前沿资讯 | 这家SISPARK毕业企业为解决 “卡脖子”问题迈出可喜一步

苏州国际科技园毕业企业——南大光电（300346.SZ）近日发布公告称，公司自主研发的ArF光刻胶产品继2020年12月在一家存储芯片制造企业的50nm闪存平台上通过认证后，近日又在逻辑芯片制造企业55nm技术节点的产品上取得了认证突破。认证评估结果显示，本次认证系选择客户55nm技术节点逻辑芯片产品的工艺进行验证，南大光电研发的ArF光刻胶的测试良率结果符合要求，表明其具备55nm平台后段金属布线层的工艺要求。这意味着南大光电在ArF光刻胶国产化、解决发达国家对我国关键技术领域“卡脖子”的问题迈出了可喜的一步。
据悉，全球光刻胶供应紧张，但需求持续高涨，这或许是光刻胶国产化的重大机遇。6月1日，受消息面影响，沪深股市光刻胶指数逆势上涨，南大光电以12.60%幅度领涨。光刻胶被称为半导体材料皇冠上的明珠。全球半导体技术持续进步背后，是光刻工艺持续迭代驱动的摩尔定律，缩短曝光波长主要是通过在光刻机等核心设备和光刻胶等核心材料的不断进步来实现。光刻胶及其配套化学品占半导体材料产值12%，行业技术壁垒和客户壁垒高，目前主要被日本、韩国和欧美国家垄断，特别是ArF浸润式（较先进的光刻胶技术，适用于28nm及以下）以及EUV等关键节点。据了解，我国光刻胶产业在技术难度相对较低的PCB领域国产化率约50%，但是在技术难度较高的IC和FPD光刻胶领域国产化率约为5%，供需不匹配，亟需国产化。而ArF 光刻胶的供应由日本企业垄断，头部聚集效应极为明显。根据前瞻产业研究院整理统计，2019 年日本龙头企业 JSR、信越化学、TOK 和住友化学包揽前四，分别占据全球 ArF 光刻胶细分市场 25%、23%、20%和 15%市场份额，总计市场份额达到 83%。而第五名的美国陶氏化学在 ArF 光刻胶领域只占据 4%的市场份额。南大光电2001年入驻苏州国际科技园，也是最早入园的企业之一。它是一家专业从事高纯电子材料研发、生产和销售的高新技术企业， 2012年8月7日在深交所创业板挂牌上市。凭借30多年来的技术积累优势，公司先后攻克了国家863计划MO源全系列产品产业化、国家“02—专项”高纯电子气体（砷烷、磷烷）研发与产业化、ALD/CVD前驱体产业化等多个困扰我国数十年的项目，填补了多项国内空白。2017年，南大光电承担了集成电路芯片制造用关键核心材料之一的193nm光刻胶材料的研发与产业化项目。通过承担国家重大技术攻关项目并实现产业化，南大光电形成了MO源、电子特气、ALD/CVD前驱体材料和光刻胶四大业务板块。凭借自身过硬的实力和良好的服务，公司与国内外重要的集成电路、LED优秀企业形成良好的合作关系。产品在LED、IC领域客户中广受好评。

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