【传闻】三星抢得海思7nm订单,新厂12月动工；全球首个端到端5G NR系统互通亮相中移全球合作伙伴大会
1传三星抢得海思7nm订单，新厂12月动工；
2.全球首个端到端5G NR系统互通亮相中国移动全球合作伙伴大会；
3.半导体所开发出可穿戴气体传感器与实时显示系统；
4.深圳基本半导体参与制定第三代半导体技术路线图
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1传三星抢得海思7nm订单，新厂12月动工；
集微网消息，高通重回台积电怀抱，三星电子全力出击争夺新客户。近日传出三星即将和两家厂商签订7纳米的晶圆代工订单。不只如此，三星还打算尽快量产6纳米制程，夺取台积电市占。
韩媒etnews消息，业界消息指出，三星电子正与两家大型半导体厂商商讨7纳米的晶圆代工订单，一家是美国厂商、另一家是中国厂商。美国厂商同意请三星试产，并已开始相关准备。中国厂商是移动装置的系统单芯片（SoC）开发商，考虑改请三星代工7纳米制程。
此前，集微网曾报道海思在7纳米制程第二供应商的选择上，传出三星、格芯、英特尔纷全力争取，现在看来是三星更占优势。据悉，三星有意以OLED面板、DRAM和NAND Flash存储器等零组件资源作为诱因，希望海思能到三星投片7纳米制程。尽管两家在智能手机市场是竞争对手，但零组件的搭售策略不失为一大诱因。
然而，在7纳米的量产时间上，三星略晚于台积电。不过台积使用传统的浸润式步进机（stepper）生产7纳米，三星采用极紫外光（EUV）的微影制程生产，三星预计，争取到两家新客户之后，加上三星自家的Exynos处理器订单，三星的7纳米和11号产线每月将生产4万至5万组芯片。
同时，三星打算尽快量产6纳米制程，夺回跳槽台积电的老客户。三星为此做好准备，向半导体设备生产商艾司摩尔（ASML）寄发意向书，准备购买9部EUV设备。一部已运入韩国华城厂，另一部今年底安装，其他将陆续引进。
先前传出三星位于华城的晶圆代工厂踢铁板，华城市政府拒发执照。如今三星低头，同意华城市府要求，有望在12月初取得执照。
IC Insights最新发布2017全球半导体厂商营收排行，统计指出，三星今年营收预估可达656亿美元、市场份额达到15%，将会挤掉英特尔，成为全球最大半导体厂。 这将是英特尔自一九九三年起稳居半导体业龙头24年来，首度交出冠军宝座。三星 2017 年的资本支出达到 260 亿美元，创造史无前例的纪录，其中在晶圆代工的部分，将花费 50 亿美元用于提升 10 纳米制程的制造能力。
在人才方面，三星拼命从各大公司挖角人才，快速缩小和联电、台积电的差距。业界人士透露，前格芯（GlobalFoundries）主管 Kye Jong-wook，上个月跳槽至三星，将在晶圆代工部门担任研发办公室的设计实现（design enablement）团队主管。
2.全球首个端到端5G NR系统互通亮相中国移动全球合作伙伴大会；
—中国移动、中兴通讯及Qualcomm合作实现5G新空口技术发展重要里程碑—
集微网消息，11月24日，中国移动、中兴通讯和Qualcomm在广州举行的中国移动全球合作伙伴大会上举行了端到端5G新空口（5G NR）系统互通发布仪式，首次公开演示完全符合3GPP标准的端到端5G新空口系统互通，端到端5G新空口系统采用中兴通讯5G新空口预商用基站和Qualcomm的5G新空口终端原型机，采用3.5GHz频段。中国移动研究院院长张同须、中国移动研究院副院长黄宇红、中兴通讯副总裁及TDD&5G产品总经理柏燕民，以及Qualcomm中国区董事长孟樸等嘉宾出席发布仪式，并共同开启系统互通的现场演示。这是5G新空口技术向大规模预商用迈进的重要行业里程碑，并将推动符合3GPP标准的5G网络和终端产业快速发展。
从左至右：中兴通讯TDD&5G产品副总经理柏钢、Qualcomm Technologies高级副总裁兼QCT中国区总裁武商杰、中兴通讯副总裁及TDD&5G产品总经理柏燕民、中国移动研究院院长张同须、Qualcomm中国区董事长孟樸、中国移动研究院副院长黄宇红、Qualcomm Technologies业务发展副总裁王瑞安
中国移动研究院院长张同须表示：“此次中国移动、中兴、Qualcomm 系统互通的成功发布，标志着5G产业的发展进入到全新阶段。中国移动将继续联合各方合作伙伴，推动 5G产业链整体进一步发展和成熟，为实现2020年5G的商用做出努力。”
中兴通讯副总裁及TDD&5G产品总经理柏燕民表示：“中兴通讯非常荣幸与中国移动和Qualcomm完成此次系统互通演示。产业间各方合作是实现5G商用的重要举措，中兴通讯将一如既往地推动5G研发进程中各阶段的测试和验证，促进5G在全球各地区的商用实现。”
Qualcomm中国区董事长孟樸表示：“此次由运营商、系统厂商和芯片厂商三方共同完成全球首个端到端5G新空口系统互通，是5G发展的一次重要里程碑事件，我们感到非常振奋。未来，Qualcomm将继续联合中国运营商、系统厂商和终端厂商，以及更广泛的垂直行业合作者，把更加充足的资源投入到5G研发的下一阶段工作中，全力支持中国的5G产业发展。”
