台媒：大陆DRAM技术发展还得求助我们
来源：内容来自联合报，谢谢。
中国大陆积极发展记忆体产业，但由于仍难突破三DRAM大厂的技术防线，在政策与时间压力下，反而凸显台厂扮演关键少数的重要性，业者研判台厂未来势必成为中国大陆首要争取合作的对象。
中国大陆的记忆体产业，目前形成紫光集团、合肥睿力及福建晋华等三大势力，但在美光发动司法调查，紧盯三大厂窃取专利和营业秘密行为后，日前紫光已表态未来将朝自主研发前进。
另合肥睿力由前华亚科副总刘大维主导的团队，仍如火如荼进行，并宣示明年要切入一九纳米生产DRAM；福建晋华则和联电合作，委托联电开发DRAM相关制程技术，生产利基型DRAM，团队由瑞晶、美光台湾前总经理，现任联电资深副总经理陈正坤领军，同时出任福建晋华总经理。
据了解，联电为福建晋华在南科建立小型试产线，一度也遭美光司法调查暂停，但不久后又恢复运作，初期将导入三二纳米，最终目标要切入二五纳米以下制程。
不过，业者透露，在美光强力透过美台和中国大陆三地司法调查，大陆DRAM业者遭遇相当大的瓶颈，难有突破，例如近期兆易创新并购北京ISSI已宣告破局，未来即使突破，也恐怕会遭遇美光、三星等大厂排山倒海的侵权诉讼。
记忆体业者分析，大陆在DRAM遭遇技术重重阻力，反让台厂包括南亚科及华邦电等，成为大陆厂商争相包产能的主要对象，原因包括联想、华为、OPPO、VIVO，甚至海尔、 TCL等电脑、手机和家电大厂，产品都行销全球，多会尊重智财权，不会贸然导入有侵权疑虑的陆厂记忆体。
业者估计，在三星、SK海力士及美光都不愿转换技术下，至少五年内，大陆DRAM厂都难以突破技术防线，而中国大陆倾全国力量发展记忆体，发展DRAM又势在必行，在时间和技术取得的双重压力下，台厂反而成为可以取得技术授权的管道，未来战略地位值得重视。
内存产业为典型资本密集与技术密集产业。先从资本谈起，光土地、厂房不含设备，可能就得耗掉 150~200 亿台币，研究机构 Bernstein 预估，若要取得 DRAM 或 NAND Flash 其中一个市场的一席之地，至少需 15% 左右的市占，以 2014 年第四季产能来估算，一个月产出得达 20 万片（资本支出大约在 200 亿美元，约 6,260 亿新台币左右）。
追逐市占的过程中，若产能一个月增加到 20 万片的幅度，市场将出现超额供给，对于初期生产成本较高的新进者而言，价格会掉到成本以下，新进者即便前面 16~24 个月之间投入 200 亿美元以上的资本支出，十年内仍会落后产业先进者一个世代以上。Bernstein 预估，新进者投入 DRAM 产业，将得承受前面十年 400 亿美元（约 1.3 兆新台币）的亏损，投入 NAND 产业前面十年也要有面临 350 亿美元（约 1.1 兆新台币）损失的心理准备。
Bernstein 预估 DRAM 产业新进者，前十年将得面对 400 亿美元以上的亏损。
即便付出了大把银两，也无法保证在这产业胜券在握，台湾就是一个血淋淋的例子。
1990 年代～2010 年台湾投入了超过 500 亿美元（约 1.6 兆新台币）发展内存产业，就为了取得一定的市占，然 2006 年的两兆双星敌不过韩厂对整个产业体的大力扶植，2008 年金融海啸后台厂踌躇是否投资之际，2010 年三星资本支出翻倍至 18 兆韩元（约 5,578 亿新台币），倾力发展 DRAM，血洗了当时产业。
2001～2010 年十年之间，DRAM 市场拥有 80 亿美元的获利，倘若排除三星所赚的 170 亿美元，整个 DRAM 市场亏了 90 亿美元，去掉三星与 SK 海力士两间韩厂，整个产业亏损更是将近 130 亿美元。整个产业只有三星与海力士获利，在这期间奇梦达破产倒闭、力晶与茂德严重亏损面临重整，南亚科也转进利基型芯片，市场份额不复以往，台厂中较具规模的只剩美光入股的华亚科。
尔后，台厂制程技术始终落后三星等 DRAM 领导厂商一个世代，成本也因此居高不下，最终茂德与力晶也退出 DRAM 市场，前者转型 IC 设计，后者转入晶圆代工市场。
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