功率半导体需求持续上升！盘点11款热门国产功率半导体器件

时代周报的一篇文章曾表示，如今全世界一切与发电、输电、用电有关的工作，都离不开功率半导体芯片。国际调研机构Strategy Analytics表示，中国对功率半导体芯片的整体需求已经占世界需求总量的50%。然而，关于中高端主流器件需求，我国还是主要依赖进口。功率半导体的应用领域非常广，作为典型的需求驱动型产业，虽然仍受到全球贸易不稳定等因素影响，但市场增幅仍将非常可观。根据Yole的数据显示，预计到2022年功率半导体市场规模将达到426亿美元，复合增长率为5.43%。此次芯师爷主办的硬核中国芯评选活动，我们有幸聚集了多家国产功率半导体器件优秀产品进行参评，我们也非常欢迎各位读者向我们推荐更多的功率半导体器件！

85V SGT 工艺 高性能 控制器 LVMOS 产品（SVT085R5NT ）

所属企业：士兰微

产品特性：1、具有超低的密勒平台电容和超低栅极充放电荷，同时显著降低寄生开关电容，大大减小器件高频下开关损耗；2、具有超低的导通电阻，显著降低导通损耗和器件的发热量；3、具有优异的雪崩极限能力，能够承受超过400A的瞬态脉冲电流；4、具有稳定的参数表现，满足大部分多并联应用对器件参数一致性的要求；5、主要应用于电动自行车的控制器和锂电保护。

1200V 碳化硅二极管

所属企业：瑞能半导体

1200V碳化硅二极管系列使用6英寸碳化硅衬底制造，关断时具有极小的反向恢复时间，高工作结温 (Tj(max) = 175°C)，高频区域中稳定和快速的开关性能。与硅基二极管相比，碳化硅二极管具有正温度系数的导通压降，有效解决高温工作时热失控的问题。

GF温度传感器

所属企业：科蓬达电子

当前热敏电阻温度传感器在流动的水中反应时间最快大约为4-5S，我公司自主开发一款由新材料、新工艺生产的温度传感器，将反应时间提高到2S以内，极大的提高了反应速度，为家电客户精确的温度控制提供了解决方案，目前，已为多家客户批量化供应，得到了客户的广泛认可及好评。

1200V80mΩ SiC MOSFET

所属企业：派恩杰

1200V80mΩ SiC MOSFET（P3M12080K3）属于N-Channel 增强型器件，基于Gen3技术，具有更高阻断电压和更低的导通电阻，可提升系统效率，提升功率密度，具有高开关频率，Specific Rdson（导通电阻X芯片面积）低于3mΩ∙c㎡，6寸晶圆的良率在90%以上。同时产品阈值电压大于3V，优于国内外竞品。

F60UP30DN/FRED

所属企业：昌德微电

公司采用独创性的封装加工生产和自主芯片研发设计加委外OEM代工的商业模式，掌握芯片设计和制造工艺技术，功率元器件成品封装测试技术；产品具备自主知识产权和稳定的高质量水平；公司产品广泛应用于逆变焊机次级整流，替换三肯，仙童及NXP同类产品，产品性能在国内外同行产品中处于领先地位，在逆变焊机行业内使用超过10年，具备较大的影响力；

SGT深沟槽MOS

所属企业：蓝科微

SGT深沟槽MOS采用Gen3代全新的深沟槽技术，同比传统的平面以及Trench工艺，该类型的产品拥有更低的导通内阻、更高的开关频率，同时也减少体积。

车规级全碳化硅功率模块

所属企业：基本半导体

车规级全碳化硅功率模块所采用芯片为企业自主研发的1200V 40 mΩ碳化硅MOSFET芯片，芯片采用源极镇流电阻设计，有效提高器件短路能力。通过多次注入终端环设计，提高芯片的击穿电压，有效降低氧化层界面电荷对击穿电压的影响。
芯片具有阈值电压高、栅氧可靠性高、导通电阻温度系数低、短路耐受时间长的特性，比导通电阻5.0mΩ.cm2、源漏击穿电压1600V、栅源击穿场强8.9MV/cm。

碳化硅MOSFET

所属企业：基本半导体

基本半导体基于 4 英寸碳化硅平面栅 MOSFET 工艺平台，开发出了具有导通电阻低、阈值电压稳定性高、短路耐受时间长的 1200V/10A SiC MOSFET产品。产品采用 TO-247-3L 塑封工艺进行封装。已通过 1000 小时高温反偏（HTRB）、正向高温栅偏（P-HTGB）、反向高温栅偏（N-HTGB）、高温高湿反偏（H3TRB）可靠性认证，满足工业级 MOSFET 可靠性要求。产品栅氧可靠性方面，在推荐的栅极电压 20V 下，栅氧寿命可达至少 200 年。

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所属企业：杰兴伟业

杰兴伟业提供丰富宽广的双极型晶体管产品阵容，包括NPN,PNP,达林顿，电压从20V到1600V，电流从0.1A到60A，继续生产金属封装TO-3产品。创新产品TO-251、TO-252 和TO-263封装的高频高速、超低饱和压降晶体管，截止频率达到300MHz以上，tf<100ns。杰兴伟业产品的批与批之间的差异极小，可靠性高，失效率趋近零。

碳化硅

所属企业：萨科微有限公司

与硅相比，碳化硅（4H-SIC）具有：10倍以上的临界电场强度3倍禁带宽度3倍的热导率工作于更高的温度和辐射环境更高的系统效率芯片面积1/5工作频率高，10KV器件@20KHZ单个器件更高的电压（20KV以上）可减小体积和重量：减少或免除水冷，免除笨重的50HZ减压器.

感光+测距+红外LED 三合一光学传感器

所属企业：美特光

感光+测距+红外LED 三合一光学传感器，是智能手机的标配。
应用：在手机，平板电脑上，以及门铃，监控，玩具车检测颜色，手持荧光笔非触式激光脱毛仪 （检测肤色）。

以上这些功率半导体器件产品，经过18天20万电子工程师，现已角逐出最优秀的产品，即将在12月19日的硬核中国芯领袖峰会暨颁奖盛典揭晓！届时现场会有百余家企业、几十位专家评审、各大媒体机构和电子工程师们共同揭晓！

敬 请 期 待

关于奖项

--九类硬核中国芯产品奖项：MCU、无线射频、CPU/FPGA、存储芯片、功率半导体器件、AI芯片、电源IC、网络通信产品、安全类芯片
--三类硬核中国芯企业奖项：最具创新精神IC设计企业、最具潜力IC设计企业、最具影响力IC设计企业
--两类硬核中国芯分销商奖项：

卓越表现独立分销商、最佳国产芯授权代理商

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谁才是最强中国芯？

让我们拭目以待！

2019年12月19日 13:00—17:00

深圳会展中心 -1号馆 -1B会议室

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