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【重磅】DRAM下季度再涨5%,已连涨七季历史最长;下季度NAND Flash产业供过于求将致价格走跌

2017-12-12 亲,请点这里: 集微网

1.DRAM下季度再涨5%,已连涨七季历史最长;

2.扩产与淡季影响,2018 Q1 NAND Flash产业供过于求将致价格走跌;

3.英特尔与GlobalFoundries公开新一代制程技术细节;

4.稳懋董事长陈进财:Avago入股有三大重要意义;

5.2021年全球IC市场规模4345亿美元 汽车与物联网IC应用成长最快


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1.DRAM下季度再涨5%,已连涨七季历史最长;



集微网消息,DRAM严重供不应求,三星明年首季再涨价3%至5%之后,SK海力士 下季也将涨价约5%,全球DRAM价格连续七季上扬,是历来涨势最久的一次。


业界解读,三星、海力士下季涨价态度坚决,等于向全球宣告,韩系大厂决定维持DRAM价格持稳不坠的决心,消除外界认为两大韩厂打算调降售价格,防止中国DRAM竞争对手窜起的流言。


手机中国联盟秘书长王艳辉认为,有人说三星疯狂扩产存储器是为了将中国存储器产业扼杀在萌芽,有点太看得起自己,虽然明年大陆存储器产业开始进入试产阶段,要与三星、海力士抗衡,至少还需要三到五年的时间,中国存储器产业要崛起至少需要五到十年的时间,现在还处于交学费阶段。


台湾DRAM相关厂商透露,三星、SK海力士陆续通知明年首季调涨DRAM售价,由于二大韩系厂全球DRAM份额总计近八成,在寡占优势下,下游厂商只能接受涨价。 一般预料,这波涨价,更确立这波DRAM多头行情,让DRAM成为明年获利最稳定的电子零组件代表。


业界人士分析,造成此波DRAM供不应求,除了来自人工智能、车用、云端服务器、物联网、笔记本电脑和移动设备等需求齐发,需求瞬间大增,但主要芯片厂多集中发展3D NAND Flash,压缩DRAM产能增幅,在「 需求大增、供给增加有限」下,市场供需严重失衡。


由于需求太强劲,此波DRAM价格从去年下半年以来每季都调涨,加计下季持续涨价,报价连续七季走扬,堪称DRAM史上时间最长的多头行情。


业界分析,三星与SK海力士在明年淡季持续调涨售价,反应无意打破目前DRAM供不应求、获利稳定的情况,也将藉由DRAM的获利,作为未来在3D NAND Flash发动价格战的主要凭借, 并消除外市场买盘观察的预期心理。


2.扩产与淡季影响,2018 Q1 NAND Flash产业供过于求将致价格走跌;


集微网消息,根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)研究指出,2018年第一季在需求端面临到传统淡季的冲击,包含平板电脑、笔记本电脑以及以中国品牌为主的智能手机装置量需求将较2017年第四季下跌逾15%,而服务器需求相对持平,整体位元需求量较2017年第四季呈现0-5%下跌。另一方面,NAND Flash供货商仍持续提升3D-NAND Flash的产能及良率,位元产出成长亦较第四季高于5%,预期NAND Flash市场将进入供过于求态势,2018年第一季固态硬盘、NAND Flash颗粒及wafer等合约价皆将翻转走跌。



回顾2017年上半年,第一季在供给端由于2D-NAND转往3D-NAND导致产能损失,加上中国手机厂商如Huawei、OPPO、vivo的强劲备货需求,加剧NAND Flash缺货状况,包含eMMC/UFS、Client SSD及Enterprise SSD合约价都有至少10%以上的价格涨幅。进入第二季后,尽管工作天数恢复,促使笔记本电脑及平板电脑等装置的需求较前一季增加,但中国品牌手机表现不如预期,价格涨幅因此较前季趋缓。


