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图解东芝96层堆叠的3D闪存工作原理,国产差距巨大

2017-09-23 头条号/存储极客 半导体行业观察

来源:内容来自头条号/存储极客,谢谢。

随着半导体制程发展遇到瓶颈,闪存原厂纷纷通过3D堆叠来实现固态硬盘容量的可持续提升。目前东芝已经提出了创纪录的96层堆叠3D闪存——第四代BiCS闪存。它的内部是如何工作的?一颗闪存芯片又是如何演变成我们能看到的闪存颗粒?接下来为大家解说。

3D闪存是如何记录数据的:

3D闪存具体到不同闪存原厂会有不同的商品名,例如BiCS就是东芝提出的3D闪存构型。闪存的垂直堆叠并不如大家想象中简单,涉及工艺的方方面面,目前国产连平面闪存都造不好,3D闪存也只是提出了24层堆叠的构想,远远落后于国外水平。

3D闪存将原本平面排列的记忆单元改为垂直方向,不同层面之间通过穿孔联系起来,它的运作方式与传统2D平面闪存有着本质的不同,各闪存原厂在转型3D的过程中历尽艰辛,成本居高不下。

最后封装成下图我们常见的闪存颗粒形式,这些颗粒还将经过原厂的进一步检测,通过之后才会打上原厂标志,成为原装闪存出货。

以96层堆叠的3D闪存再经16叠Die,最终单个闪存颗粒可得到1TB(3D TLC)或1.5TB(3D QLC)的容量。

可以说闪存国产化还有很长的路要走。


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