【公告】四部委公布享受集成电路进口税收优惠企业名单；SITRI国内首条8英寸“超越摩尔”研发中试线通线成功
1.四部委公告享受集成电路进口税收优惠政策企业名单；
2.丁文武:国内集成电路技术水平持续提升 国际合作聚焦高端；
3.SITRI国内首条8英寸“超越摩尔”研发中试线通线成功；
4.上海微系统所实现实用化超导单光子探测器性能重要突破；
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1.四部委公告享受集成电路进口税收优惠政策企业名单；
集微网消息，12月1日，发改委、工信部、财政部、海关总署联合公告，落实现行集成电路生产企业有关进口税收优惠政策。公布线宽小于0.25微米或投资额超过80亿元、线宽小于0.5微米(含)的集成电路生产企业名单，其中包括杭州士兰微电子股份有限公司投资设立的杭州士兰集成电路有限公司，中芯国际集成电路制造有限公司旗下各地分公司等。
全文如下：
为贯彻《国务院关于印发进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的通知》(国发〔2011〕4号)，落实现行集成电路生产企业有关进口税收优惠政策，经确认，现将线宽小于0.25微米或投资额超过80亿元、线宽小于0.5微米(含)的集成电路生产企业名单公布(详见附件)。名单中存续企业继续执行，新增企业自公告之日起执行。
此前相关政策文件公布的享受集成电路生产企业进口税收优惠政策的企业名单与本公告所列名单不一致的，以本公告为准。根据行业发展状况和企业变化情况，将适时对企业名单进行调整并公布。
特此公告。
附件：线宽小于0.25微米或投资额超过80亿元、线宽小于0.5微米(含)的集成电路生产企业名单
国家发展改革委
工业和信息化部
财 政 部
海 关 总 署
2017年11月24日
2.丁文武:国内集成电路技术水平持续提升 国际合作聚焦高端；
原文标题：丁文武：国内集成电路技术水平持续提升 国际合作聚焦高端芯片和先进工艺
集微网消息，近日由中泰证券举办的“2017中国半导体产业百人高峰论坛”在上海东郊宾馆举行，在会上，国家集成电路产业投资基金总裁丁文武以《中国半导体产业机遇与挑战》为主题，与参会人员分享了目前中国半导体产业的现状。
在会上，丁文武表示，目前中国的半导体产业规模稳步增长，产业结构也进一步调整优化。从数据上来看，2016年全球半导体市场为3389亿美元，只增长了1.1%，而2016年中国集成电路产业实现销售额为4335.5亿元，同比增长20.1%，远高于全球1.1%的增长速度。同时，产业链各环节占比趋于合理，区域集聚发展效应更加明显。
设计业和制造业快速增长，封装测试业平稳增长
同时，丁文武表示，目前集成电路设计业和制造业保持着快速增长，集成电路封装测试业也在平稳增长。首先，在设计业方面，据IC Insights数据显示，2016年全球 Flabless 公司销售达889亿美元，其中，2016年设计业销售额为1644.3亿元（247.3亿美元），比2015年的1325.0亿元增长24.1%，占全球集成电路设计业的比重提升至27.82%。
其次，在制造业方面，丁文武认为，在大基金的强力拉动下，我国集成电路制造业正在迎来新一轮的高速增长，2016 年销售额达到 1127 亿元，增长25.1%。未来几年，制造业的年均复合增长率有望保持在两位数以上。
最后，在封装测试业方面，丁文武认为，我国集成电路封装测试业保持平稳增长，2016 年销售额达到1654 亿元，增长 13%。2008-2016 年 8 年间的年均复合增长率为 12.31%。未来几年，封测业的增长势头将继续保持，但总体规模被芯片设计业超越。
技术水平持续提升，骨干企业竞争力明显提升
目前国内集成电路各个产业的工艺进程情况是怎样的呢？对此，丁文武分享到，在芯片设计方面，16nm先进设计芯片占比进一步增加，SoC 设计能力接近国际先进水平；在芯片制造方面，32/28nm 工艺实现规模量产，16/14nm 工艺研发取得阶段性进展；在芯片封测方面：3D、系统级、晶圆级先进封装加快布局，中高端封装占比提升至 30%；在装备材料方面：关键装备和材料进入国内外生产线，部分细分淋雨进入全球前列。
同时，在装备材料方面，丁文武还举例指出，中微半导体高端介质刻蚀机出货，七星华创和北方微合并，代表着部分高端装备已进入国内先进代工生产线。此外，硅产业集团入股 SOITEC，SOITEC 授权上海新傲，量产8英寸 SOI 片。硅产业集团控股上海新晟，投资 12 英寸硅片。
国际合作层次不断提升，高端芯片和先进工艺合作成为热点
在国际合作方面，丁文武认为，目前国际跨国大企业在华发展策略逐步调整,国内企业资源整合、国际合作加快推进。包括以下几大事件：
2016 年7 月 25 日，英待尔公司在大连市投资 55 亿美元建设的世界最先进非易失性存储器制造工厂；美国高通与贵州省政府成立了合资公司华芯通,开发基于ARM架构的高性能服务器芯片；台积电与南京市政府达成协议，在中国大陆建立第一座 12 英寸生产线,采用 16 纳米工艺；联电与厦门市政府达成协议，合作兴建 12 英寸生产线,实现 40 纳米通讯芯片最产；格罗方德落户成都、ARM(中国)落户深圳。
3.SITRI国内首条8英寸“超越摩尔”研发中试线通线成功；