目前，Qualcomm正携手中国产业界积极推进5G快速发展。作为中国移动5G联合创新中心首批合作伙伴，Qualcomm在2016年即联合中国移动展示5G 新空口原型系统，以求共同推动5G全球统一标准，共同支持3GPP 5G标准化工作。Qualcomm早在多年前就开始对5G进行前瞻性研发，并致力于推动5G新空口全球标准的制定，为3GPP标准化活动做出重要贡献。
Qualcomm推出的其首款5G智能手机参考设计
在产品方面，Qualcomm已经推出首个5G调制解调器——骁龙X50 5G调制解调器系列，可通过单一芯片支持2G/3G/4G/5G多模，支持全球5G新空口标准和千兆级LTE。2017年10月，Qualcomm 成功基于骁龙X50 5G调制解调器实现全球首个正式发布的5G数据连接，实现了千兆级速率以及在28GHz毫米波频段上的数据连接。去年，Qualcomm是首家发布5G调制解调器芯片组的公司，在十二个月内实现从产品发布到功能性芯片的能力，充分表明Qualcomm在历代蜂窝技术方面的领先优势目前正延伸至5G。此外，Qualcomm也已经推出其首款5G智能手机参考设计，旨在于手机的功耗和尺寸要求下，对5G技术进行测试和优化。
3.半导体所开发出可穿戴气体传感器与实时显示系统；
中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室沈国震课题组近日开发了一种新型的由微电容阵列驱动的可穿戴气体传感器与实时显示系统。相关研究成果已发表于《纳米能源》。
平面微型电容器是柔性可穿戴电子设备的最佳的供能器件。但是单个的电容器电压窗口较小，能量密度较低，很难连续不间断地为可穿戴器件供能。解决这个问题最便捷的方式是将多个微型电容器串联形成阵列为可穿戴集成系统的功能单元供电。到目前为止，已经有许多不同类型的电容器阵列驱动的集成探测系统相继被开发出来，但是与光探测、压力传感器相比，气体传感器对目标气体的响应时间长，相应的能耗更大，对能源器件的要求更高，加大了集成的难度。因此，对自驱动气体传感器这一集成系统的研究具有重要的意义。
该集成系统由基于电沉积聚吡咯电极材料的圆形电容器阵列、基于碳纳米管/聚苯胺材料的常温乙醇气体传感器和原位气体分析与显示系统组成。所组装的电容器的面积比电容为47.42mF/cm2，气体传感器在常温下对乙醇气体的响应回复时间分别为13s和4.5s。当有气体进入传感器中时，气体传感器两边的电流会发生变化，电路板中元件会采集这个变化并进行计算，与预先存储的标准曲线进行比较从而得出气体的浓度值，再经蓝牙把信号传输到手机，随即手机APP上会显示出对应的气体浓度并绘制出实时的I-t曲线，在个性化酒驾测试等领域都具有广泛的应用前景。科学网
4.深圳基本半导体参与制定第三代半导体技术路线图
日前，第三代半导体技术路线图工作组第6次研讨会在香港应科院召开，深圳基本半导体有限公司作为工作组成员单位出席活动，参与制定技术路线图并展开讨论。
为产业发展建言献策是企业义不容辞的责任和义务，作为碳化硅功率器件的创新型企业，基本半导体将充分利用自身优势积极参与相关工作。公司从海外引进国际一流的研发团队，核心成员拥有几十年半导体材料及器件工艺的研发经验，掌握了国际领先的碳化硅核心技术，对第三代半导体技术发展有着极大热情和深刻见解。此次参与的国际技术路线图制定，对中国第三代半导体产业将产生深远影响，对产业链上下游企业发展同样具有指导意义。
工作组自2017年3月成立，目前已经完成了初版的技术路线图，来自政府、公司和产业界的专家40多人参加了会议，总结工作组的阶段性成果并布置下一阶段的任务。第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲理事长表示，当前大家合力制定第三代半导体技术路线图，正好赶上了产业发展的难得机遇，不但市场有巨大的需求，国家也在制订相关政策支持产业的发展。
第三代半导体是下一代绿色新型材料之一，拥有巨大的应用市场，以碳化硅器件为例，其市场容量正以每年25~39%的速度增长，预计到2020年整个碳化硅器件的市场容量将超过10亿美元。中国在第一代、第二代半导体领域严重落后国外先进水平，每年进口2000亿美元的电子器件，难以实现突破赶超。但是在第三代半导体材料方面的研究工作一直紧跟世界前沿，只要抓紧时机，加大芯片器件方面的开发力度，我国将有望集中优势力量一举实现新一代碳化硅功率芯片的弯道超车和占位领跑。
基本半导体积极响应国家扶持新兴产业发展的号召，整合海外领先技术和国内产业资源，致力于碳化硅功率器件的研发与产业化，产品未来将广泛应用于电动汽车、光伏、PFC、电机驱动、光伏、电动汽车等领域，为我国第三代半导体产业的快速发展推波助澜。
福建法治报
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