内忧外患的美光，最大威胁竟来自朝鲜？
来源：本文由半导体行业观察翻译自seekingalpha，谢谢。
编者按：文中作者以美国将航母群发往日本海为引子，认为一旦美国对朝鲜开战，最终会影响DRAM产业，进而影响美光，但编者认为，美光面临的问题，应该与这个假设事件没太大关系。另外，文中对中国半导体的相关猜测，是作者本人的观点，我们转载，只是为了让广大读者看一下国外是怎么看待中国半导体，不代表本站认为这个观点。
现在看来，我的两个世界将不幸地因一条新闻而走到一起——“卡尔·文森”号航母打击群4月8日从新加坡起航，前往日本海。从新加坡到日本海的距离是2459英里。我们知道文森号和支援舰的航速可达25节。所以，文森号航母打击群这个周末就将抵达日本海。
就这么一件事，引起了作者对美光未来的担忧。
美朝开战的话，美光遭遇毁灭性打击
我为什么关心担心？ 因为世界上超过半数的DRAM产能都位于韩国非军事区的100英里范围内。又因为朝鲜领导人金正恩讨厌三星，而且曾考虑过轰炸德克萨斯州首府奥斯汀，意图摧毁三星在那里的工厂，正如2013年的一篇文章所解释的那样，金正恩在身后的地图上圈出了奥斯汀：
你会担心北朝鲜的垃圾导弹完成这次6899英里的旅行吗？我也不担心。
好吧，如果导弹从平壤飞到491英里外的广岛，攻击镁光在那里的DRAM工厂呢？
抑或从平壤飞到191英里外的海力士(OTC:HXSCF) 清州工厂？
抑或从平壤飞到122英里外的三星(OTC:SSNLF)华城工厂？
是的，我知道平壤可能不是北朝鲜的导弹发射场，但它是北朝鲜国内少数几个能叫上名字的城市之一。
“卡尔·文森”号航母打击群包括两艘Arleigh Burke级导弹驱逐舰迈克·墨菲号（DDG 112）和韦恩·E·迈耶号（DDG 108），以及一艘Ticonderoga级导弹巡洋舰尚普兰湖号（CG 57）。总计拥有超过300根可以发射战斧导弹的导弹发射管。我们从最近的叙利亚事件可以知晓，唐纳德·特朗普喜欢“战斧”外交。
包括笔者在内的很多人都太过于关注镁光的CEO继任者、芯片成本、收购东芝（TOSBY）的出价等等。偶尔后退一步，纵览一下大图景也是有益处的。中国军队动员到北朝鲜边界的消息可能并不属实。但金正恩的导弹和核野心非常真实。“卡尔·文森”号航母打击群的动员和特朗普总统最近钟爱的战斧导弹同样如此。
我非常希望朝鲜半岛上的事情会一切正常。但如果他们执意发动战争，最好的存储器竞争对手，在台湾、新加坡、日本、美国都拥有工厂的是镁光科技。尽管最近有很多关于镁光是否仍在参与东芝的竞标，以及芯片价格会如何变化的声音，但我认为自己并未回避这些。
除了战争，美光还是担心一下自己竞争对手和自身实力吧
从现状看来，美光面临的问题是对手的进步造成的。也就是说从某个角度看，镁光遭遇的问题是三星电子和SK海力士的技术进步所造成的。技术进步通过位增长的增加使得供应随之增加。较小的器件几何尺寸使得我们能够在单个芯片上制造更多的存储器芯片。
据BusinessKorea、Investor 12日报导，三星电子位于韩国平泽(Pyeongtaek)的工厂，号称是全球最大的半导体工厂。消息传出，平泽厂预定七月启用，将生产第四代3D NAND。平泽厂是第四代64层3D NAND的生产基地，预定七月投产。三星敌手美光(Micron)、SK海力士等，都尚未开始量产第四代3D NAND，三星拔下头筹，将可拉大与竞争对手的差距。
不过，消息人士说，平泽厂初期运转阶段，产量有限，一两年后产能利用率才会提高。估计今年下半平泽厂3D NAND的晶圆总投片量为7~8万组。
三星是NAND龙头，2016年市占率为36%。半导体业界人士表示，三星量产第四代3D NAND之后，将调降第二、三代价格，其他业者将受重创。就算们买下NAND二哥东芝联手出击，三星仍有办法拓展市占、增至40%。
三星动作频频，量产第四代NAND之际，也开始研发第五代NAND。
三星野心不止于此，该公司打造出半导体铁三角，在平泽厂生产3D NAND，韩国器兴(Giheung)制造系统半导体，华城(Hwaseong)制作DRAM。三星也会扩大器兴和华城工厂，全面抢占半导体市场。之前外资曾警告，DRAM荣景能否持续，取决于存储器龙头三星电子，要是三星扩产，好景恐怕无法持续。如今三星眼看DRAM利润诱人，传出决定扩产，新产线预计两年后完工。
IHS Markit估计，三星NAND的总产能(平面+3D)，约为每月晶圆投片量45万组，其中一半以上都是3D NAND。据传平泽厂将专门量产3D NAND，等产能全开时，NAND产量将大增，能争抢更多市占。
对于美光来说，这是一击。
三星积极扩产，引发外界疑虑，担心未来存储器将再次供过于求。
之前外资曾警告，DRAM荣景能否持续，取决于存储器龙头三星电子，要是三星扩产，好景恐怕无法持续。如今三星眼看DRAM利润诱人，传出决定扩产，新产线预计两年后完工。这是二击。