观察2017年下半年NAND Flash市场变化,第三季在苹果十周年新机上市以及服务器的双头马车带动下,整体供应缺口进一步扩大,但价格经过数季的调涨以后,已经来到各个OEM厂所能接受的上限,致使价格调涨空间受限。第四季在服务器需求稍踩剎车的影响下,仅剩苹果的需求动能较为显著,而东芝晶圆报废一事亦不如外传严重,加上3D-NAND的扩产脚步未停,致使市场更趋向供需平衡状态,整体合约价以持平或小涨开出。


DRAMeXchange指出,随着NAND Flash市场2018年第一季重新进入供过于求市况,并使得终端产品调整降价后,各大OEM厂采用较新技术的产品如UFS、PCIe接口SSD的意愿将随之提升,并将加速提升产品搭载容量,因此在2018下半年,随着传统旺季到来,NAND Flash有机会转为供给紧缩的市况,上下半年将呈现不同的市场走势。



3.英特尔与GlobalFoundries公开新一代制程技术细节;



在2017年度IEEE国际电子组件会议(IEDM)上,Intel与GlobalFoundries分别介绍了让人眼前一亮的新一代制程技术细节...


在近日于美国旧金山举行的2017年度IEEE国际电子组件会议(International Electron Device Meeting,IEDM)上,英特尔(Intel)透露了将在10纳米制程节点的部分互连层采用钴(cobalt)材料之计划细节,GlobalFoundries则是介绍该公司将如何首度利用极紫外光(EUV)微影技术决战7纳米制程节点。


Intel表示将在10纳米节点互连的最底部两个层采用钴,以达到5至10倍的电子迁移率改善,以及降低两倍的通路电阻(via resistance)。市场研究机构VLSI Research董事长暨执行长G. Dan Hutcheson表示,这是第一次有芯片制造商分享将钴材料应用于制程技术的计划细节,这种易碎金属一直被视为具潜力的介电质候选材料。


Globalfoundries先前就表示将在7纳米节点采用EUV,该公司介绍了一个完全以浸润式光学微影为基础的平台,但被设计成能在特定层级导入EUV,以改善周期时间与制造效率;该公司技术长暨全球研发副总裁Gary Patton在接受EE Times采访时表示,EUV仍有一些问题需要解决,包括光罩护膜(pellicle)以及检测技术。Globalfoundries目前在纽约州北部的Fab 8晶圆厂安装了第一套EUV量产工具。


Hutcheson接受EE Times访问时表示,他对于Intel与Globalfoundries 在IEDM上的技术简报印象深刻,不过也补充指出,对硬底子技术专业人士来说,技术细节的缺乏还是令人失望,但芯片业者通常会希望保留专有技术信息:「这些人不会愿意放弃任何东西;」他还表示,两家公司都展示了新技术在逻辑晶体管密度方面的提升,与前一代技术相较可达到两倍以上,这意味着产业界仍然跟随着摩尔定律(Moore’s Law)脚步。


Intel与Globalfoundries先前都曾发表最新制程技术;Intel的10纳米节点是在3月首度亮相,采用自我校准四重图形(self-aligned quadruple patterning,SAQP)技术,为鳍片宽度7纳米、高度46纳米,间距34纳米的FinFET结构。


Globalfoundries则是在9月首度发表7纳米制程,采用SAQP制作鳍片,并以双重图形进行金属化,号称与该公司授权自三星(Samsung)的14纳米制程相较,其逻辑密度提升了2.8倍、性能提高40%、功耗降低55%。Intel与Globalfoundries的制程都支持多电压临界值(multiple voltage thresholds)。


介电质材料点燃新战火


Intel将在10纳米节点以钴进行触点金属化(contact metallization),可能会成为先进半导体制程战场上的差异化特点;Globalfoundries则将在7纳米节点继续采用半导体产业在过去几个节点使用的铜/低介电材料(low-k dielectrics)。


