VASP钙钛矿/半导体/缺陷/催化计算培训：二维结构/异质结/掺杂/电子/吸附/缺陷性质/催化性质

半导体材料广泛应用于各类电子器件中，直接影响的人们的生活水平和科学技术的发展。在各种半导体材料中，钙钛矿和二维材料受到了科研人员的大量关注，尤其是他们的电子和催化性质。

VASP是目前最流行的DFT计算软件，每年运用VASP计算结果发表论文的数量稳居同类软件之首，擅长计算半导体材料的结构性质、电子结构、吸附于催化性质。

本次课程将运用VASP软件计算钙钛矿半导体的结构、电子、吸附、缺陷性质，二维半导体的结构与电子性质，掺杂半导体的催化HER和OER的性质。

线上直播，提供回放视频，课程群永不解散，随时提问，及时解答。

12月19日开课，前20位报名立减500元！近半年直播仅此一期哦！

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讲师介绍 

朱老师：华算科技技术资深专家，同济大学本科直接攻读博士学位（4年），海外3年以上博后经历，发表高质量独立一作SCI论文30篇，回国后被授予深圳市海外高层次人才，拥有13年VASP重度使用经验，成功讲授50+场VASP计算培训和超过6万人的学习理论计算公开课。

课程一览 

课程介绍 

1

VASP理论背景与输入输出文件

VASP是目前最流行的一款基于密度泛函理论的第一性原理模拟软件包，借助于超算平台运行在Linux操作系统下。

本章介绍密度泛函理论，VASP输入文件INCAR、POSCAR、KPOINTS、POTCAR和输出文件内容、超算平台远程连接、Linux操作系统基础命令。这能够让大家了解VASP的运行流程和操作步骤，为后续案例计算打下基础。

2

钙钛矿结构性质计算

钙钛矿是目前最热门的半导体材料之一，广泛应用于太阳能电池等领域。钙钛矿的结构性质直接影响着器件的稳定性。

本章介绍有机、无机钙钛矿的晶体、表面模型构建与优化计算，并通过分子动力学模拟检验含有机分子钙钛矿的结构稳定性。

3

钙钛矿电子性质

钙钛矿电子性质对器件性能有着重要影响。本章介绍钙钛矿结构的电荷分布、电子态密度、能带结构、电子轨道杂化、投影电荷密度分布等电子性质计算。

运用VESTA软件处理电荷密度数据并绘制三维和二维图。

4

钙钛矿吸附性质

钙钛矿的吸附性质决定了其催化性能。本章介绍钙钛矿对有机小分子的吸附计算，具体包括吸附构型、吸附能、结合能、差分电荷密度、电荷转移、原子轨道杂化。运用VESTA软件绘制差分电荷密度图。

5

半导体缺陷性质

半导体结构中的缺陷会使得器件性能下降。本章介绍钙钛矿结构中常见的空位和间隙位的形成能、热力学转变能级、缺陷对电子结构影响的计算。运用VESTA软件构建缺陷模型。

6

二维半导体结构性质

二维半导体材料相较于三维结构具有较大的表面积，有利于调控电子性质。

本章介绍二维半导体结构的模型构建与结构优化，异质结构的模型构建、结构优化、结合能、差分电荷密度计算。运用VESTA软件构建异质结构模型。

7

二维半导体电子性质

二维半导体材料具有独特的电子结构，尤其是禁带宽度和载流子有效质量。

本章介绍二维结构的功函数，异质结构界面的静电势分布、能带结构，垂直电场及双轴向应变对能带结构调控的计算。

8

掺杂半导体催化HER性质

H₂O分解制是利用氢能源的有效手段。阴极发生还原反应，即H₂析出反应（HER）。半导体是一类常见的催化剂，掺杂能够调控位点活性。

本章介绍掺杂半导体在酸性、碱性调节下催化HER计算，具体包括催化剂d带中心、吸附H、H-OH、H₂O的构型和自由能、H₂O分解路径和势垒搜索。

9

掺杂半导体催化OER性质

H₂O分解过程中阳极发生氧化反应，即O₂析出反应（OER）。本章介绍OER过程的路径、掺杂半导体在酸性、碱性调节下催化OER计算。

具体包括吸附O、OH、OOH的构型和自由能、OOH脱H反应路径与势垒、电压对自由能的影响。

报名方式 

课程主题：钙钛矿半导体的结构、电子、吸附、缺陷性质，二维半导体的结构与电子性质，掺杂半导体的催化HER和OER的性质计算

主办单位：深圳华算科技有限公司（拥有VASP、Materials Studio、Gaussian商业版权）、山西省超级计算中心

课程时间：12月19日至12月23日，每天9:00-17:00（5天24课时）

培训形式：线上直播，提供回放视频，课程群永不解散，随时提问，及时解答。

课程费用：2980元，前20位报名立减500元，限时赠送价值699元量子化学理论入门宝典《计算量子化学入门必备线上课程》。

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