频率应用场景，但是在高压高功率场景不如SiC；随着成本的下降，GaN有望在中低功率领域替代二极管、IGBT、MOSFET等硅基功率器件。以电压来分，0~300V是Si材料占据优势，600V以上是SiC占据优势，300V~600V之间则是GaN材料的优势领域。

根据Yole估计，在0~900V的低压市场，GaN都有较大的应用潜力，这一块占据整个功率市场约68%的比重，按照整体市场154亿美元来看，GaN潜在市场超过100亿美元。

Yole 预测，在通信和国防应用的推动下RF GaN产业在2017年至2023年期间的复合年增长率将会达到的23％。截至2017年底RF GaN市场总量接近3.8亿美元，2023年将达到13亿美元以上。基于RF的GaN技术也在不断创新以满足工业界需求。国防应用是RFGaN 的主要市场领域，这是因为GaN产品具有专业的高性能要求和低价格优势。2017-2018年间，国防应用占GaN射频市场总量的35％以上，目前全球国防市场在GaN领域没有放缓迹象。

文︱方雯

插画︱楠楠

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