Globalfoundries的Patton与负责介绍7纳米技术的技术团队杰出成员Basanth Jagannathan在IEDM简报后接受EE Times采访时表示,继续采用铜/低介电材料是因为其具备可靠度优势,能降低技术复杂度与良率风险:「铜材料仍有很大的利用空间。」


另一个Globalfoundries制程技术的显著差异特性,是在后段金属化采用双重图形;对此Jagannathan在简报中说明,利用SAQP可能供密度优势,但会对客户仰赖的灵活性有严重妨碍。「我们提供的是晶圆代工技术,」他指出:「需要迎合各种不同的设计。」Pattom则对EE Times表示,在后段制程继续采用双重图形,「不代表我们密度不够,并不是一切都与间距有关;我们是以另一种有点不同的方法达成密度目标。」


在IEDM上,Intel除了透露10纳米制程细节,还提供了另外一篇论文介绍22纳米FinFET低功号制程技术,也让VLSI Research的Hutcheson印象深刻;他表示,这种制程──被视为手机与RF应用之理想选择──说明了一种新趋势,就是晶圆代工业者正纷纷「走回头路」,优化较旧制程节点。


Globalfoundries的Patton在今年的IEDM还获颁IEEE Frederik Philips奖项,表彰他对产业界的影响力以及领导开发先进微电子技术、推动合作研发计划的成就;他表示他第一次参加IEDM的时候还是学生,而且已经是35年前的事了。


Globalfoundries技术长Gary Patton


(原文发表于Aspencore旗下EDN姐妹媒体EETimes,参考原文:Few Surprises as Intel, GF Detail Process Technologies;编译:Judith Cheng)


4.稳懋董事长陈进财:Avago入股有三大重要意义;


全球最大的晶圆代工厂稳懋半导体 (3105)董事长陈进财强调,Avago入股稳懋有三大意义: 引进世界级的长期伙伴、稳固稳懋在 5G 和光通讯的布局,以及稳懋会再增加新的HBT订单。


砷化镓晶圆代工大厂稳懋上周五(8)日召开董事会,宣布私募案将引进策略投资人,并非先前外界猜测的苹果3D感测设计公司Lumentum,而是更大咖的全世界第二大半导体厂安华高(Avago),预计认购2,000万股, 私募定价277元,将募集55.4亿元。


由于一个月前双方就约定12月8日为订价日,如果以稳懋前一日的收盘价267元计算,完全幅符陈进财对外宣称的「不折价」,且还溢价,凸显稳懋的产业地位和价值,陈进财在上周六 (9日)参加友人女儿婚礼时接受独家专访指出, 技术自主和技术多元是稳懋的核心价值,未来无论5G的规格如何,稳懋都有足够的技术可以应付。


问:Avago入股的意义对稳懋最大的意义是什么?


答: 对稳懋而言是等于引进世界级的长期伙伴,而Avago和Broadcm合并,就是积极在5G布局,Avago在5G和光通讯的布局都很强,这有利于稳懋在5G的布局,再者是Avago放弃HBT的产能,专心作它强项的产品, 过去Avago的HBT有一半自己作,一半给稳懋作,因此未来也会把另外一半的订单给稳懋。


问:稳懋与Avago密切合作,竞争对手会有戒心吗?


答: 目前全球三大IDM厂,包括Avago、Skyworks和Qrovo都是稳懋的客户,稳懋只是作代工,我们是技术服务公司,我们没有作产品,所以Avago不会介入经营,维持代工的独立性,这是双方合作很重要的条件, Avago有充分的认知和了解。


问: 最近三安公告投资333亿人民币,冲着化合物半导体而来,你如何看这件事?