集微网消息，致力于“超越摩尔”产业发展的创新平台上海微技术工业研究院（SITRI，以下简称“工研院”）运营的8英寸“超越摩尔” 研发中试线首款传感器产品近日获得验证通过，正式宣告研发中试线通线成功。
当前以智能传感终端、大数据、云计算、人工智能等为代表的信息技术正加速创新，万物互联智能化时代正在到来。其中“超越摩尔”技术以传感器为核心，结合射频、功率、微能源等技术，是未来实现万物互联的基础。纵观我国超越摩尔领域现状，虽经历多年的理论研究与技术验证，积累了大量宝贵的知识和经验，但在真正放进产品进行实际应用时往往存在与生产平台脱节的情况。这都是源于MEMS产品的研发所涉及的技术链条较长，且其“非标”特性使得它的研发与创新需要和产线有一段比较长的磨合期，不同于CMOS的标准工艺，可以说对产线“严重依赖”。而中试就是必经阶段，是目前国内传感器厂家共同面临的挑战，据统计，科技成果经过中试，产业化成功率可达80%，未经中试成功率仅有30%。基于此背景，工研院立足拥有国内一流集成电路研发和产业基础的上海，志在实施超越摩尔计划，争取在这一领域与国际领先水平并行。作为创新型功能平台，8英寸研发中试线落户嘉定，填补了国内这一领域的空白。
研发中试线专注于“超越摩尔”产品与技术，拥有近5000平方米的高等级微纳加工超净厂房，可以全面开展表面、体、3D微纳加工技术以及新工艺、新器件、新系统的研发和量产。研发中试线着重开展表面硅、体硅、3D微纳加工工艺的开发，并根据“超越摩尔”产品和技术特点部署MEMS、硅光子、射频、硅基III-V族、3D集成、MR磁、功率及生物等相关工艺和量测设备，提供全方位的产品研发、小批量生产、技术培训、设备验证等服务，为国内外客户提供优秀的全程服务。研发线的技术路线与设备选型参照了国内外主流代工厂的配置，提升了研发的成功率，有助于实现研发到量产无缝衔接。
SITRI 8英寸研发中试线工艺能力布局图（来源：SITRI）
“这次的通线成功标志着中国在MEMS及先进传感器的研发和产业化进入一个全新的快速发展的阶段。未来研发中试线将持续发力，在新材料、新工艺、新器件、新系统重点技术领域开展研发，进一步推动“超越摩尔”产业链的完善和物联网创新应用发展。”上海微技术工研院总裁杨潇表示。
以全球领先的8英寸“超越摩尔”研发中试线为支点，工研院将持续打造集研发、工程、市场、孵化的一体化功能平台，为创新企业及合作伙伴提供全方位的服务和解决方案，建设具有全球影响力的科技创新中心及“超越摩尔”产业群。
4.上海微系统所实现实用化超导单光子探测器性能重要突破；
集微网消息，据中国科学院网站报道，超导纳米线单光子探测器（SNSPD）是本世纪初出现的一种新型的单光子探测技术，其探测效率、暗计数、时间抖动等性能指标明显优于传统的半导体单光子探测器，受到国内外学术界的广泛关注，并已经广泛应用于量子通信、量子计算等领域，并有力推动了量子信息技术的发展。
在光纤通信1550纳米工作波长，美国国家标准与技术研究所Marsili等人采用极低温超导材料WSi制备的SNSPD，实现了最高探测效率达93%。然而，WSi-SNSPD通常工作在1K以下工作温度，必须采用昂贵复杂的深低温制冷机（比如稀释制冷机等），这极大限制了这类高性能单光子探测器的应用。
国内外众多研究人员在努力采用更高超导转变温度的NbN材料研制SNSPD，以期在2K以上工作温度实现高探测效率，采用小型化用户友好的闭合循环制冷机就可以工作，从而大大降低使用成本。经过10多年的努力，NbN-SNSPD探测效率最高只达到80%左右，和WSi-SNSPD探测效率有明显差距。要想达到90%以上的探测效率，需要同时对多个不同的参数，如光耦合效率、光吸收效率、本征探测效率等进行优化，到目前为止尚未有成功报道。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所（中科院超导电子学卓越创新中心）研究员尤立星团队开展超导单光子探测研究近10年，在探测器研制和应用方面取得了多项国际领先成果，受到了国内外广泛关注。与中国科学技术大学潘建伟团队合作，曾多次创造量子信息领域实验的世界纪录，并保持了目前光纤量子通信404公里世界纪录。
该团队的最新成果揭示，基于小型闭合循环制冷机，2.1K工作温度下，NbN-SNSPD系统探测效率（1550 nm工作波长）可以超过90%。随着温度降低到1.8K，探测效率可以进一步提升到92%。SCIENCE CHINA Physics, Mechanics & Astronomy 2017年第12期以封面文章形式报道了这一发现。日本情报通信研究机构SNSPD研究著名学者Shigehito Miki在杂志同期以Quest towards ultimate performance in superconducting nanowire single photon detectors为题进行了评述。论文第一作者为助理研究员张伟君，通信作者为尤立星。
论文发表后受到了广泛关注，众多国外科技媒体报道或转载该成果。本文工作获得了国家重点研发计划项目“高性能单光子探测技术”、中科院B类战略性先导科技专项“超导电子器件应用基础研究”、国家自然科学基金以及上海市科委等的资助。
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