【FITEE 2016-2017精选】碳纳米管场效应管四进制全加器设计与分析

内容介绍

中文摘要：

CMOS二进制逻辑受短沟道效应、功率密度及互连约束等条件的限制。非硅多值逻辑计算是克服上述问题的一种有效方案。本研究在碳纳米管场效应管（carbon nanotube field effect transistors, CNTFET）的基础上提出了两种高性能四进制全加单元。该全加单元利用了CNTFET独有的特性，如目标电压阈值可通过调整碳纳米管管径控制、CNTFET具有与p型和n型器件相同的迁移性。通过在Synopsys HSPICE中使用32 nm斯坦福综合CNTFET模型，在多种测试条件下对所述电路单元进行了仿真。与当前水平的四进制全加器相比，本文所采用的设计平均降低延迟32%，所需平均功率、能耗及静态功率分别为现有水平的68%、83%及77%。仿真结果表明，所述设计在生产制程、电压、温度变化、噪声耐受方面具有较好的鲁棒性。

关键词：

纳米电子；碳纳米管场效应管；多值逻辑；四进制逻辑

作者：

Mohammad Hossein MOAIYERI, Shima SEDIGHIANI, Fazel SHARIFI, Keivan NAVI

单位：

Faculty of Electrical Engineering, Shahid Beheshti University; Nanotechnology and Quantum Computing Lab, Shahid Beheshti University

本文引用格式：

Mohammad Hossein Moaiyeri, Shima Sedighiani, Fazel Sharifi, Keivan Navi, 2016. Design and analysis of carbon nanotube FET based quaternary full adders. Frontiers of Information Technology & Electronic Engineering, 17(10):1056-1066.

https://dx.doi.org/10.1631/FITEE.1500214

本文精要导读：

【FITEE 2016-2017 精选】系列：

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