答: 正面看待,因为所有国家都要发展,大陆当然很积极,就算他不会别人也会做,大陆有补救,以前是LED,三安总要找新的项目投入。


但化合物半导体,技术的累积相当重要,稳懋的核心价值就在技术自主和技术多元。 我2003年去稳懋接董事长,就建立担责的企业文化,且要求技术要自主,稳懋每年投资的研发占营业额的6%,占营业费用的一半以上; 技术多元,就是三五族可以作到技术都要覆盖,我们的总经理真的很棒,且有很多团队在进行,技术真的很棒,不但多样,且很深入,且承蒙国际一级的客户看的起,客户的要求,我们作不到就要去想办法,且他们都是一级厂商, 技术和产品的应用跑的很快,每天都在考试,大考小考不断,严师拿着鞭子鞭策,客户是最好的老师。


问:稳懋的下一步为何?


答: 目前稳懋在3D感测单月的营收已占到10%,且今年前十月几乎都没有,明年在3D感测的成长性很大,而未来就是要跨入5G和光通讯,虽然目前各家的规格都还没定,但不管是什么样的技术,我们都有足够的技术可以应付。 经济日报



5.2021年全球IC市场规模4345亿美元 汽车与物联网IC应用成长最快



调研机构IC Insights最新报告预估,全球整体IC市场规模将由2016年的2,977亿美元,成长为2021年的4,345亿美元。合计2016~2021年规模年复合成长率(CAGR)为7.9%。

 

在12类IC终端应用主要产品中,仅游戏机与平板电脑产品用IC市场规模会出现下滑,其余如汽车、物联网(IoT)连结、手机等IC应用市场规模都会呈现成长。其中以车用与物联网连结用IC市场规模成长最快,成长幅度较整体IC高出70%。

 

预估2017年全球车用IC市场规模,将继2016年成长11%(达229亿美元)后,再年增22%,达280亿美元,并且此一成长趋势还会一直延续到2021年。2018年全球车用IC规模年增16%,达324亿美元;2021年规模达429亿美元。合计2016~2021年全球车用IC市场规模CAGR为13.4%。

 

成长幅度仅次于车用IC的是,应用在各种系统、传感器和装置中,提供物联网功能的IC产品。预估该类物联网连结应用IC市场规模,将由2016年的184亿美元,成长为2017年的209亿美元,并在2021年达到342亿美元。合计2016~2021年CAGR为13.2%。

 

IC Insights预估,2017年物联网相关IC销售额,将继2016年成长18%后,续年增14%,达145亿美元。2018年销售额还会再成长16%,达到168亿美元。

 

CAGR排名位于前五大的其他IC终端应用类别分别为,医疗产品用IC市场(CAGR 9.7%)、穿戴式装置用IC(CAGR 9.0%),以及手机用IC(CAGR 7.8%)。

 

上述3类IC应用2021年市场规模分别为,医疗产品用IC 78亿美元、穿戴式装置用IC 49亿美元、手机用IC 1,056亿美元。 

 

至于规模将会出现下滑的游戏机与平板电脑产品用IC市场,预估CAGR分别为-1.9%与-2.3%,2021年游戏机用IC市场规模为97亿美元,平板电脑用IC规模为107亿美元。

 

就市场规模而言,受到DRAM和NAND flash存储器平均售价(ASP)大幅上扬影响,预估2017年手机用IC市场规模将会大幅年增24%,达897亿美元;2018年规模还会再成长8%,达973亿美元;2021年规模达1,056亿美元。手机产品将会持续是最大的IC终端应用市场,约占整体市场规模的25%。

 

在存储器ASP上扬的影响下,2017年全球PC用IC市场规模也会年增17.6%,达690亿美元。2018年规模将会再年增5%,达726亿美元。

 

虽然2016~2021年PC用IC市场规模CAGR仅约3%,低于如汽车或穿戴式装置等IC应用市场CAGR,但PC产品仍然持续会是仅次于手机的第二大IC终端应用市场。

 

单就2017全年市场规模而言,前五大IC终端应用市场分别为,手机用IC市场、PC用IC、车用IC、物联网连结用IC,以及服务器用IC。各类应用当年市场规模依序为897亿、690亿、280亿、209亿与167亿美元。DIGITIMES


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