北京化工大学何相磊等：氧化锆量子点用于非易失性电阻式随机存取存储器
中文摘要：
提出一种利用氧化锆量子点作为有源层的非易失性电阻式随机存取器。通过旋涂法制备Ag(上)/ZrO2(有源层)/Ti(下)典型的三明治结构存储器件。该优化器件具有较高高/低电阻差（约10Ω），良好循环性能（循环数大于100），较低转化电流（约1 μA）。通过原子力显微镜和扫描电子显微镜观察ZrO2有源层表面形貌和堆积状态。实验结果表明，ZrO2有源层紧密堆积，且由于ZrO2量子点分布均匀，ZrO2有源层粗糙度较低（Ra=4.49 nm）。分析了Ag/ZrO2/Ti器件导电机理，并研究银离子导电丝和氧空位对电阻开关记忆行为的影响。该研究为忆阻器材料开发提供了一种简单方案。关键词：
氧化锆量子点；电阻开关；存储器件；旋涂法作者：
| 何相磊，唐睿婕，杨峰，Mayameen S. KADHIM，王洁欣1，蒲源，王丹 单位： 北京化工大学有机无机复合材料国家重点实验室，中国北京市，100029；西南交通大学材料科学与工程学院材料先进技术教育部重点实验室，中国成都市，610031 本文引用格式： Xiang-lei He, Rui-jie Tang, Feng Yang, Mayameen S. Kadhim, Jie-xin Wang, Yuan Pu, Dan Wang, 2019. Zirconia quantum dots for a nonvolatile resistive random access memory device. Frontiers of Information Technology & Electronic Engineering, 20(12): 1698-1705.https://doi.org/10.1631/FITEE.1900363 |
全文下载地址：
关于本刊
Frontiers of Information Technology & Electronic Engineering（简称FITEE，中文名《信息与电子工程前沿（英文）》，ISSN 2095-9184，CN 33-1389/TP）是信息电子类综合性英文学术月刊，SCI-E、EI收录，最新影响因子1.033。前身为2010年创办的《浙江大学学报英文版C辑：计算机与电子》，2015年更为现名，现为中国工程院信息与电子工程学部唯一院刊。覆盖计算机、信息与通信、控制、电子、光学等领域。文章类型包括研究论文、综述、个人视点、评述等。现任主编为中国工程院院士潘云鹤、卢锡城，实行国际同行评审制，初次转达意见一般在2~3个月内。文章一经录用将快速在线。
FITEE官网：http://www.jzus.zju.edu.cn
期刊Springer主页：
http://www.springer.com/computer/journal/11714
在线投稿地址：
http://www.editorialmanager.com/zusc
为方便广大科研人员交流讨论，本平台建有以下学科微信群。有需要加群的用户，请加小编个人微信号fitee_xb，并留言想要加入的群，小编会拉您进群。营销广告人员请勿扰。
计算机科学与技术学术群 | 光学工程与技术学术群 |
控制科学与技术学术群 | 信息与通信学术群 |
电力电子学术群 | 人工智能学术 |
本公众号为中国工程院院刊《信息与电子工程前沿（英文）》（SCI-E、EI检索期刊）官方微信，功能包括：传播期刊的学术文章；为刊物关联学人（读者、作者、评审人、编委，等）提供便捷服务；发布学术写作、评审、编辑、出版等相关资讯；介绍信息与电子工程领域学术人物、学术思想、学术成果，展示该领域科学研究前沿进展；为该领域海内外学者提供友好互动平台。