英飞凌和罗姆势头如此之大，国内碳化硅企业该如何迎对？

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《全球碳化硅器件技术发展现状及发展方向主题研讨》

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李利哲

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随着智能化时代的到来，目前对于半导体功率器件的需求也在大大提升。碳化硅作为第三代半导体的核心材料，以碳化硅为衬底制造的这样的半导体器件具备高功率、耐高压、耐高温、高频、低能耗、抗辐射强这样的一些优点。

以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料是继硅之后最有前景的半导体材料。加之第三代半导体材料也是我国“新基建”战略的重要组成部分，有望引发科技变革并重塑国际半导体产业格局。

在21世纪的行业大发展下，随着需求增加，碳化硅全球销售额也在不断的增长，市场的前景非常广阔。那么在如此叫好的市场前景下，专利信息维度下的全球碳化硅器件技术发展现状及发展现状及未来方向是怎么样的一个状态呢？

接下来将结合针对当前碳化硅产业两家国际龙头企业的研发情况以及专利布局和专利保护进行详细分析，进而对国内碳化硅企业的专利进行深度剖析。

01

头号玩家 — 英飞凌

作为功率半导体器件的头号玩家，英飞凌拥有碳化硅器件相关专利共259项。主要布局于美国、德国和中国，而美国则是英飞凌碳化硅器件的主战场。 

从英飞凌对不同区域下的专利布局情况来看，该企业在在美国和德国的专利布局时间较早，其专利都是以授权状态为主，只有少量的专利被驳回，说明所申请的专利质量佳。

另外，英飞凌对不同类型的碳化硅器件都有大量的专利布局，从其专利撰写的范围中通常会涉及到多种不同的器件，且它的权利要求范围概况较大，多从微观、原理方面进行阐述，为此来确保一个比较大的保护范围。

英飞凌所关注的技术问题主要在于对整体和局部进行改进，例如降低导通电阻、提高开关特性或者是某一些工艺方面的难点等。

总的来讲就是以最终产品性能提升为总目标，从不同器件的结构和工艺方面改进对器件性能提升，向着低耗损、高耐压和高可靠性方面进行发展，以此来适应不同领域的小型化的需求，提高应用领域。

02

碳化硅一条龙生产厂商 — 罗姆

罗姆拥有碳化硅器件相关专利共156项，在碳化硅器件的相关产品的上均有大量布局，并且从不同角度布局。其专利输出常态化，持续巩固技术基础，差异化优势明显。专利布局数量由日本国内专利领先，国外市场主要集中于美国、WO、中国和EP。

和英飞凌相似的是，罗姆主要专利布局区域的专利法律状态授权专利占比最大。但驳回度高于英飞凌，在日本本国驳回量较大，其余地区驳回较少具有一定数量的撤回专利。由于在中国布局专利时间相对较晚,没有出现期限届满和未缴年费的专利。

罗姆公司所关注的技术问题则是从器件某一方面的问题如降低导通电阻、提高耐压、减少漏电流、到整个器件的增加器件可靠性、改善开关性能、提高器件的开关速度等方面均有关注;并且每一种问题都会布局不同的专利。

围绕工艺、结构改进等核心技术手段，逐步朝着低成本、更快速度、更低损耗、更高耐压和稳定性等方面发展。

03

国内企业的碳化硅器件专利布局呈现的特点

由于国内碳化硅器件相关专利申请时间较晚，专利申请总量较少，共117项，布局区域集中于中国，少量PCT和美国专利申请。

申请的碳化硅器件与国际厂商的类似，授权率较低，驳回较多，大部分处于公开和审查阶段。某一企业相关专利较少，专利布局难度较大。

国内企业对于碳化硅器件的技术关注点主要包括降低导通电阻，低损耗，如何提高耐压、控制阈值电压提高器件稳定性以及沟槽的刻蚀工艺改进器件模拟分析等方面。另外核心技术主要围绕工艺、结构和先模拟分析来改变结构三个角度进行保护。

而在碳化硅迎来国产化发展的新机遇下，专利的申请、布局、运用是所有从业者都应该充分利用的有力武器。碳化硅企业在专利申请中不仅要同类产品多角度申请，还要针对难点，联合企业合力研发，以此来保护自由的市场和提高竞争力。

同时国内碳化硅企业必须要考虑，如何才能规避风险。一是技术保护风险，核心的技术/产品是否真正形成了有效的保护?二是侵权诉讼风险，随着市场格局的发展变化，我们国产的碳化硅器件或专利是否能准确预知和规避可能存在的侵权诉讼风险?而这些，都是国内相关企业应该考虑的问题。

头脑风暴来袭

国内碳化硅器件企业面临着哪些机遇和挑战？

国内的碳化硅企业能否完全实现碳化硅器件国产化？

国外碳化硅器件巨头发展多年，占据大量的市场，企业的发展和理念有哪些值得我们借鉴的地方？

随着电子产品的消费升级，碳化硅器件还有哪些新的应用场景和市场增长空间？

碳化硅器件制备过程中有哪些关键技术，这些关键技术是否被国内公司掌握，如何获得对于关键技术或者器件关键参数的突破？

......

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撰写：八五

排版：八五

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