手机厂商包了下半年存储产能，缺货将加剧
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DRAM、储存型快闪记忆体（NAND Flash）及编码型快闪记忆体（NOR Flash）三大记忆体会一直缺货到明年，许多客户抢货，已包下南亚科、旺宏和华邦电全部产能。业者指出，未签订长约的客户，记忆体供货将短缺，冲击产品上市或出货时程。
集邦、IC Insight等研究机构最近纷纷出具报告，强调DRAM、NAND Flash到年底都处于缺货状态；NOR Flash更因美系二大供应商淡出效应在下半年显现，缺货问题更严重。
业者表示，三大记忆体应用范围广，尤其NOR Flash几乎是各电子产品储存程式码关键元件，虽然单价远比DRAM和NAND Flash低，但没它不行。
三大记忆体今年创下历年最缺且涨势最久纪录，同时缺货更是以前没有的情况。随苹果新手机即将上市，三大记忆体优先供货给苹果，非苹阵营也积极备货，业者预期，三大记忆体下半年缺货比上半年更严重。
法人分析，DRAM、NAND／NOR Flash三大记忆体同缺，台厂拥有产能的南亚科、华邦电和旺宏到年底的产能已全数被抢订一空，三家厂商正积极去瓶颈，提升产出，抢食缺货商机。
南亚科目前在林口有二座12吋厂，其中3A厂30纳米制程产品，有90%都是在美光科技技术基础上自行研发设计；全新的3An厂，今年导入20纳米制程后，5月取得客户验证，提前在今年第2季量产，目前良率相当好，预定今年底单月投片量达3万片。
华邦电目前月产能约4.3万至4.4万片，预料年底可增至4.8万片，希望明年中后再增加到5.2万至5.3万片，但估到5.5万片时，中科厂就全数满载。华邦电强调，新增产能将全数生产NOR Flash及部分NAND Flash，希望未来Flash产出量与DRAM相近。
华邦电本月除息0.6元，除息参考价17.6元，短短几日完成填息，上周五（17日）再登上20.1元波段新高。
DRAM供需吃紧，价格走高的态势有望延续到下半年，包括PC、商用NB、伺服器与手机的相关需求都颇为强劲，业者认为，第2季会延续涨价趋势，今年下半年需求将会更旺，因此第3季旺季的价格也可望持稳。
至于第4季的DRAM价格情况，业者评估，某程度取决于NAND Flash端的供需是否改善，若3D NAND Flash新产品顺利大量产出，缺货现象明显纾解，甚至出现过剩现象，同时生产DRAM与NAND Flash的原厂，可能调配资本支出，转往投注在DRAM。
研调机构集邦科技指出，4、5月为所有终端产品需求动能偏弱的期间，因为第1季来自中国农历春节的需求刚过，而第3季末的返校潮、第4季的西方节庆备货需求也尚未来临，所以整体DRAM需求有稍微放缓的迹象。但PC OEM大厂仍预估今年DRAM都呈现供货吃紧的状态，并积极在下半年的旺季需求来临前，增加DRAM库存水位。
集邦也表示，在供给端由于制程转进20纳米以后，良率提升不易，且在今年各厂未有重大产能开出的前提下，整体DRAM供给成长不易，今年DRAM价格将维持上升格局。
另外，根据集邦的资料显示，去年全球智能手机的平均记忆体容量约为2.4GB，今年在LPDDR4成为主流应用的力道带动下，原本有望大幅成长，但移动记忆体价格涨势猛烈，导致搭载量的成长动能受压抑，预估今年智能手机移动记忆体平均单机搭载量，将自原估计的3.7GB，下修至约3.2GB，与去年相较，仅成长33.4%。
目前智能手机市场竞争相当激烈，而记忆体涨价使得厂商成本结构压力更为加重，连苹果也不见得可以全然忽视。集邦指出，由于DRAM供不应求的状况估计将延续一整年，苹果为考量成本及避免供应链管理困难，新一代iPhone AMOLED款记忆体搭载量设定在3GB，而LCD两款分别维持在5.5吋机型搭载3GB，4.7吋机型搭载2GB，搭载4GB机种预估要等到2018年才会问世。
Gartner 表示，自2016 年中期以来，随着NAND Flash 的涨价，SSD 的每位元组的成本也出现了惊人上涨。不过，这种上涨趋势将在本季达到顶峰。其原因在于中国厂商大量投入生产的结果，在产能陆续开出后，市场价格就一反过去的涨势，开始出现下跌的情况。
Gartner 进一步指出，中国曾在2014 年表示，将在未来10 年内花费1,500 亿美元来扩大半导体产能。而在大量中国制造的NAND Flash 涌入市场之后，势必会缓解当前供不应求的情况，价格下降也就成了必然。Gartner 预估，NAND Flash 方面，2017 年第2 季将会开始呈现反转，使得全球NAND Flash 和SSD 的价格会在2018 年出现明显下滑，并在2019 年重新陷入一个相对低点。
不过，在NAND Flash 降价的基础下，Gartner 却不认为消费者能够买到更加便宜的智慧型手机等终端产品。因为厂商会藉由其他的方式来保证自己的利润。例如苹果，该公司将在其最新推出的iPhone8 系 41 29386 41 12115 0 0 7098 0 0:00:04 0:00:01 0:00:03 7097智慧型手机上只提供了32GB、128GB 和256GB 三种存储容量。而由于iOS 10 以及高画质内容对储存容量需求，显然更多的消费者会选择128GB 和256GB 机型，这也确保了苹果的利润。
除了在NAND Flash 降价趋势似乎已经确定之外，在DRAM 方面，也预期将在2017 年下半年随着供给增加，产品价格也将逐渐下滑，使得DRAM 市场产生无可避免的周期性修正。
根据市场调查机构IC Insights 表示， 看好DRAM 价格涨势可望延续到2017 年上半年。只是IC Insights 认为，DRAM 在经过1 年大幅上扬之后，随着下半年供应将增加，产品价格恐将下滑，展开周期性修正。
IC Insights 表示，DRAM 价格自2016 年中以来快速走高。根据统计，DRAM 平均售价已自2016 年4 月的2.41 美元，大幅攀高到2017 年2 月的3.7 美元，涨幅高达至54%。而在产品价格大涨带动下，IC Insights 预估，2017 年DRAM 产值可望达573 亿美元规模，将较2016 年成长达39%。
另外，IC Insights 预期，DDR4 规格的DRAM 产品比重在2016 年窜升至45% 之后，2017 年时的比重更可望进一步突破50% 的大关，达到58% 的比例，成为未来DRAM 市场主流产品。
ICinsights 同时指出，全球记忆体下半年价格上涨动能可能减缓，包含DRAM 与NAND 快闪记忆体均是如此。
尽管涨势减缓，但DRAM 与NAND 今年营收预料仍将创新高记录，这完全都是拜先前平均售价快速上涨之赐。以DRAM 为例，DRAM 平均售价今年预估年涨幅高达63%，此为1993 年有纪录以来之最。
记忆体价格从去年第三季起涨，ICinsights 预期动能可能持续至2017 年第三季，第四季可能微幅转负，为这波正向循环划下休止符。
ICinsights 指出，随着价格走扬，记忆体制造商也再次增加资本投资，但多数不是扩充产能，而是开发更先进技术，如今年有关于快产记忆体的投资，几乎全数投入3D NAND 技术的开发。
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