而韩联社10日报导，SK海力士宣布，开发出业界首见的72层258-Gb NAND flash，预定今年下半量产，研发速度超过三星电子。SK海力士更将在其M14晶圆厂推进3D NAND生产。对美光来说，这是三连击。
由于制造成本降低，例如从25nm至20nm的25％的成本节省，以及1Xnm DRAM生产带来的额外20%的节省，光刻缩小也使制造更经济。作为参考点，DRAM在超过20nm以后，预计会在1Xnm，1Ynm和1Znm处进行2至3次迭代。
在技术方面，三星将在2010年下半年开始大规模生产其1Ynm产品（15nm或16nm），并继续扩大18nm DRAM生产。 预计2010年下半年，10nm级DRAM将占三星DRAM出货量的一半。预计SK海力士和镁光科技不会在2010年第二季度之前开始出货18nm DRAM。
此外，三星预计将在2017年上半年完成向64层3D NAND流程的迁移，而SK海力士于2016年4月推出了36层128Gbit 3D NAND芯片，并且自2016年11月以来一直批量生产48层256Gbit 3D NAND芯片。镁光科技正在发布32层3D-NAND，以期在2017年底前进军64层256Gbit存储器。
因此，三星的DRAM位增长预计将从2016年的341.85亿Gb增长至2017年的431.96亿Gb，增长26％。NAND位增长预计将从2016年的537.19亿Gb增长至2017年的708.85亿Gb ，增长32%。
对于SK海力士，DRAM位增长预计将从2016年的211.50亿Gb增长至2017年的258.62亿Gb，增长22％。NAND位增长预计将从2016年的157.90亿Gb增长至2017年的199.38亿Gb ，增长26%。
IP或面临窃取风险
台湾DigiTimes最近的一篇文章报道说，镁光对台湾的前Inotera和Rexchip员工采取了法律诉讼，据称他们窃取商业秘密和技术给中国的DRAM新雇主。
显然，约有100名前镁光员工现在就职于中国半导体公司，合肥长鑫，清华紫光，以及福建晋华集成电路。我于2016年11月18日题为《清华紫光和镁光科技：如果你一开始不成功……》的文章，对这些初创公司进行了讨论。
不清楚镁光是否可以毫发无损地渡过这一关。但威胁是真实的。2013年，美国知识产权盗窃委员会估计，美国每年约有3000亿美元的知识产权损失，其中中国占到了其中的50%~80%。
很难计算这些行动在当前和未来对镁光造成的损害。除非前雇员在他/她的硬盘上留下了证据，否则很难证明。其中一个最著名的IP盗窃案是，2011年一个对台积电不满的员工窃取知识产权，将其转交给了三星电子，使得三星得以迅速跃升至14nm量产。
从目前看来，难以评估镁光的损失的一个蛀牙原因是时间。三家中国公司在2016年底宣布，他们正在进入DRAM业务，并于2016年12月份为员工做广告。但根据DigiTimes的文章，“福建晋华在台湾南部科技园（STSP）的联华电子公司（NYSE:UMC）设立的DRAM试生产线暂时停产，待进一步调查。”
在几个月内宣布意向并进行DRAM试生产在时间上是不可能的，除非设计被盗并带给了联华电子。
半导体晶圆厂需要大约两年时间才能开始生产。例如，镁光的X10 3D NAND新加坡晶圆厂于2015年3月开始施工，于2016年10月安装设备，于2017年初启动了第一块硅片，并将于2017年稍后投产。
根据《台北时报》2017年4月6日的文章，联华电子于2016年5月份开始推进DRAM试生产线。但根据联华电子的言论，“这个项目处于起步阶段，我们还在建设中，没有很多研发成果。”
来自Inotera和Rexchip的100名前镁光员工大多数在2016年底开始为三家中国公司工作。于是，Inotera的前董事长Charles Kau在2015年离职，前往清华紫光，而原Inotera副总裁David Liu现在在合肥长鑫。
价格的冲击在所难免
我于2017年3月31日一片名为《镁光科技可能出现DRAM产量问题，这重要吗？》的文章中指出，镁光在最近一季度的DRAM收入增长了22％，但是21％来自于平均售价上涨，而只有1％来自于位出货量的增长。
随着DRAM占到了镁光收入的64％，镁光正面临着失去其最大收入部门的份额和收入的风险。任何IP盗用都会将窗口缩短到两年以内。 目前，法律诉讼正在台湾发生，那里的IP保护力度较强。但这三家半导体制造商在中国大陆，我们不知道那里可能发生什么。
由于镁光DRAM的收入几乎全部来自于平均售价上涨，因此三家即将陆续生产DRAM的新工厂将严重影响镁光的收益，因为平均售价将大幅下滑。这是镁光的股票已经考虑到的消息。IP盗窃将使正常情况下从建设到生产所需要的两年时间大为缩短。当我们从这些公司开始听到关于半导体设备采购的信息时，我们会进一步了解到其中的端倪。
后记：老实说，看完整篇文章，我都佩服这个作者的脑洞
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